一种片式钽电容器用钽芯子及其阴极的制备方法和片式钽电容器技术

技术编号:21365857 阅读:24 留言:0更新日期:2019-06-15 10:18
本发明专利技术公开了一种片式钽电容器用钽芯子及其阴极的制备方法和片式钽电容器,该钽芯子阴极的制备方法包括:包括:配制4~8组比重为1.0g/cm

A preparation method of tantalum core and cathode for chip tantalum capacitor and chip tantalum capacitor

The invention discloses a preparation method of a tantalum core and cathode for a chip tantalum capacitor and a chip tantalum capacitor. The preparation method of the tantalum core cathode includes: preparing 4 to 8 groups of specific gravity of 1.0g/cm;

【技术实现步骤摘要】
一种片式钽电容器用钽芯子及其阴极的制备方法和片式钽电容器
本专利技术涉及电容器制造
,具体而言,涉及一种片式钽电容器用钽芯子及其阴极的制备方法和片式钽电容器。
技术介绍
钽电容器是1956年由美国贝尔实验室首先研制成功的,它的性能优异,是所有电容器中体积小而又能达到较大容量的产品。钽电容器可以在温度变化剧烈的条件下正常地工作且它的体积小、容量大因此广泛应用于计算机、雷达、导弹、超音速飞机、自动控制装置等电子线路中,随着便携电脑、汽车移动电话、摄像机、高级轿车产量的急剧增加,对钽电容器的需求将更加旺盛,今后钽电容器向小型化、高可靠性和低的等效串联电阻(ESR)方向发展。钽电容器拥有超低的ESR在高频时增强了容量的保持能力,使电路设计者在实现方案设计时可以减少使用电容器的个数,从而导致成本的减少。目前片式钽电容器的钽芯子的阴极层的制备工艺中需要添加易爆的硝酸铵,不仅增加操作中的危险性而且很难得到超低等效串联电阻(ESR)及降低了片式钽电容器的钽芯子的可靠性。因此探索更为有效的方法,以制备具有超低等效串联电阻(ESR)及高可靠性的片式钽电容器用钽芯子已成为一个重要发展趋势。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术提供的一种片式钽电容器用钽芯子及其阴极的制备方法和片式钽电容器,更好地克服了上述现有技术存在的问题和缺陷,通过配制4~8组比重为1.0g/cm3~2.3g/cm3的硝酸锰溶液,每组硝酸锰溶液的比重均不相同,且其中有1~3组的硝酸锰溶液的比重为1.5g/cm3~1.9g/cm3,且在比重为1.5g/cm3~1.9g/cm3的硝酸锰溶液中添加非离子型表面活性剂;然后将阳极钽芯在每组硝酸锰溶液中连续浸渍1~5次,每浸渍一次,立即将浸渍后的钽芯进行高温水汽热分解,形成空心状二氧化锰阴极层,该空心状二氧化锰阴极层在受到外部机械应力冲击时或瞬间大电流冲击时可以很好地起到缓冲的作用,降低片式钽电容器用钽芯子所受到的应力伤害,使片式钽电容器用钽芯子的抗机械应力或抗大电流冲击力大大增强,有助于提高片式钽电容器用钽芯子的稳定性及可靠性。同时,这种独特的空心状二氧化锰结构增大了片式钽电容器用钽芯子的比表面积,使片式钽电容器用钽芯子具有超低等效串联电阻(ESR)。一种片式钽电容器用钽芯子阴极的制备方法,包括:配制4~8组比重为1.0g/cm3~2.3g/cm3的硝酸锰溶液,每组硝酸锰溶液的比重均不相同,且其中有1~3组的硝酸锰溶液的比重为1.5g/cm3~1.9g/cm3,且在比重为1.5g/cm3~1.9g/cm3的硝酸锰溶液中添加非离子型表面活性剂;将阳极钽芯在每组硝酸锰溶液中连续浸渍1~5次,每浸渍一次,立即将浸渍后的钽芯进行高温水汽热分解,形成空心状二氧化锰阴极层。进一步地,所述非离子型表面活性剂为聚乙烯醇、乙二醇和聚乙二醇中的至少一种。进一步地,添加有非离子型表面活性剂的硝酸锰溶液中非离子型表面活性剂的含量为1~10wt%。进一步地,每次浸渍的时间为5~15min,阳极钽芯在硝酸锰溶液中的浸渍深度为阳极钽芯的高度的2/5~4/5,每组硝酸锰溶液的温度为40~60℃。进一步地,所述高温水汽热分解过程中:热分解温度为250~350℃;气压为0.01~0.06Mpa;热分解时间为5~15min。进一步地,所述制备方法还包括:将形成好空心状二氧化锰阴极层的钽芯子置于形成液中并进行通电。进一步地,所述形成液为冰乙酸。进一步地,所述通电时间为10~60min;所述通电电压为额定电压的1.3~2.5倍。本专利技术还提供了一种片式钽电容器用钽芯子包括由上述的片式钽电容器用钽芯子阴极的制备方法制备得到钽芯子阴极。本专利技术还提供了一种片式钽电容器,包括上述的片式钽电容器用钽芯子。与现有技术相比,本专利技术的一种片式钽电容器用钽芯子及其阴极的制备方法和片式钽电容器的有益效果是:本专利技术通过配制4~8组比重为1.0g/cm3~2.3g/cm3的硝酸锰溶液,每组硝酸锰溶液的比重均不相同,且其中有1~3组的硝酸锰溶液的比重为1.5g/cm3~1.9g/cm3,且在比重为1.5g/cm3~1.9g/cm3的硝酸锰溶液中添加非离子型表面活性剂;然后将阳极钽芯在每组硝酸锰溶液中连续浸渍1~5次,每浸渍一次,立即将浸渍后的钽芯进行高温水汽热分解,形成空心状二氧化锰阴极层;一方面该制备过程无需添加硝酸铵,降低工艺操作中的危险性;另一方面该空心状二氧化锰阴极层在受到外部机械应力冲击时或瞬间大电流冲击时可以很好地起到缓冲的作用,降低片式钽电容器用钽芯子所受到的应力伤害,使片式钽电容器用钽芯子的抗机械应力或抗大电流冲击力大大增强,有助于提高片式钽电容器用钽芯子的稳定性及可靠性。同时,这种独特的空心状二氧化锰结构增大了片式钽电容器用钽芯子的比表面积,使片式钽电容器用钽芯子具有了超低等效串联电阻(ESR)。综上所述,本专利技术的片式钽电容器用钽芯子具有上述诸多的优点及实用价值,并在同类产品中未见有类似的方法公开发表或使用而确属创新,产生了好用且实用的效果,较现有的技术具有增进的多项功效,从而较为适于实用,并具有广泛的产业价值。为使本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举较佳实施例,作详细说明如下。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1为本专利技术实施例1的空心状二氧化锰阴极层的SEM图;图2为对比例1的二氧化锰阴极层的SEM图。具体实施方式为了便于理解本专利技术,下面结合实施例的方式对本专利技术的技术方案做详细说明,在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似改进,因此本专利技术不受下面公开的具体实施的限制。除非另有限定,本文使用的所有技术以及科学术语具有与本专利技术所属领域普通技术人员通常理解的相同的含义。当存在矛盾时,以本说明书中的定义为准。如本文所用之术语:本文中所用的术语“包含”、“包括”、“具有”、“含有”或其任何其它变形,意在覆盖非排它性的包括。例如,包含所列要素的组合物、步骤、方法、制品或装置不必仅限于那些要素,而是可以包括未明确列出的其它要素或此种组合物、步骤、方法、制品或装置所固有的要素。连接词“由……组成”排除任何未指出的要素、步骤或组分。如果用于权利要求中,此短语将使权利要求为封闭式,使其不包含除那些描述的材料以外的材料,但与其相关的常规杂质除外。当短语“由……组成”出现在权利要求主体的子句中而不是紧接在主题之后时,其仅限定在该子句中描述的要素;其它要素并不被排除在作为整体的所述权利要求之外。当量、浓度、或者其它值或参数以范围、优选范围、或一系列上限优选值和下限优选值限定的范围表示时,这应当被理解为具体公开了由任何范围上限或优选值与任何范围下限或优选值的任一配对所形成的所有范围,而不论该范围是否单独公开了。例如,当公开了范围“1~5”时,所描述的范围应被解释为包括范围“1~4”、“1~3”、“1~2”、“1~2和4~5”、“本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种片式钽电容器用钽芯子阴极的制备方法,其特征在于:包括:配制4~8组比重为1.0g/cm

