甘薯脱毒苗在LED光下进行水培高效继代繁育的育苗方法技术

本发明专利技术公开了一种甘薯脱毒苗在LED光下进行高效继代繁育的水培育苗方法。所述育苗方法包括如下步骤：(1)取自甘薯组培脱毒苗的单茎节经水培生根培育得到甘薯脱毒幼苗；(2)于人工光环境下，甘薯脱毒幼苗经水培繁育后得到水培甘薯脱毒继代苗；(3)取水培甘薯脱毒继代苗的单茎节依次重复步骤(1)和步骤(2)，实现对甘薯脱毒幼苗的若干次继代繁育；(4)取经步骤(3)得到的水培甘薯脱毒继代苗的单茎节重复步骤(1)得到的甘薯脱毒幼苗，经水培成苗培育即得甘薯脱毒原种苗。本发明专利技术基于人工光可控环境提供的水培育苗方法，可以为甘薯脱毒继代苗的生长发育提供适宜的光、温、水、气、肥等主要环境条件，并可在任何时候、任何地点实现甘薯脱毒原种苗的周年计划性稳定生产。

High Efficient Subculture of Virus-free Sweet Potato Seedlings under LED Light

The invention discloses a water culture seedling method for efficient subculture of Virus-free Sweet Potato Seedlings under LED light. The seedling raising method comprises the following steps: (1) the virus-free seedling of sweet potato is obtained from the single stem node of the tissue-cultured virus-free seedling of sweet potato by hydroponic rooting; (2) the virus-free seedling of sweet potato is obtained by hydroponic propagation under artificial light environment; (3) the single stem node of the virus-free seedling of sweet potato is repeated in turn (1) and (2) to realize several times of virus-free seedling of sweet potato. Subculture; (4) Take the step (3) get the hydroponic virus-free subculture of sweet potato seedlings with single stem node repeat step (1) get the virus-free seedlings of sweet potato, through hydroponic seedling cultivation, the virus-free original seedlings of sweet potato can be obtained. The water seedling cultivation method based on artificial light controllable environment can provide suitable light, temperature, water, gas, fertilizer and other main environmental conditions for the growth and development of virus-free successive seedlings of sweet potato, and can realize annual planned and stable production of virus-free original seedlings of sweet potato at any time and anywhere.

【技术实现步骤摘要】
甘薯脱毒苗在LED光下进行水培高效继代繁育的育苗方法
本专利技术涉及一种甘薯脱毒苗的育苗方法，具体涉及甘薯脱毒苗在LED光下进行水培高效继代繁育的育苗方法，属于植物繁育

