一种确定肖特基二极管的选取是否合适的方法及装置制造方法及图纸

本申请公开了一种确定肖特基二极管的选取是否合适的方法及装置，具体地，可以经过多次迭代计算得到肖特基二极管温度升高后的目标温度，并当所述第n次迭代对应的目标温度与所述第n‑1次迭代对应的目标温度之间的差值小于或者等于第一阈值时，则说明所述肖特基二极管的温度不是一直上升，而是趋近平稳。在本申请实施例中，当所述肖特基二极管的温度趋于平稳时，判断所述第n次迭代对应的目标温度是否小于所述肖特基二极管的结温阈值，如果是，则说明所述肖特基二极管的温度不会超过所述结温阈值，则说明所述肖特基二极管的选取是合适的,如果否，则确定肖特基二极管的选取不合适。从而确定出肖特基二极管的选取是否合适。

【技术实现步骤摘要】
一种确定肖特基二极管的选取是否合适的方法及装置
本申请涉及车辆领域，特别是涉及一种确定肖特基二极管的选取是否合适的方法及装置。
技术介绍
目前车辆上存在许多控制单元，例如车载远程信息管理器(TelematicsBOX，T-Box)和电子控制单元(ElectronicControlUnit，ECU)。这些控制单元正常工作，需要电源电路为其供电。在电源电路中，往往包括DC-DC电路结构，而肖特基二极管是DC-DC电路结构中的重要器件。因此，肖特基二极管的选取尤为重要，若肖特基二极管选取不合适，例如使得肖特基二极管的温度超过该肖特基二极管的器件结温阈值，则会导致肖特基二极管损坏，可能会导致电源电路无法正常工作，进一步地，可能会导致控制单元例如车载T-Box和ECU无法正常工作。因此，如何确定肖特基二极管的选取是否合适，是目前急需解决的问题。
技术实现思路
本申请所要解决的技术问题是如何确定肖特基二极管的选取是否合适，提供一种确定肖特基二极管的选取是否合适的方法及装置。第一方面，本申请实施例提供了一种确定肖特基二极管的选取是否合适的方法，所述方法包括：经过多次迭代计算得到肖特基二极管温度升高后的目标温度；在所述多次迭代过程中，若第n次迭代对应的目标温度与第n-1次迭代对应的目标温度之间的差值小于或者等于第一阈值；判断第n次迭代对应的目标温度是否小于所述肖特基二极管的结温阈值，若小于，则确定所述肖特基二极管的选取合适，以及若大于或等于，则确定所述肖特基二极管的选取不合适。可选的，第n次迭代对应的目标温度通过如下方式确定：根据所述肖特基二极管工作的环境参数和所述肖特基二极管的器件规格，计算所述肖特基二极管的正向发热功率和反向发热功率；根据所述正向发热功率和反向发热功率确定所述肖特基二极管的上升温度；根据第一温度和所述上升温度得到第n次迭代对应的目标温度；所述第一温度为第n-1次迭代对应的目标温度。可选的，所述环境参数包括所述肖特基二极管的输出电流；所述肖特基二极管的正向发热功率，是根据所述肖特基二极管在所述第一温度下的正向导通电压和所述肖特基二极管的输出电流计算得到的；所述肖特基二极管在所述第一温度下的正向导通电压，是根据所述肖特基二极管的器件规格确定的。可选的，所述环境参数包括所述肖特基二极管的输入电压，所述肖特基二极管的反向发热功率，是根据所述肖特基二极管在所述第一温度下的漏电流和所述肖特基二极管的输入电压计算得到的；所述肖特基二极管在所述第一温度下的漏电流，是根据所述肖特基二极管的器件规格确定的。可选的，所述根据所述正向发热功率和反向发热功率确定所述肖特基二极管的上升温度，包括：根据所述正向发热功率、所述反向发热功率以及所述肖特基二极管的热阻，确定所述肖特基二极管的上升温度。第二方面，本申请实施例提供了一种确定肖特基二极管的选取是否合适的装置，所述装置包括：迭代单元，用于经过多次迭代计算得到肖特基二极管温度升高后的目标温度；判断单元，用于在所述多次迭代过程中，若第n次迭代对应的目标温度与第n-1次迭代对应的目标温度之间的差值小于或者等于第一阈值，判断第n次迭代对应的目标温度是否小于所述肖特基二极管的结温阈值，若小于，则确定所述肖特基二极管的选取合适，以及若大于或等于，则确定所述肖特基二极管的选取不合适。可选的，第n次迭代对应的目标温度通过如下方式确定：根据所述肖特基二极管工作的环境参数和所述肖特基二极管的器件规格，计算所述肖特基二极管的正向发热功率和反向发热功率；根据所述正向发热功率和反向发热功率确定所述肖特基二极管的上升温度；根据第一温度和所述上升温度得到第n次迭代对应的目标温度；所述第一温度为第n-1次迭代对应的目标温度。可选的，所述环境参数包括所述肖特基二极管的输出电流；所述肖特基二极管的正向发热功率，是根据所述肖特基二极管在所述第一温度下的正向导通电压和所述肖特基二极管的输出电流计算得到的；所述肖特基二极管在所述第一温度下的正向导通电压，是根据所述肖特基二极管的器件规格确定的。可选的，所述环境参数包括所述肖特基二极管的输入电压，所述肖特基二极管的反向发热功率，是根据所述肖特基二极管在所述第一温度下的漏电流和所述肖特基二极管的输入电压计算得到的；所述肖特基二极管在所述第一温度下的漏电流，是根据所述肖特基二极管的器件规格确定的。可选的，所述根据所述正向发热功率和反向发热功率确定所述肖特基二极管的上升温度，包括：根据所述正向发热功率、所述反向发热功率以及所述肖特基二极管的热阻，确定所述肖特基二极管的上升温度。与现有技术相比，本申请实施例具有以下优点：本申请实施例提供了一种确定肖特基二极管的选取是否合适的方法及装置，具体地，可以经过多次迭代计算得到肖特基二极管温度升高后的目标温度，当所述第n次迭代对应的目标温度与所述第n-1次迭代对应的目标温度之间的差值小于或者等于第一阈值时，则说明所述肖特基二极管的温度不是一直上升，而是趋近平稳。可以理解的是，若所述肖特基二极管的温度一直上升，则在肖特基二极管工作一段时间后，其温度很有可能会超过所述肖特基二极管的结温阈值。在本申请实施例中，当所述肖特基二极管的温度趋于平稳时，判断所述第n次迭代对应的目标温度是否小于所述肖特基二极管的结温阈值，如果是，则说明所述肖特基二极管的温度不会超过所述结温阈值，则说明所述肖特基二极管的选取是合适的，若第n次迭代对应的目标温度大于或者等于所述结温阈值，则确定所述肖特基二极管的选取不合适。由此可见，利用本申请实施例提供的方案，可以确定出肖特基二极管的选取是否合适。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请实施例提供的一种确定肖特基二极管的选取是否合适的方法的流程示意图；图2为本申请实施例提供的确定第n次迭代对应的目标温度的方法的流程示意图；图3为本申请实施例提供的一种确定肖特基二极管的选取是否合适的装置的结构示意图。具体实施方式为了使本
的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。本申请的专利技术人经过研究发现，传统技术中，电源电路中肖特基二极管的选取尤为重要，若肖特基二极管选取不合适，例如使得肖特基二极管的温度超过该肖特基二极管的器件结温阈值，则会导致肖特基二极管损坏，可能会导致电源电路无法正常工作，进一步地，可能会导致控制单元例如车载T-Box和ECU无法正常工作。鉴于此，本申请实施例提供了一种确定肖特基二极管的选取是否合适的方法及装置，具体地，可以经过多次迭代计算得到肖特基二极管温度升高后的目标温度，当所述第n次迭代对应的目标温度与所述第n-1次迭代对应的目标温度之间的差值小于或者等于第一阈值时，则说明所述肖特基二极管的温度不是一直上升，而是趋近平本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种确定肖特基二极管的选取是否合适的方法，其特征在于，所述方法包括：经过多次迭代计算得到肖特基二极管温度升高后的目标温度；在所述多次迭代过程中，若第n次迭代对应的目标温度与第n‑1次迭代对应的目标温度之间的差值小于或者等于第一阈值，判断第n次迭代对应的目标温度是否小于所述肖特基二极管的结温阈值，若小于，则确定所述肖特基二极管的选取合适；以及若大于或等于，则确定所述肖特基二极管的选取不合适。

