剩余电流保护电子脱扣器制造技术

技术编号:21437434 阅读:36 留言:0更新日期:2019-06-22 13:35
本实用新型专利技术剩余电流保护电子脱扣器,包括供电单元电路、瞬态过压保护电路、驱动脱扣电路、漏电动作值调节电路、漏电延时调节电路、试验测试电路、漏电采样电路及芯片U1。与现有技术相比,本实用新型专利技术的有益效果如下:在性能和结构上有了重要的改变,解决了现有产品无法对脉动直流漏电检测保护的缺陷,对突然施加或缓慢上升的正弦交流电流和脉动直流电流漏电均能确保可靠保护动作,确保了人身安全的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
剩余电流保护电子脱扣器
本技术属于新能源领域使用的线路保护开关设备,特别是一种新能源领域汽车充电桩用的剩余电流保护电子脱扣器。
技术介绍
随着新能源汽车的快速发展,电动汽车已在各个地方大力推广,汽车充电桩作为电动汽车的“加电站”,随着电动汽车的日益普及日,充电桩也在快速发展,根据国家规划发展,到2020年将建成200万个充电桩,但是充电桩的安全性和可靠性至关重要,为了有效的防止由于电线老化引起的漏电、人为无意触电造成的人员伤害,因此充电桩必须安装剩余电流保护装置。充电桩有慢速充电模式和快速充电模式,慢速充电模式主要是交流充电,快速充电模式主要是直流充电,直流充电桩具有快速充电的功能,传统的剩余电流保护脱扣器属于AC型,只能保护交流剩余电流,对于脉动直流漏电无法保护,如果充电桩系统有脉动漏电电流,传统的剩余电流保护脱扣无法动作,无法保护操作人员的安全,该A型剩余电流保护电子脱扣器可以对交流漏电、脉动漏电保护,对操作人员进行全方位的保护。随着国家对充电桩出台的新标准,充电桩中的剩余电流保护断路器开关必须要有交流和脉动直流漏电保护功能,剩余电流保护电子脱扣器是剩余电流保护断路器开关的核心控制部件。目前市场上的剩余电流保护脱扣器大都是AC型的,不能满足充电桩的保护要求标准。
技术实现思路
针对现有技术中的缺陷,本技术的目的是提供一种剩余电流保护电子脱扣器。为解决上述技术问题,本技术剩余电流保护电子脱扣器,包括供电单元电路、瞬态过压保护电路、驱动脱扣电路、漏电动作值调节电路、漏电延时调节电路、试验测试电路、漏电采样电路及芯片U1;其中所述供电单元电路包括:A相分压单元,所述A相分压单元的一端与三相电源的A相电源电连接;二极管组件D10,所述二极管组件D10的第三端口与所述A相分压单元的另一端电连接,所述二极管组件D10的第一端口接地;B相分压单元,所述B相分压单元的一端与三相电源的B相电源电连接;二极管组件D11,所述二极管组件D11的第三端口与所述B相分压单元的另一端电连接,所述二极管组件D11的第一端口接地;C相分压单元,所述C相分压单元的一端与三相电源的C相电源电连接;二极管组件D12,所述二极管组件D12的第三端口与所述C相分压单元的另一端电连接,所述二极管组件D12的第一端口接地;电阻R3,所述电阻R3的一端分别与所述二极管组件D10的第二端口、所述二极管组件D11的第二端口及所述二极管组件D12的第二端口电连接,所述电阻R3的另一端与所述芯片U1电连接;二极管D3,所述二极管D3的正极接地,所述二极管D3的负极与所述电阻R3的一端电连接;电容C3,所述电容C3的正极与所述电阻R3的一端电连接,所述电容C3的负极接地;稳压二极管VD1,所述稳压二极管VD1的正极接地,所述稳压二极管VD1的负极与所述电阻R3的另一端电连接;电容C2,所述电容C2的正极与所述电阻R3的另一端电连接,所述电容C2的负极接地。优选地,所述A相分压单元包括:电容C1,所述电容C1的一端与三相电源的A相电源电连接;电阻R4,所述电阻R4的一端与所述电容C1的另一端电连接,所述电阻R4的另一端与所述二极管组件D10的第三端口电连接;电阻R1,所述电阻R1的一端与所述电容C1的一端电连接;电阻R2,所述电阻R2的一端与所述电阻R1的另一端电连接,所述电阻R2的另一端与所述电阻R4的另一端电连接;所述B相分压单元包括:电容C4,所述电容C4的一端与三相电源的B相电源电连接;电阻R12,所述电阻R12的一端与所述电容C4的另一端电连接,所述电阻R12的另一端与所述二极管组件D11的第三端口电连接;电阻R9,所述电阻R9的一端与所述电容C4的一端电连接;电阻R10,所述电阻R10的一端与所述电阻R9的另一端电连接,所述电阻R10的另一端与所述电阻R12的另一端电连接;所述C相分压单元包括:电容C5,所述电容C5的一端与三相电源的C相电源电连接;电阻R17,所述电阻R17的一端与所述电容C5的另一端电连接,所述电阻R17的另一端与所述二极管组件D12的第三端口电连接;电阻R15,所述电阻R15的一端与所述电容C5的一端电连接;电阻R16,所述电阻R16的一端与所述电阻R15的另一端电连接,所述电阻R16的另一端与所述电阻R17的另一端电连接。