The utility model discloses a power supply switching circuit, which comprises a level switching driving circuit composed of a first power supply voltage terminal VIN, a second power supply voltage terminal VOUT and a power supply voltage switching output terminal VDD, a N-type high voltage MOS tube, a voltage clamping circuit and a P-type high voltage MOS tube. The level switching driving circuit, the voltage clamping circuit and the switching circuit are all provided. Connected to the same voltage node, the level switching driving circuit controls the switching output voltage of the first power supply voltage terminal VIN or the second power supply voltage terminal VOUT according to the voltage comparison results of the input first power supply voltage terminal VIN and the second power supply voltage terminal VOUT and the voltage clamping effect of the voltage clamping circuit, and ensures the P-type high voltage MOSFET. The voltage withstand value of the gate source end of the N-type high voltage MOS tube does not exceed the voltage withstand value of the gate source end of the low voltage MOS tube.
【技术实现步骤摘要】
电源切换电路
本技术涉及开关电源
，具体涉及一种基于BCD制程工艺的DC-DC变换器的，使用高漏源耐压的高压MOS管的电源切换电路。
技术介绍
DC-DC转换器广泛地应用于便捷式电子设备中。Buck-Boost(升降压)DC-DC(直流转换器)根据输入电压VIN与输出电压VOUT之间的关系划分不同的工作模式，当VIN大于VOUT时，系统处于Buck(降压)模式；当VIN约等于VOUT时，系统工作在Buck-Boost(升降压)模式；当VIN小于VOUT时，系统工作在Boost(升压)模式下。由于现在便携式电子设备中的BOOST电路常采用集成功率管的同步技术设计，所以，在现有的开关电源产品中，当系统处于不同的工作模式下，通过一个电源供电切换电路来统一子模块的供电，但这一类切换电路往往增大DC-DC芯片的面积，增加芯片成本。另一方面，目前电源产品的制造工艺通常为BCD工艺，此工艺含bipolar、CMOS、DMOS以及常用的电阻电容器件，其中高压MOS管常用于承受电路中的高压部分。虽然高压MOS管的漏源端可以承受电路中的高压部分，但是其栅源端的耐压值还是低压MO...
【技术保护点】
1.电源切换电路,该电源切换电路具有第一电源电压端(VIN)、第二电源电压端(VOUT)和电源电压切换输出端（VDD），其中，第一电源电压端(VIN)接入DC‑DC变换器的输入电压，第二电源电压端(VOUT) 接入DC‑DC变换器的输出电压，电源电压切换输出端（VDD）用于为DC‑DC变换器的子电路模块提供供电电压，其特征在于，所述电源切换电路包括由N型高压MOS管所组成的电平切换驱动电路、电压钳位电路和由P型高压MOS管构成的开关电路，所述电平切换驱动电路、所述电压钳位电路和所述开关电路都连接于第一电压节点（A）和第二电压节点（B）；所述电平切换驱动电路，用于根据第一电源...
【技术特征摘要】
1.电源切换电路,该电源切换电路具有第一电源电压端(VIN)、第二电源电压端(VOUT)和电源电压切换输出端（VDD），其中，第一电源电压端(VIN)接入DC-DC变换器的输入电压，第二电源电压端(VOUT)接入DC-DC变换器的输出电压，电源电压切换输出端（VDD）用于为DC-DC变换器的子电路模块提供供电电压，其特征在于，所述电源切换电路包括由N型高压MOS管所组成的电平切换驱动电路、电压钳位电路和由P型高压MOS管构成的开关电路，所述电平切换驱动电路、所述电压钳位电路和所述开关电路都连接于第一电压节点（A）和第二电压节点（B）；所述电平切换驱动电路，用于根据第一电源电压端(VIN)的电压和第二电源电压端(VOUT)的电压比较结果调节所述N型高压MOS管的漏极电压，并配合所述电压钳位电路对第一电压节点（A）和第二电压节点（B）的电压钳位作用，控制所述开关电路中所述的P型高压MOS管的导通与截止，以实现在电源电压切换输出端（VDD）完成切换输出第一电源电压端(VIN)的电压或第二电源电压端(VOUT)的电压的同时，保证所述P型高压MOS管和所述N型高压MOS管的栅源端的耐压值不超过低压MOS管的栅源端的耐压值。2.根据权利要求1所述电源切换电路，其特征在于，所述开关电路包括第一P型高压MOS管（P1）和第二P型高压MOS管（P2），其中，第一P型高压MOS管（P1）的漏极连接第二电源电压端(VOUT)，第二P型高压MOS管（P2）的漏极连接第一电源电压端(VIN)，第一P型高压MOS管（P1）的源极和第二P型高压MOS管（P2）的源极都连接到电源电压切换输出端(VDD)，第一P型高压MO...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘鑫，
申请(专利权)人：珠海市一微半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44
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