【技术特征摘要】
1.一种片式钽电容器用钽芯子阴极的制备方法,其特征在于:包括:配制4~8组比重为1.0g/cm3~2.3g/cm3的硝酸锰溶液,每组硝酸锰溶液的比重均不相同,且其中有1~3组的硝酸锰溶液的比重为1.5g/cm3~1.9g/cm3,且在比重为1.5g/cm3~1.9g/cm3的硝酸锰溶液中添加非离子型表面活性剂;将阳极钽芯在每组硝酸锰溶液中连续浸渍1~5次,每浸渍一次,立即将浸渍后的钽芯进行高温水汽热分解,形成空心状二氧化锰阴极层。2.根据权利要求1所述的片式钽电容器用钽芯子阴极的制备方法,其特征在于:所述非离子型表面活性剂为聚乙烯醇、乙二醇和聚乙二醇中的至少一种。3.根据权利要求1所述的片式钽电容器用钽芯子阴极的制备方法,其特征在于:添加有非离子型表面活性剂的硝酸锰溶液中非离子型表面活性剂的含量为1~10wt%。4.根据权利要求1所述的片式钽电容器用钽芯子阴极的制备方法,其特征在于:每次浸渍的时间为5~15min,阳极钽芯在硝酸锰溶液中的浸渍深...

【专利技术属性】
技术研发人员:李美霞曹烜鄢波王富权
申请(专利权)人:中国振华集团新云电子元器件有限责任公司国营第四三二六厂
类型:发明
国别省市:贵州,52

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