优选地,所述瞬态过压保护电路包括:压敏电阻RM1,所述压敏电阻RM1的两端分别与A相电源及C相电源电连接;压敏电阻RM2,所述压敏电阻RM2的两端分别与A相电源及B相电源电连接;压敏电阻RM3,所述压敏电阻RM3的两端分别与B相电源及C相电源电连接。优选地,还包括二极管D1、二极管D2、二极管D4、二极管D5、二极管D6及二极管D7;其中所述二极管D1的正极接地,所述二极管D1的负极与三相电源的A相电源电连接;所述二极管D2的正极与三相电源的A相电源电连接,所述二极管D2的负极与所述驱动脱扣电路电连接;所述二极管D4的正极接地,所述二极管D4的负极与三相电源的B相电源电连接;所述二极管D5的正极与三相电源的B相电源电连接,所述二极管D5的负极与所述驱动脱扣电路电连接;所述二极管D6的正极接地,所述二极管D6的负极与三相电源的C相电源电连接;所述二极管D7的正极与三相电源的C相电源电连接,所述二极管D7的负极与所述驱动脱扣电路电连接。优选地,所述驱动脱扣电路包括:线圈L1,所述线圈L1的一端分别与所述二极管D2的负极、所述二极管D5的负极及所述二极管D7的负极电连接;可控硅Q1,所述可控硅Q1的正极与所述线圈L1的另一端电连接,所述可控硅Q1的负极与所述芯片U1的OS引脚电连接,所述可控硅Q1的负极接地;二极管D9,所述二极管D9的正极与所述线圈L1的另一端电连接,所述二极管D9的负极与所述线圈L1的一端电连接。优选地,所述漏电动作值调节电路包括:零序互感器L2,三相电源穿过所述零序互感器L2;二极管组件D13,所述二极管组件D13的第一端口及第二端口分别与所述零序互感器L2的一端电连接,所述二极管组件D13的第三端口与所述零序互感器L2的另一端电连接;电阻R25,所述电阻R25的两端分别与所述零序互感器L2的两端电连接;电阻R23,所述电阻R23的一端与所述零序互感器L2的一端电连接,所述电阻R23的另一端与所述芯片U1电连接;电阻R26,所述电阻R26的一端与所述零序互感器L2的另一端电连接,所述电阻R26的另一端与所述芯片U1电连接;电容C7,所述电容C7的一端与所述电阻R23的另一端电连接,所述电容C7的另一端与所述电阻R26的另一端电连接;电阻R31,所述电阻R31的一端与所述芯片U1电连接,所述电阻R31的另一端接地;开关S1,所述开关S1的一端与所述芯片U1电连接;电容C10,所述电容C10的一端与所述开关S1的另一端电连接,所述电容C10的另一端接地;电容C11,所述电容C11的一端与所述开关S1的另一端电连接,所述电容C11的另一端接地;电容C12,所述电容C12的一端与所述开关S1的另一端电连接,所述电容C12的另一端接地。优选地,所述漏电延时调节电路包括:开关S2,所述开关S2的一端与所述零序互感器L2的另一端电连接;电阻R32,所述电阻R32的一端与所述开本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种剩余电流保护电子脱扣器,其特征在于,包括供电单元电路、瞬态过压保护电路、驱动脱扣电路、漏电动作值调节电路、漏电延时调节电路、试验测试电路、漏电采样电路及芯片U1;其中所述供电单元电路包括:A相分压单元,所述A相分压单元的一端与三相电源的A相电源电连接;二极管组件D10,所述二极管组件D10的第三端口与所述A相分压单元的另一端电连接,所述二极管组件D10的第一端口接地;B相分压单元,所述B相分压单元的一端与三相电源的B相电源电连接;二极管组件D11,所述二极管组件D11的第三端口与所述B相分压单元的另一端电连接,所述二极管组件D11的第一端口接地;C相分压单元,所述C相分压单元的一端与三相电源的C相电源电连接;二极管组件D12,所述二极管组件D12的第三端口与所述C相分压单元的另一端电连接,所述二极管组件D12的第一端口接地;电阻R3,所述电阻R3的一端分别与所述二极管组件D10的第二端口、所述二极管组件D11的第二端口及所述二极管组件D12的第二端口电连接,所述电阻R3的另一端与所述芯片U1电连接;二极管D3,所述二极管D3的正极接地,所述二极管D3的负极与所述电阻R3的一端电连接;电容C3,所述电容C3的正极与所述电阻R3的一端电连接,所述电容C3的负极接地;稳压二极管VD1,所述稳压二极管VD1的正极接地,所述稳压二极管VD1的负极与所述电阻R3的另一端电连接;电容C2,所述电容C2的正极与所述电阻R3的另一端电连接,所述电容C2的负极接地。...