技术介绍
甘薯(DioscoreaesculentaL.)是以利用块根和匍匐茎进行无性繁殖为主的植物，在繁育过程中易发生变异，且易受病毒和病害的侵染，从而影响后期栽培的产量和品质。我国甘薯育苗技术目前存在一些缺陷：一是采取自留种育苗的传统甘薯育苗生产方式的生产效率低、品种退化严重；二是利用甘薯脱毒组培苗依次繁育原原种、原种、种薯的繁育方式存在周期长、种苗繁育效率低、较难彻底防控病毒与病害侵染的问题；三是即使甘薯种植户购买专业育苗户的甘薯脱毒秧苗，也存在缓苗时间长、成活率低、秧苗供应时间与种植时间不匹配等问题。为了解决甘薯种苗生产中存在的上述问题，甘薯水培育苗应运而生，并已有相关报道。相对于大棚基质直插育苗，甘薯水培育苗移栽后的成活率高、繁育效率高、育苗周期短、杜绝土传病害等技术优势已经得到证实。但是，目前的甘薯水培育苗方法多采用两茎节或多茎节扦插，种苗繁育效率还有待提高，育苗过程中常受到自然光和温度等不利环境影响，大多数方法只能在适宜季节生产甘薯脱毒苗。因此，现有的甘薯育苗方法受环境条件的限制较大，育苗周期较长、生产效率偏低、种苗品质差，不适用于甘薯脱毒原种苗繁育的标准化、规模化和工厂化生产。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种甘薯脱毒苗在LED光下进行水培高效继代繁育的育苗方法，本专利技术育苗方法能够提高甘薯脱毒苗的繁育效率和种苗品质，有效降低育苗劳动强度、隔离病害污染源，从而为甘薯脱毒原种苗的标准化、规模化和工厂化生产提供技术支撑。本专利技术所提供的甘薯脱毒原种苗的育苗方法，包括如下步骤：(1)取自甘薯组培脱毒苗的单茎节经水培生根培育后得到甘薯脱毒幼苗；(2)于人工光环境下，所述甘薯脱毒幼苗经水培培育后得到水培甘薯脱毒继代苗；(3)取所述水培甘薯脱毒继代苗的单茎节依次重复步骤(1)和步骤(2)，实现对所述甘薯脱毒幼苗的若干次继代繁育；(4)取经步骤(3)得到的水培甘薯脱毒继代苗的单茎节重复步骤(1)得到的甘薯脱毒幼苗，经水培成苗培育即得到甘薯脱毒原种苗。上述的育苗方法中，所述单茎节具有一片展开叶且叶腋以下长度为1.0～2.0cm，作为外植体。上述的育苗方法中，步骤(1)中，所述水培生根培育的时间为2～3天；所述水培生根培育的条件如下：第一天为暗期，之后为光照强度为20～100μmol/m2/s的弱光环境，可由LED光源提供；温度为20～25℃，相对湿度为70～80％。所述水培生根培育可在净化水中进行。上述的育苗方法中，步骤(2)中，所述人工光为LED光源；所述LED光源的波长为300～800nm，所述LED光源的红色光与蓝色光的比率为0.5～4.0，具体可为0.9～2.2、0.9～1.2或1.2～2.2，能满足甘薯组培脱毒苗正常生长发育所需的光照环境。所述LED光源的红色光与蓝色光的比率即红蓝光配比，指的是波长为600～699nm的红色光与波长为400～499nm的蓝色光的光量子通量的比值；具体地，本专利技术中，所述LED光源可以为全部由白色LED灯珠组成的光源，如全部由6000K白色LED灯珠组成的红蓝光配比为0.9的LED(W-LED-0.9)光源；所述LED光源还可以为白色LED灯珠和红色LED灯珠组成的光源，如由6000K白色LED灯珠和660nm红色LED灯珠配比为5/1组成的红蓝光配比为1.2的LED(WR-LED-1.2)光源或由6000K白色LED灯珠和660nm红色LED灯珠配比为5/3组成的红蓝光配比为2.2的LED(WR-LED-2.2)光源。上述的育苗方法中，步骤(2)中，所述LED光源的光照强度可为150～350μmol/m2/s，优选为150～200μmol/m2/s或200μmol/m2/s，光照周期为10～20h/d，优选为16h/d。上述的育苗方法中，步骤(2)中，所述水培培育的时间为3～4周，即能得到具有8～12片功能叶且根系健壮的水培甘薯脱毒继代苗。上述的育苗方法中，步骤(3)中，进行5～8次继代繁育，即可以获得大量的甘薯脱毒继代苗。上述的育苗方法中，步骤(4)中，所述水培成苗培育在所述LED光源的环境下进行；所述LED光源的光照强度为150～350μmol/m2/s，优选为150～200μmol/m2/s或200μmol/m2/s；光照周期为10～20h/d；所述水培成苗培育的时间为2～3周，即可形成具有4～6片功能叶且根系健壮的水培甘薯脱毒苗，可作为甘薯脱毒原种苗出苗；所述水培成苗培育的条件如下：温度为20～25℃，相对湿度为65～70％。上述的育苗方法中，步骤(2)中所述水培过程和步骤(4)中所述水培成苗过程的营养液均可采用本领域常规的营养液配方，如日本园试配方。本专利技术在人工光可控环境下以水培扦插方式培育甘薯脱毒苗，可以有效地切断病原传播途径，实现甘薯优质种苗的高效清洁繁育。本专利技术以脱毒甘薯单茎节为外植体在人工光可控环境下进行多次继代繁育，在短时间内获得大量的脱毒甘薯幼苗，有效地提高了甘薯脱毒苗的繁育效率，操作简单，能显著地降低育苗劳动强度。本专利技术利用LED光源为甘薯脱毒苗的生根培育、继代繁育和成苗培育提供适宜的光照环境，可以有效地调控其在各阶段的生长速度，有利于甘薯脱毒原种苗的标准化、规模化和工厂化生产。本专利技术基于人工光可控环境提供的甘薯脱毒苗在LED光下进行高效继代繁育的水培育苗方法，可以为甘薯脱毒继代苗的生长发育提供适宜的光、温、水、气、肥等主要环境条件，并可在任何时候、任何地点实现甘薯脱毒原种苗的周年计划性稳定生产。附图说明图1为本专利技术甘薯脱毒苗水培高效继代繁育的流程图。图2为水培甘薯脱毒继代苗LED光环境下的生长过程。具体实施方式下述实施例中所使用的实验方法如无特殊说明，均为常规方法。下述实施例中所用的材料、试剂等，如无特殊说明，均可从商业途径得到。实施例1、选用大小均匀一致，有1片展开叶的品种为红花的水培甘薯脱毒继代苗的单茎节(叶腋以下长度约为1.0～2.0cm)扦插于浸润海绵块中，第一天为暗期，然后在LED光环境下(光照强度为20μmol/m2/s，光照周期为16h/d)采用净化水进行水培生根诱导，温度为20～25℃，相对湿度为70～80％，3天后采用日本园试配方营养液进行水培繁育，得到水培甘薯脱毒继代苗。其中，日本园试配方营养液配置时使用去离子水，其主要组成为硝酸钾(KNO3)：808mg/L、硝酸钙(Ca(NO3)2·4H2O)：944mg/L、磷酸二氢铵(NH4H2PO4)：152mg/L、硫酸镁(MgSO4)：492mg/L、螯合铁(Na2Fe7-EDTA)：22.55mg/L、硼酸(H3BO3)：2.86mg/L、硫酸锰(MnSO4·4H2O)：1.54mg/L、硫酸锌(ZnSO4·7H2O)：0.22mg/L、硫酸铜(CuSO4·5H2O)：0.08mg/L、钼酸铵((NH4)6Mo7O24·4H2O)：0.02mg/L。营养液配置后的工作液EC值需调至2.2～2.5mS/cm，pH值调至6.0～6.5。在3种LED光源下分别对甘薯脱毒幼苗进行水培繁育，L本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种甘薯脱毒苗的育苗方法，包括如下步骤：(1)取自甘薯组培脱毒苗的单茎节经水培生根培育后得到甘薯脱毒幼苗；(2)于人工光环境下，所述甘薯脱毒幼苗经水培培育得到水培甘薯脱毒继代苗；(3)取所述水培甘薯脱毒继代苗的单茎节依次重复步骤(1)和步骤(2)，实现对所述甘薯脱毒幼苗的若干次继代繁育；(4)取经步骤(3)得到的水培甘薯脱毒继代苗的单茎节重复步骤(1)得到的甘薯脱毒幼苗，经水培成苗培育即得到甘薯脱毒原种苗。

