避免导电介质中的传感器内的杂散电流制造技术

技术编号:21379087 阅读:36 留言:0更新日期:2019-06-19 01:50
本发明专利技术涉及一种避免导电介质中的传感器内的杂散电流。提供了一种传感器。该传感器包括具有侧壁的导电衬底;覆盖导电衬底的第一表面的电介质层,该电介质层包括具有第一厚度的栅电介质和具有第二厚度的场电介质;覆盖栅电介质的第一表面的感测层;非导电载体,其中导电衬底的第二表面覆盖非导电载体的一部分;以及至少共形地涂覆导电衬底的侧壁的绝缘层,其中感测层的第一表面不被绝缘层涂覆。

Avoiding Stray Current in Sensors in Conductive Media

The present invention relates to a method for avoiding stray current in a sensor in a conductive medium. A sensor is provided. The sensor includes a conductive substrate with a side wall; a dielectric layer covering the first surface of the conductive substrate, which includes a gate dielectric with a first thickness and a field dielectric with a second thickness; a sensing layer covering the first surface of the gate dielectric; a non-conductive carrier, in which the second surface of the conductive substrate covers a part of the non-conductive carrier; and at least conformally. An insulating layer on the side wall of a conductive substrate is coated, in which the first surface of the sensing layer is not coated by the insulating layer.

【技术实现步骤摘要】
避免导电介质中的传感器内的杂散电流
技术介绍
当传感器和集成电路浸入导电流体中时,不需要的电流会流动,扰乱设备的运行。例如,将pH传感器和电路浸入导电流体(海水)中。由于管芯分离步骤(例如锯),传感器的器件侧壁被暴露并为未钝化的。而后,电流可从暴露的侧壁流入传感器的电路中。当前可获取的pH传感器使用O-环或环氧化物从侧壁密封导电流体。但是,使用在深度远远超过1公里的海洋中的pH传感器有故障。特别地,深海的高压导致O-环或环氧化物故障。这种故障通过重复的压力循环而加剧。O-环或环氧化物的故障使得导电流体渗漏,并且电流从器件的未钝化暴露侧壁流动。
技术实现思路
本文描述了不受杂散电流影响的传感器以及制作不受杂散电流影响的传感器的方法,并且通过阅读和学习以下的说明书将理解该不受杂散电流影响的传感器以及制作不受杂散电流影响的传感器的方法。本申请涉及传感器。所述传感器包括具有侧壁的导电衬底;覆盖导电衬底的第一表面的电介质层,该电介质层包括具有第一厚度的栅电介质和具有第二厚度的场电介质;覆盖栅电介质的第一表面的感测层;非导电载体,其中导电衬底的第二表面覆盖非导电载体的一部分;以及至少共形地涂覆导电衬底的侧本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种传感器(10),其包括:具有侧壁(135)的导电衬底(130);覆盖所述导电衬底(130)的第一表面(131)的电介质层(120),所述电介质层(120)包括具有第一厚度(t1)的栅电介质(121)和具有第二厚度(t2)的场电介质(122);覆盖所述栅电介质(121)的第一表面(223)的感测层(110);非导电载体(140),其中所述导电衬底(130)的第二表面(132)覆盖所述非导电载体(140)的一部分(144);以及至少共形地涂覆所述导电衬底(130)的侧壁(135)的绝缘层(100),其中所述感测层(110)的第一表面(111)不被所述绝缘层(100)涂覆。

【技术特征摘要】
2014.08.19 US 14/4630871.一种传感器(10),其包括:具有侧壁(135)的导电衬底(130);覆盖所述导电衬底(130)的第一表面(131)的电介质层(120),所述电介质层(120)包括具有第一厚度(t1)的栅电介质(121)和具有第二厚度(t2)的场电介质(122);覆盖所述栅电介质(121)的第一表面(223)的感测层(110);非导电载体(140),其中所述导电衬底(130)的第二表面(132)覆盖所述非导电载体(140)的一部分(144);以及至少共形地涂覆所述导电衬底(130)的...

【专利技术属性】
技术研发人员:R·J·卡尔森T·E·诺哈拉
申请(专利权)人:霍尼韦尔国际公司
类型:发明
国别省市:美国,US

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