滤波天线器件制造技术

本发明专利技术提供了一种滤波天线器件，包括SIW滤波结构和与SIW滤波结构级联的SIW辐射结构，SIW滤波结构包括上下层叠设置并相连通的第一谐振腔和第二谐振腔，SIW辐射结构包括与第一谐振腔及第二谐振腔并排设置且连通的背腔和收容于背腔内的金属贴片，滤波天线器件还包括设置于第一谐振腔的远离背腔一侧的馈电端口及第一共面波导、设置于第二谐振腔的靠近背腔一侧的第二共面波导、设置于背腔内且与第二共面波导的一端连接的传输线及连接传输线与金属贴片的探针，第一共面波导一端与馈电端口连接，另一端与第二共面波导远离传输线的端部相对设置。与相关技术相比，本发明专利技术提供的滤波天线器件能抑制带外杂散信号的干扰，有效降低表面波损耗。

【技术实现步骤摘要】
滤波天线器件
本专利技术涉及微波通信领域，尤其涉及一种运用在通讯电子产品领域的滤波天线器件。
技术介绍
随着无线通信系统的高速发展，无线通讯终端在功能强大的同时，尺寸却越来越小，因此像巴伦滤波器、功分滤波器、滤波天线等等的多功能组件设计逐渐成为必然趋势。将天线和滤波器集成在一起可以有效降低系统的损耗、提高系统的效率且能缩小系统的尺寸。然而，相关技术的滤波天线并不具备抵御带外杂散信号的结构，不能够很好的抑制带外杂散信号，并容易受到表面波的干扰，降低滤波天线的工作效率。因此，有必要提供一种新的滤波天线器件来解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种能抑制带外杂散信号的干扰，能有效降低表面波损耗的滤波天线器件。为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种滤波天线器件，包括SIW滤波结构和与所述SIW滤波结构级联的SIW辐射结构，所述SIW滤波结构包括上下层叠设置并相连通的第一谐振腔和第二谐振腔，所述SIW辐射结构包括与所述第一谐振腔及所述第二谐振腔并排设置且连通的背腔和收容于所述背腔内的金属贴片，所述滤波天线器件还包括设置于所述第一谐振腔的远离所述背腔一侧的馈电端口及第一共面波导、设置于所述第二谐振腔的靠近所述背腔一侧的第二共面波导、设置于所述背腔内且与所述第二共面波导的一端连接的传输线及连接所述传输线与所述金属贴片的探针，所述第一共面波导一端与所述馈电端口连接，另一端与所述第二共面波导远离所述传输线的端部相对设置。优选的，所述SIW滤波结构包括上下层叠设置的第一介质基板和第二介质基板、覆于所述第一介质基板远离所述第二介质基板的表面的第一金属层和覆于所述第二介质基板远离所述第一介质基板的表面的第二金属层、夹设于所述第一介质基板和所述第二介质基板之间的第三金属层、多个间隔设置且贯穿所述第一介质基板的第一金属化通孔及多个间隔设置且贯穿所述第二介质基板的第二金属化通孔，多个所述第一金属化通孔沿所述第一介质基板的周缘排布且电连接所述第一金属层和所述第三金属层，多个所述第二金属化通孔沿所述第二介质基板的周缘排布且电连接所述第二金属层和所述第三金属层，所述第一金属层、所述第三金属层及所述第一金属化通孔共同围成所述第一谐振腔，所述第二金属层、所述第三金属层及所述第二金属化通孔共同围成所述第二谐振腔，所述SIW辐射结构包括与所述第一介质基板和所述第二介质基板并排设置的第三介质基板、覆于所述第三介质基板相对两表面的第四金属层和第五金属层及多个间隔设置且贯穿所述第三介质基板的第三金属化通孔，多个所述第三金属化通孔沿所述第三介质基板的周缘排布且电连接所述第四金属层和所述第五金属层，所述第四金属层、所述第五金属层及多个所述第三金属化通孔共同围成所述背腔。优选的，所述第四金属层与所述第一金属层处于同一平面，所述第五金属层与所述第二金属层处于同一平面。优选的，所述第一共面波导设置于所述第一金属层内且自所述馈电端口向靠近所述背腔方向延伸，所述第二共面波导设置于所述第二金属层内且与所述第一共面波导具有相同的延伸方向。优选的，所述第四金属层中心开设有辐射窗口，所述金属贴片设置于所述辐射窗口内，所述传输线开设于所述第五金属层，所述探针贯穿所述第三介质基板并电连接所述金属贴片和所述传输线。优选的，所述第二共面波导包括中心导体带和位于所述中心导体带两侧的导体平面，所述传输线与所述中心导体带连接。优选的，所述第三金属层开设有两间隔设置的耦合间隙，所述第一谐振腔与所述第二谐振腔通过所述耦合间隙连通。优选的，所述耦合间隙呈矩形，且分设于所述第一共面波导的两侧。优选的，贯通的所述第一金属化通孔和所述第二金属化通孔一体成型。与相关技术相比，本专利技术的所述滤波天线器件通过在所述SIW辐射结构中设置所述背腔，并在所述背腔内设置所述金属贴片，因所述背腔能有效的抑制表面波，从而有效的降低了所述金属贴片的表面波损耗，且通过设置与SIW辐射结构级联的SIW滤波结构，能抑制带外杂散信号的干扰。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中：图1为本专利技术提供的滤波天线器件的整体结构的立体结构示意图；图2为本专利技术提供的滤波天线器件的部分结构的分解结构示意图；图3为图1所示的滤波天线器件沿A-A线的剖视图；图4为本专利技术提供的滤波天线器件的反射系数图；图5为本专利技术提供的滤波天线器件的总效率图；图6为本专利技术提供的滤波天线器件的增益图。【具体实施方式】下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。请结合参阅图1至图3，本专利技术提供了一种滤波天线器件100，包括SIW滤波结构10和与所述SIW滤波结构10级联的SIW辐射结构30。其中，所述SIW滤波结构10包括上下层叠设置并相连通的第一谐振腔11和第二谐振腔12。所述SIW辐射结构30包括与所述第一谐振腔11及所述第二谐振腔12并排设置且连通的背腔31和收容于所述背腔31内的金属贴片32。需要说明的是，文中的“上下层叠设置”是指本专利技术的附图3中的位置关系，若所述滤波天线器件100的摆放状态发生改变，所述第一谐振腔11和所述第二谐振腔12的位置关系就不再是上下层叠设置。所述滤波天线器件100还包括设置于所述第一谐振腔11的远离所述背腔31一侧的馈电端口50及第一共面波导60、设置于所述第二谐振腔12的靠近所述背腔31一侧的第二共面波导70、设置于所述背腔31内且与所述第二共面波导70的一端连接的传输线80及连接所述传输线80与所述金属贴片32的探针90。所述第一共面波导60一端与所述馈电端口50连接，另一端与所述第二共面波导70远离所述传输线80的端部相对设置。如此设计，因所述背腔31能有效的抑制表面波，从而有效的降低了所述金属贴片32的表面波损耗；通过设置与所述SIW辐射结构30级联的SIW滤波结构10，能有效抑制带外杂散信号的干扰。具体的，所述SIW滤波结构10包括上下层叠设置的第一介质基板13和第二介质基板14、覆于所述第一介质基板13远离所述第二介质基板14的表面的第一金属层15和覆于所述第二介质基板14远离所述第一介质基板13的表面的第二金属层16、夹设于所述第一介质基板13和所述第二介质基板14之间的第三金属层17、多个间隔设置且贯穿所述第一介质基板13的第一金属化通孔18及多个间隔设置且贯穿所述第二介质基板14的第二金属化通孔19。优选的，在本实施方式中，所述第一介质基板13和所述第二介质基板14均呈矩形，且所述第一介质基板13和所述第二介质基板14均采用LTCC(低温共烧陶瓷)作为其主体的材料。多个所述第一金属化通孔18沿所述第一介质基板13的周缘排布且电连接所述第一金属层15和所述第三金属层17，多个所述第二金属化通孔19沿所述第二介质基板14的周缘排布且电连接所述第二金属层16本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种滤波天线器件，包括SIW滤波结构和与所述SIW滤波结构级联的SIW辐射结构，其特征在于，所述SIW滤波结构包括上下层叠设置并相连通的第一谐振腔和第二谐振腔，所述SIW辐射结构包括与所述第一谐振腔及所述第二谐振腔并排设置且连通的背腔和收容于所述背腔内的金属贴片，所述滤波天线器件还包括设置于所述第一谐振腔的远离所述背腔一侧的馈电端口及第一共面波导、设置于所述第二谐振腔的靠近所述背腔一侧的第二共面波导、设置于所述背腔内且与所述第二共面波导的一端连接的传输线及连接所述传输线与所述金属贴片的探针，所述第一共面波导一端与所述馈电端口连接，另一端与所述第二共面波导远离所述传输线的端部相对设置。

