一种基于基片集成波导的可调滤波器结构制造技术

本实用新型专利技术涉及微波毫米波技术领域，特别涉及一种基于基片集成波导的可调滤波器结构；本实用新型专利技术包括介质基板、覆铜板和金属铜板；覆铜板的面积占介质基板的面积的一半，覆铜板上设置有半圆形SIW谐振腔、输入微带线和输出微带线，半圆形SIW谐振腔的两侧分别与输入微带线、输出微带线连接，半圆形SIW谐振腔的中心处设置有LTCC基板；在本实用新型专利技术中，在介质基板的上下表面分别设置覆铜板和金属铜板，覆铜板上设置有半圆形SIW谐振腔、输入微带线和输出微带线，半圆形SIW谐振腔的中心处设置有LTCC基板；本实用新型专利技术的结构具有小型化和插入损耗低、调谐速度快的特点。

A Tunable Filter Structure Based on Substrate Integrated Waveguide

The utility model relates to the technical field of microwave and millimeter wave, in particular to an adjustable filter structure based on a substrate integrated waveguide; the utility model comprises a dielectric substrate, a copper clad plate and a metal copper plate; the area of the copper clad plate is half of the area of the dielectric substrate, and the copper clad plate is provided with a semi-circular SIW resonator, an input microstrip line and an output microstrip line, and two sides of the semi-circular SIW resonator. In this utility model, the upper and lower surfaces of the dielectric substrate are respectively provided with copper clad plates and metal copper clad plates, and the copper clad plates are provided with semi-circular SIW resonators, input microstrip lines and output microstrip lines, and the semi-circular SIW resonators are provided with LTCC substrate at the center. The structure has the characteristics of miniaturization, low insertion loss and fast tuning speed.

【技术实现步骤摘要】
一种基于基片集成波导的可调滤波器结构
本技术涉及微波毫米波
，特别涉及一种基于基片集成波导的可调滤波器结构。
技术介绍
随着5G时代的即将到来，现代无线通信系统的要求越来越严格，滤波器作为通信信号传输的核心，集成化、小型化成为了现代滤波器的标签。若需要多个频段要求标准，为了实现将所需要的频谱信号从多频段的信号中分离出来，在射频的前端就需要特意采用多个滤波器滤波处理，但因此除了射频前端的体积增大、插入损耗增加，结构也会变得复杂，跟如今滤波器要求的高性能、小型化、高集成、低成本严重不符。金属矩形波导具有损耗低、功率容量高以及品质因数高等优势，但也有体积太大、十分笨重、难以加工以及不容易集成等劣势。
技术实现思路
为了克服上述所述的不足，本技术的目的是提供一种基于基片集成波导的可调滤波器结构，其在介质基板的上下表面分别设置覆铜板和金属铜板，覆铜板上设置有半圆形SIW谐振腔、输入微带线和输出微带线，半圆形SIW谐振腔的中心处设置有LTCC基板；其具有小型化和插入损耗低、调谐速度快的特点。本技术解决其技术问题的技术方案是：一种基于基片集成波导的可调滤波器结构，其中，包括介质基板及连接在所述介质基板的上表面的覆铜板和连接在所述介质基板的下表面的金属铜板；所述覆铜板的面积占所述介质基板的面积的一半，所述覆铜板上设置有半圆形SIW谐振腔、输入微带线和输出微带线，所述半圆形SIW谐振腔的两侧分别与所述输入微带线、输出微带线连接，所述半圆形SIW谐振腔的中心处设置有LTCC基板。作为本技术的一种改进，所述半圆形SIW谐振腔上沿其圆周上设置有若干个金属化通孔。作为本技术的进一步改进，所述输入微带线与所述半圆形SIW谐振腔之间设置有第一L型槽，所述输出微带线与所述半圆形SIW谐振腔之间设置有第二L型槽。作为本技术的更进一步改进，所述第一L型槽与所述第二L型槽对称设置。作为本技术的更进一步改进，所述LTCC基板上设置有第一谐振器线圈和第二谐振器线圈。作为本技术的更进一步改进，所述第一谐振器线圈和第二谐振器线圈对称设置。作为本技术的更进一步改进，所述第一谐振器线圈和第二谐振器线圈的材质为银材质。作为本技术的更进一步改进，所述第一谐振器线圈和第二谐振器线圈分别连接有第三L型槽和第四L型槽。作为本技术的更进一步改进，所述LTCC基板上设置有谐振输入端口和谐振输出端口，所述谐振输入端口与所述谐振输出端口之间分别依次设有第一螺旋板、第二螺旋板、第三螺旋板、第四螺旋板、第五螺旋板、第六螺旋板和第七螺旋板。作为本技术的更进一步改进，所述第一螺旋板与所述第二螺旋板之间连接有第一金属柱，所述第二螺旋板与所述第三螺旋板之间连接有第二金属柱，所述第三螺旋板与所述第四螺旋板之间连接有第三金属柱，所述第四螺旋板与所述第五螺旋板之间连接有第四金属柱，所述第五螺旋板与所述第六螺旋板之间连接有第五金属柱，所述第六螺旋板与所述第七螺旋板之间连接有第六金属柱。在本技术中，在介质基板的上下表面分别设置覆铜板和金属铜板，覆铜板上设置有半圆形SIW谐振腔、输入微带线和输出微带线，半圆形SIW谐振腔的中心处设置有LTCC基板；本技术的结构具有小型化和插入损耗低、调谐速度快的特点。附图说明为了易于说明，本技术由下述的较佳实施例及附图作以详细描述。图1为本技术的俯视图；图2为本技术的侧视图；图3为本技术中LTCC基板内置的偏置电路和电路连接示意图；附图标记：1-介质基板，2-覆铜板，3-金属铜板，4-半圆形SIW谐振腔，5-输入微带线，6-输出微带线，7-第一L型槽，8-第二L型槽，41-LTCC基板，42-金属化通孔，411-第一谐振器线圈，412-第二谐振器线圈，413-谐振输入端口，414-谐振输出端口，415-第一螺旋板，416-第二螺旋板，417-第三螺旋板，418-第四螺旋板，419-第五螺旋板，4120-第六螺旋板，4121-第七螺旋板，4111-第三L型槽，4121-第四L型槽，4151-第一金属柱，4152-第二金属柱，4153-第三金属柱，4154-第四金属柱，4155-第五金属柱，4156-第六金属柱。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。如图1至图3所示，本技术的一种基于基片集成波导的可调滤波器结构，包括介质基板1及连接在介质基板1的上表面的覆铜板2和连接在介质基板1的下表面的金属铜板3。覆铜板2的面积占介质基板1的面积的一半，覆铜板2上设置有半圆形SIW谐振腔4、输入微带线5和输出微带线6，半圆形SIW谐振腔4的两侧分别与输入微带线5、输出微带线6连接，半圆形SIW谐振腔4的中心处设置有LTCC基板41。在本技术中，在介质基板1的上下表面分别设置覆铜板2和金属铜板3，覆铜板2上设置有半圆形SIW谐振腔4、输入微带线5和输出微带线6，半圆形SIW谐振腔4的中心处设置有LTCC基板41；本技术的结构具有小型化和插入损耗低、调谐速度快的特点。如图1所示，半圆形SIW谐振腔4上沿其圆周上设置有若干个金属化通孔42，该金属化通孔42是为基片集成波导式的。在本技术中，输入微带线5与半圆形SIW谐振腔4之间设置有第一L型槽7，输出微带线6与半圆形SIW谐振腔4之间设置有第二L型槽8，进一步，第一L型槽7与第二L型槽8对称设置，有利于共振波导；输入微带线5和输出微带线6为50欧姆的微带线，极大地减少了反射。在本技术中，LTCC基板41上设置有第一谐振器线圈411和第二谐振器线圈412，第一谐振器线圈和第二谐振器线圈对称设置，便于谐振。在本技术中，第一谐振器线圈411和第二谐振器线圈412的材质为银材质，便于谐振，以增大谐振频率。在本技术中，第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于基片集成波导的可调滤波器结构，其特征在于，包括介质基板及连接在所述介质基板的上表面的覆铜板和连接在所述介质基板的下表面的金属铜板；所述覆铜板的面积占所述介质基板的面积的一半，所述覆铜板上设置有半圆形SIW谐振腔、输入微带线和输出微带线，所述半圆形SIW谐振腔的两侧分别与所述输入微带线、输出微带线连接，所述半圆形SIW谐振腔的中心处设置有LTCC基板。

【技术特征摘要】
1.一种基于基片集成波导的可调滤波器结构，其特征在于，包括介质基板及连接在所述介质基板的上表面的覆铜板和连接在所述介质基板的下表面的金属铜板；所述覆铜板的面积占所述介质基板的面积的一半，所述覆铜板上设置有半圆形SIW谐振腔、输入微带线和输出微带线，所述半圆形SIW谐振腔的两侧分别与所述输入微带线、输出微带线连接，所述半圆形SIW谐振腔的中心处设置有LTCC基板。2.根据权利要求1所述的一种基于基片集成波导的可调滤波器结构，其特征在于，所述半圆形SIW谐振腔上沿其圆周上设置有若干个金属化通孔。3.根据权利要求1所述的一种基于基片集成波导的可调滤波器结构，其特征在于，所述输入微带线与所述半圆形SIW谐振腔之间设置有第一L型槽，所述输出微带线与所述半圆形SIW谐振腔之间设置有第二L型槽。4.根据权利要求3所述的一种基于基片集成波导的可调滤波器结构，其特征在于，所述第一L型槽与所述第二L型槽对称设置。5.根据权利要求1所述的一种基于基片集成波导的可调滤波器结构，其特征在于，所述LTCC基板上设置有第一谐振器线圈和第二谐振器线圈。6.根据权利要求5所述的一种基于基片集成波导的可...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐伟桓，李元勋，徐自强，苏桦，陈加旺，
申请(专利权)人：江西国创产业园发展有限公司，东莞成启瓷创新材料有限公司，
类型：新型
国别省市：江西,36