The invention belongs to the field of high purity gas purification, in particular to an ultra-high purity xenon and krypton purification system and a purification method. The purification system consists of raw gas cylinders, which store raw gas. The raw gas cylinders are connected to the heating chamber. The heating chamber is equipped with an insulating layer outside the heating chamber. The heating chamber is connected with the bottom of the catalytic chamber. The catalytic chamber is equipped with catalysts and the catalytic chamber is connected with the adsorption chamber. The adsorption chamber is equipped with a baffle. The adsorption chamber is separated into labyrinth channels and the adsorption chamber is equipped with adsorption chamber. The sorption chamber is connected with the suction chamber, the metal suction chamber is arranged in the suction chamber, the baffle is arranged in the suction chamber, the suction chamber is separated into labyrinth channels, and the suction chamber is connected with the analyzer. The components are connected through the air flow pipeline with valves. The method combines three principles of catalytic oxidation, chemical reaction and physical adsorption to purify the raw gas in depth and remove C5 from xenon and krypton gases. Upper hydrocarbon components and fluorides reach ultra-high purity level, meeting the technical requirements of xenon and krypton for electric propulsion.
【技术实现步骤摘要】
一种超高纯氙、氪纯化系统及纯化方法
本专利技术属于高纯气体纯化领域,尤其是涉及一种超高纯氙、氪纯化系统及纯化方法。
技术介绍
电推进作为空间电推进技术中的一种,广泛应用于空间推进,如航天器姿态控制、位置保持、轨道机动和星际飞行等。电推进系统使用的推进剂一般为氙气、氪气等惰性气体,气体的纯度是保证电推进的推力、比冲、效率及寿命的技术关键。氙、氪中的杂质水、氧含量超标容易造成电推进系统的阴极氧化,导致其寿命受损;碳化物、氟化物等有害杂质易沉积覆盖于发射体表面,将直接影响电推进的推力、比冲和效率。氙气和氪气中的杂质主要有氮、氧、氢、一氧化碳、二氧化碳、甲烷、六氟乙烷、四氟化碳等。目前在净化氙气和氪气的方法中,主要有采用活性炭分离、逐级富集纯化,以及浓缩、换热汽化、反应后净化吸附的方式。对于超高纯氙、氪气中的低含量杂质气体的纯化去除方面,则没有成熟的工艺报道。
技术实现思路
为解决上述技术问题,本专利技术提供了一种超高纯氙、氪纯化系统及纯化方法。本专利技术完整的技术方案包括:一种超高纯氙、氪纯化系统,该系统包括原料气钢瓶,加热室,催化室,吸附室,吸气室,分析仪,上述各部件依次通过带阀门的气流管路连接;其中,加热室外设有保温层,保温层外设有加热层;催化室内有催化剂,吸附室内设有吸附剂,吸气室内设有金属吸气剂。优选的,加热室外的加热层中设置有电阻加热丝;优选的,加热室连接催化室底部;优选的,吸附室内设有隔板,将吸附室隔成迷宫状通道;优选的,吸气室内设有隔板,将整个吸气室隔成迷宫状通道。根据上述系统,专利技术人专利技术了一种超高纯氙、氪纯化方法,具体包括如下步骤:开启阀门, ...
【技术保护点】
1.一种超高纯氙、氪纯化系统,其特征在于,该系统包括原料气钢瓶(1),加热室(2),催化室(5),吸附室(7),吸气室(10),分析仪(13),上述各部件依次通过带阀门(15)的气流管路(14)连接;其中,加热室(2)外设有保温层(3),保温层(3)外设有加热层(4);催化室(5)内有催化剂(6),吸附室(7)内设有吸附剂(9),吸气室(10)内设有金属吸气剂(11)。
【技术特征摘要】
1.一种超高纯氙、氪纯化系统,其特征在于,该系统包括原料气钢瓶(1),加热室(2),催化室(5),吸附室(7),吸气室(10),分析仪(13),上述各部件依次通过带阀门(15)的气流管路(14)连接;其中,加热室(2)外设有保温层(3),保温层(3)外设有加热层(4);催化室(5)内有催化剂(6),吸附室(7)内设有吸附剂(9),吸气室(10)内设有金属吸气剂(11)。2.根据权利要求1所述的一种超高纯氙、氪纯化系统,其特征在于,加热室(2)外的加热层(4)中设置有电阻加热丝。3.一种超高纯氙、氪纯化系统,其特征在于,加热室(2)连接催化室(5)底部。4.一种超高纯氙、氪纯化系统,其特征在于,吸附室(7)内设有隔板(8),将吸附室(7)隔成迷宫状通道。5.一种超高纯氙、氪纯化系统,其特征在于,吸气室(10)内设有隔板(12),将整个吸气室(10)隔成迷宫状通道。6.一种利用权利要求1所述系统的超高纯氙、氪纯化方法,其特征在于,具体包括如下步骤:开启阀门,原料气从原料气钢瓶进入加热室,开启加热层中的电阻加热丝开始加热,将加热室温度加热至380~420℃,随后经管道从底部进入催化室,控制进入...
【专利技术属性】
技术研发人员:荀其宁,张文申,许峰,邓卫华,赵晓刚,侯倩倩,刘霞,毛如增,任万杰,王鹏,
申请(专利权)人:山东非金属材料研究所,
类型:发明
国别省市:山东,37
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。