【技术特征摘要】
1.一种滤波天线器件，包括SIW滤波结构和与所述SIW滤波结构级联的SIW辐射结构，其特征在于，所述SIW滤波结构包括上下层叠设置并相连通的第一谐振腔和第二谐振腔，所述SIW辐射结构包括与所述第一谐振腔及所述第二谐振腔并排设置且连通的背腔和收容于所述背腔内的金属贴片，所述滤波天线器件还包括设置于所述第一谐振腔的远离所述背腔一侧的馈电端口及第一共面波导、设置于所述第二谐振腔的靠近所述背腔一侧的第二共面波导、设置于所述背腔内且与所述第二共面波导的一端连接的传输线及连接所述传输线与所述金属贴片的探针，所述第一共面波导一端与所述馈电端口连接，另一端与所述第二共面波导远离所述传输线的端部相对设置。2.根据权利要求1所述的滤波天线器件，其特征在于，所述SIW滤波结构包括上下层叠设置的第一介质基板和第二介质基板、覆于所述第一介质基板远离所述第二介质基板的表面的第一金属层和覆于所述第二介质基板远离所述第一介质基板的表面的第二金属层、夹设于所述第一介质基板和所述第二介质基板之间的第三金属层、多个间隔设置且贯穿所述第一介质基板的第一金属化通孔及多个间隔设置且贯穿所述第二介质基板的第二金属化通孔，多个所述第一金属化通孔沿所述第一介质基板的周缘排布且电连接所述第一金属层和所述第三金属层，多个所述第二金属化通孔沿所述第二介质基板的周缘排布且电连接所述第二金属层和所述第三金属层，所述第一金属层、所述第三金属层及所述第一金属化通孔共同围成所述第一谐振腔，所述第二金属层、所述第三金属层及所述第二金属化通孔共同围成所述第二谐振腔，所述SIW辐射结构包括与所述第一介质基板和所...

【专利技术属性】
技术研发人员：买剑春，邾志民，
申请(专利权)人：瑞声科技南京有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32