【技术特征摘要】
1.一种甘薯脱毒苗的育苗方法，包括如下步骤：(1)取自甘薯组培脱毒苗的单茎节经水培生根培育后得到甘薯脱毒幼苗；(2)于人工光环境下，所述甘薯脱毒幼苗经水培培育得到水培甘薯脱毒继代苗；(3)取所述水培甘薯脱毒继代苗的单茎节依次重复步骤(1)和步骤(2)，实现对所述甘薯脱毒幼苗的若干次继代繁育；(4)取经步骤(3)得到的水培甘薯脱毒继代苗的单茎节重复步骤(1)得到的甘薯脱毒幼苗，经水培成苗培育即得到甘薯脱毒原种苗。2.根据权利要求1所述的育苗方法，其特征在于：所述单茎节具有一片展开叶且叶腋以下长度为1.0～2.0cm。3.根据权利要求1或2所述的育苗方法，其特征在于：步骤(1)中，所述水培生根培育的时间为2～3天；所述水培生根培育的条件如下：第一天为暗期，之后为光照强度为20～100μmol/m2/s的弱光环境；温度为20～25℃，相对湿度为70～80％。4.根据权利要求1-3中任一项所述的育苗...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨珀，孙璇，郑建锋，贺秋仙，
申请(专利权)人：北京盛阳谷科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11