【技术特征摘要】
1.一种剩余电流保护电子脱扣器,其特征在于,包括供电单元电路、瞬态过压保护电路、驱动脱扣电路、漏电动作值调节电路、漏电延时调节电路、试验测试电路、漏电采样电路及芯片U1;其中所述供电单元电路包括:A相分压单元,所述A相分压单元的一端与三相电源的A相电源电连接;二极管组件D10,所述二极管组件D10的第三端口与所述A相分压单元的另一端电连接,所述二极管组件D10的第一端口接地;B相分压单元,所述B相分压单元的一端与三相电源的B相电源电连接;二极管组件D11,所述二极管组件D11的第三端口与所述B相分压单元的另一端电连接,所述二极管组件D11的第一端口接地;C相分压单元,所述C相分压单元的一端与三相电源的C相电源电连接;二极管组件D12,所述二极管组件D12的第三端口与所述C相分压单元的另一端电连接,所述二极管组件D12的第一端口接地;电阻R3,所述电阻R3的一端分别与所述二极管组件D10的第二端口、所述二极管组件D11的第二端口及所述二极管组件D12的第二端口电连接,所述电阻R3的另一端与所述芯片U1电连接;二极管D3,所述二极管D3的正极接地,所述二极管D3的负极与所述电阻R3的一端电连接;电容C3,所述电容C3的正极与所述电阻R3的一端电连接,所述电容C3的负极接地;稳压二极管VD1,所述稳压二极管VD1的正极接地,所述稳压二极管VD1的负极与所述电阻R3的另一端电连接;电容C2,所述电容C2的正极与所述电阻R3的另一端电连接,所述电容C2的负极接地。2.根据权利要求1所述的剩余电流保护电子脱扣器,其特征在于,所述A相分压单元包括:电容C1,所述电容C1的一端与三相电源的A相电源电连接;电阻R4,所述电阻R4的一端与所述电容C1的另一端电连接,所述电阻R4的另一端与所述二极管组件D10的第三端口电连接;电阻R1,所述电阻R1的一端与所述电容C1的一端电连接;电阻R2,所述电阻R2的一端与所述电阻R1的另一端电连接,所述电阻R2的另一端与所述电阻R4的另一端电连接;所述B相分压单元包括:电容C4,所述电容C4的一端与三相电源的B相电源电连接;电阻R12,所述电阻R12的一端与所述电容C4的另一端电连接,所述电阻R12的另一端与所述二极管组件D11的第三端口电连接;电阻R9,所述电阻R9的一端与所述电容C4的一端电连接;电阻R10,所述电阻R10的一端与所述电阻R9的另一端电连接,所述电阻R10的另一端与所述电阻R12的另一端电连接;所述C相分压单元包括:电容C5,所述电容C5的一端与三相电源的C相电源电连接;电阻R17,所述电阻R17的一端与所述电容C5的另一端电连接,所述电阻R17的另一端与所述二极管组件D12的第三端口电连接;电阻R15,所述电阻R15的一端与所述电容C5的一端电连接;电阻R16,所述电阻R16的一端与所述电阻R15的另一端电连接,所述电阻R16的另一端与所述电阻R17的另一端电连接。3.根据权利要求2所述的剩余电流保护电子脱扣器,其特征在于,所述瞬态过压保护电路包括:压敏电阻RM1,所述压敏电阻RM1的两端分别与A相电源及C相电源电连接;压敏电阻RM2,所述压敏电阻RM2的两端分别与A相电源及B相电源电连接;压敏电阻RM3,所述压敏电阻RM3的两端分别与B相电源及C相电源电连接。4.根据权利要求3所述的剩余电流保护电子脱扣器,其特征在于,还包括二极管D1、二极管D2、二极管D4、二极管D5、二极管D6及二极管D7;其中所述二极管D1的正极接地,所述二极管D1的负极与三相电源的A相电源电连接;所述二极管D2的正极与三相电源的A相电源电连接,所述二极管D2的负极与所述驱动脱扣电路电连接;所述二极管D4的正极接地,所述二极管D4的负极与三相电源的B相电源电连接;所述二极管D5的正极与三相电源的B相电源电连接,所述二极管D5的负极与所述驱动脱扣电路电连接;所述二极管D6的正极接地,所述二极管D6的负极与三相电源的C相电源电连接;所述二极管D7的正极与三相电源的C相电源电连接,所述二极管D7的负极与所述驱动脱扣电路电...

【专利技术属性】
技术研发人员:马铁峰马景渊张刚
申请(专利权)人:二一三电器上海有限公司天水二一三电器有限公司
类型:新型
国别省市:上海,31

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