线圈组件制造技术

提供了一种线圈组件。所述线圈组件包括主体和外电极，所述主体包括：支撑构件，包含通孔；第一绝缘层，被所述支撑构件支撑，并包括第一开口部；第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层上，并包括第二开口部；以及线圈，包括填充在所述第一开口部和所述第二开口部中的线圈图案，所述外电极设置在所述主体的外表面上。

【技术实现步骤摘要】
线圈组件本申请要求于2017年12月11日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0169388号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
本公开涉及一种线圈组件，更具体地，涉及一种有利于高电感和小型化的薄膜型功率电感器。
技术介绍
根据信息技术(IT)的发展，设备已经迅速小型化和纤薄化。因此，对小且纤薄的装置的市场需求已经增加。顺应于技术趋势，第10-1999-0066108号韩国专利特开公布提供了一种功率电感器，所述功率电感器包括具有通路孔(viahole)的板以及设置在板的两个表面上且通过板的通路孔彼此电连接的线圈，从而致力于提供一种包括具有均匀的和高的高宽比的线圈的电感器。
技术实现思路
本公开的一方面可提供一种能够通过使电感器中的线圈图案具有细线宽而同时改善小型电感器的诸如Rdc特性等的电特性和可靠性的线圈组件。根据本公开的一方面，线圈组件可包括主体和外电极，所述主体包括：支撑构件，包括通孔；第一绝缘层，由所述支撑构件支撑，并与所述支撑构件的一个表面或另一表面接触；第二绝缘层，与所述支撑构件的一个表面或另一表面接触，并包括第一开口部和第二开口部；以及线圈，包括填充在所述第一绝缘层之间的线圈图案，并具有利用多个层组成的堆叠层，所述外电极设置在所述主体的外表面上。所述第一开口部可填充有所述第一绝缘层，所述第二开口部可填充有所述线圈图案。一种线圈组件包括主体以及外电极。所述主体包括：支撑构件，包括通孔；第一绝缘层，由所述支撑构件支撑，并包括第一开口部；第二绝缘层，由所述支撑构件支撑并设置在所述第一绝缘层的侧表面上，并包括第二开口部；以及线圈，包括填充在所述第一开口部和所述第二开口部中的线圈图案。所述外电极设置在所述主体的外表面上。所述线圈图案具有与所述支撑构件接触的下表面的线宽比与所述下表面相对的上表面的线宽窄的T形截面，并具有利用多个层组成的堆叠结构。所述多个层包括与所述支撑构件接触的薄膜导体层，所述薄膜导体层延伸到所述第二开口部的整个下表面以及所述第二开口部的两个侧表面的至少一部分。一种线圈组件包括主体和外电极。所述主体包括：支撑构件；第一绝缘层，从所述支撑构件延伸；第二绝缘层，从所述支撑构件延伸，并分别覆盖所述第一绝缘层的下部；以及线圈图案，填充所述第一绝缘层的上部之间的空间和所述第二绝缘层之间的空间。所述外电极设置在所述主体的外表面上，并电连接到所述线圈图案。所述线圈图案与所述第一绝缘层的所述上部直接接触，并通过所述第二绝缘层与所述第一绝缘层的所述下部分开。附图说明通过以下结合附图的详细的描述，本公开的以上和其它方面、特征和优点将被更清楚地理解，在附图中：图1是根据本公开中的示例性实施例的线圈组件的透视图；图2是沿图1的线I-I'截取的截面图；图3是图1和图2中示出的线圈组件的第一变型示例的截面图；以及图4是图1和图2中示出的线圈组件的第二变型示例的截面图。具体实施方式在下文中，将参照附图详细地描述本公开的示例性实施例。在下文中，将描述根据本公开中的示例性实施例的线圈组件，但不必限于此。图1是根据本公开中的示例性实施例的线圈组件的示意性透视图，图2是沿图1的线I-I'截取的截面图。参照图1和图2，线圈组件100可包括主体1和外电极2。外电极2可包括具有彼此不同极性的第一外电极21和第二外电极22。主体1可形成线圈组件100的外部，主体1可具有在厚度(T)方向上彼此相对的上表面和下表面、在长度(L)方向上彼此相对的第一端表面和第二端表面以及在宽度(W)方向上彼此相对的第一侧表面和第二侧表面，并且主体1可具有大致六面体的形状。主体1可包含具有磁性质的磁性材料11，本领域技术人员可根据目的适当地选择磁性材料。例如，磁性材料可以是铁氧体或者金属磁性颗粒分散于树脂中的金属树脂复合材料。线圈组件100的线圈部120可被磁性材料11包封，并包括支撑构件121、堆叠在支撑构件121上的第一绝缘层122和第二绝缘层123以及线圈图案124。支撑构件121可以是利用绝缘树脂形成的绝缘基板。可使用热固性树脂(诸如环氧树脂)、热塑性树脂(诸如聚酰亚胺)以及其中将诸如玻璃纤维或无机填料的增强材料浸渍在热固性树脂或热塑性树脂中的树脂(例如，半固化片、味之素积聚膜(ajinomotobuild-upfilm)(ABF)、FR-4、双马来酰亚胺三嗪(BT)树脂、可光成像介电(PID)树脂等)作为绝缘树脂。支撑构件121可具有薄的厚度，使得线圈图案124的厚度可在线圈组件100的有限厚度内增大。例如，支撑构件121的厚度可为大于等于大约10μm且小于60μm。支撑构件可包括通孔(through-hole)H和位于通孔H附近的通路孔V。通孔可填充有磁性材料11，通路孔V可填充有导电材料。原因是通孔H是用于增强由线圈产生的磁通量的空间，通路孔V是用于将位于支撑构件121上的上线圈图案和位于支撑构件121之下的下线圈图案彼此电连接的空间。第一绝缘层122可与支撑构件121的一个表面和另一表面接触。第一绝缘层122可以是用于使相邻的线圈图案彼此绝缘的构造，并在线圈图案124的镀覆生长中用作镀覆生长引导件。第一绝缘层122可包含永久型光敏绝缘树脂。原因可以是易于在支撑构件上层叠用于形成绝缘层的一个或更多个片型绝缘树脂，并且易于使用曝光和显影的方法来使层叠的片型绝缘树脂图案化，以具有具备期望的形状的线圈图案。本领域技术人员可对第一绝缘层122的线宽和厚度进行适当地选择。然而，根据线圈图案的高的高宽比，第一绝缘层122可具有优选地大于等于100μm且小于等于300μm的厚度，为了在线圈组件100的有限尺寸内增加线圈图案124的匝数，第一绝缘层122的线宽不超过15μm，并且考虑到工艺，可优选地为大于等于5μm。相对于第二绝缘层123的上表面，第一绝缘层122可被划分为在等于或低于第二绝缘层123的上表面的位置处的支撑部122b以及在高于第二绝缘层123的上表面的位置处的分隔部122a。支撑部122b和分隔部122a可仅基于第二绝缘层的上表面而被第二绝缘层的上表面的位置划分，但实际上，支撑部122b和分隔部122a可利用相同的材料形成，使得支撑部122b与分隔部122a之间的单独的界面不被必然地观察到。支撑部122b可完全填充第二绝缘层123的第一开口部123h1，并基本具有支撑部122b插设到第二绝缘层123的第一开口部123h1中的结构。在图2中，支撑部122b的线宽W1和分隔部122a的线宽W2可彼此基本相等。尽管未示出，但是在一些情况下，线宽相对厚的部分可形成在支撑部122b与分隔部122a之间的边界中，这是在工艺中由本领域技术人员确定的，但不是必需的。第二绝缘层123可设置在第一绝缘层的支撑部的两个侧表面处。第二绝缘层123可由支撑构件121支撑，并用于支撑第一绝缘层122。这里，第二绝缘层123可支撑第一绝缘层122，这意味着第二绝缘层123可使第一绝缘层122的设置稳定，以防止在工艺期间或使用中发生第一绝缘层122从支撑构件121倾斜或层离的问题。如上所述，由于第一绝缘层122具有相对高的高宽比，因此第一绝缘层122不被支撑构件121稳定地支撑，使得可能发生诸如倾斜、翘曲或层离等的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种线圈组件，包括：主体，所述主体包括：支撑构件，包括通孔；第一绝缘层，由所述支撑构件支撑，并包括第一开口部；第二绝缘层，由所述支撑构件支撑并设置在所述第一绝缘层的侧表面上，并包括第二开口部；以及线圈，包括填充在所述第一开口部和所述第二开口部中的线圈图案；以及外电极，设置在所述主体的外表面上，其中，所述线圈图案具有与所述支撑构件接触的下表面的线宽比与所述下表面相对的上表面的线宽窄的T形截面，并具有利用多个层组成的堆叠结构，并且所述多个层包括与所述支撑构件接触的薄膜导体层，所述薄膜导体层延伸到所述第二开口部的整个下表面以及所述第二开口部的两个侧表面的至少一部分。