【技术特征摘要】
1.一种确定肖特基二极管的选取是否合适的方法，其特征在于，所述方法包括：经过多次迭代计算得到肖特基二极管温度升高后的目标温度；在所述多次迭代过程中，若第n次迭代对应的目标温度与第n-1次迭代对应的目标温度之间的差值小于或者等于第一阈值，判断第n次迭代对应的目标温度是否小于所述肖特基二极管的结温阈值，若小于，则确定所述肖特基二极管的选取合适；以及若大于或等于，则确定所述肖特基二极管的选取不合适。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第n次迭代对应的目标温度通过如下方式确定：根据所述肖特基二极管工作的环境参数和所述肖特基二极管的器件规格，计算所述肖特基二极管的正向发热功率和反向发热功率；根据所述正向发热功率和反向发热功率确定所述肖特基二极管的上升温度；根据第一温度和所述上升温度得到第n次迭代对应的目标温度；所述第一温度为第n-1次迭代对应的目标温度。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述环境参数包括所述肖特基二极管的输出电流；所述肖特基二极管的正向发热功率，是根据所述肖特基二极管在所述第一温度下的正向导通电压和所述肖特基二极管的输出电流计算得到的；所述肖特基二极管在所述第一温度下的正向导通电压，是根据所述肖特基二极管的器件规格确定的。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述环境参数包括所述肖特基二极管的输入电压，所述肖特基二极管的反向发热功率，是根据所述肖特基二极管在所述第一温度下的漏电流和所述肖特基二极管的输入电压计算得到的；所述肖特基二极管在所述第一温度下的漏电流，是根据所述肖特基二极管的器件规格确定的。5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述正向发热功率和反向发热功率确定所述肖特基二极管的上升温度，包括：根据所述正向发热功率、所述反向发热功率以及所述肖特基二极管的热阻，确定所述肖特基二极管的上升温度。6.一种确定肖特...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲁春阳，
申请(专利权)人：东软睿驰汽车技术沈阳有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁,21