【技术特征摘要】
2017.12.11 KR 10-2017-01693881.一种线圈组件，包括：主体，所述主体包括：支撑构件，包括通孔；第一绝缘层，由所述支撑构件支撑，并包括第一开口部；第二绝缘层，由所述支撑构件支撑并设置在所述第一绝缘层的侧表面上，并包括第二开口部；以及线圈，包括填充在所述第一开口部和所述第二开口部中的线圈图案；以及外电极，设置在所述主体的外表面上，其中，所述线圈图案具有与所述支撑构件接触的下表面的线宽比与所述下表面相对的上表面的线宽窄的T形截面，并具有利用多个层组成的堆叠结构，并且所述多个层包括与所述支撑构件接触的薄膜导体层，所述薄膜导体层延伸到所述第二开口部的整个下表面以及所述第二开口部的两个侧表面的至少一部分。2.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述多个层还包括基体层，所述基体层包含导电材料，并设置在所述线圈图案的所述薄膜导体层上。3.根据权利要求2所述的线圈组件，其中，所述基体层嵌在所述第二绝缘层的所述第二开口部中。4.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述支撑构件还包括通路孔。5.根据权利要求4所述的线圈组件，其中，所述通路孔的两个侧表面完全涂覆有所述薄膜导体层。6.根据权利要求5所述的线圈组件，其中，所述薄膜导体层延伸到所述支撑构件的连接到所述通路孔的上表面的一部分和下表面的一部分。7.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述支撑构件的厚度为大于等于10μm且小于60μm。8.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述第二绝缘层的厚度为大于等于5μm且小于等于20μm。9.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述第一绝缘层的厚度为大于等于100μm且小于等于300μm。10.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：文声敏，金澈淳，金愉钟，金东珉，崔令到，许泰宁，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR