基于晶体管的抗干扰电路及其晶体管应用电路制造技术

本实用新型专利技术公开了基于晶体管的抗干扰电路及其晶体管应用电路。基于晶体管的抗干扰电路包括：晶体管、驱动模块和限流模块；所述驱动模块的第一输出端与所述晶体管的驱动端连接，所述驱动模块的第二输出端和所述限流模块的第一端共接并与所述晶体管的低电位端连接；所述驱动模块的输入端用于接入驱动信号，所述驱动模块的输入端还用于与其他抗干扰电路中驱动模块的输入端连接；所述限流模块的第二端接驱动地，所述限流模块的第二端还用于与其他抗干扰电路中限流模块的第二端连接。本实用新型专利技术消除了晶体管低电位端的杂散电感引起的驱动回路过流导致驱动回路烧毁，从而引起晶体管失效，保护晶体管安全性能。

Anti-interference Circuit Based on Transistor and Its Transistor Application Circuit

The utility model discloses a transistor-based anti-interference circuit and a transistor application circuit. The transistor-based anti-interference circuit comprises a transistor, a driving module and a current limiting module; the first output terminal of the driving module is connected to the driving end of the transistor, the second output terminal of the driving module and the first end of the current limiting module are joined together and connected to the low potential end of the transistor; the input terminal of the driving module is used to access the driving signal, and the driving end is connected to the low potential end of the transistor. The input end of the module is also used to connect with the input end of the driving module in other anti-jamming circuits, and the second end of the current limiting module is connected with the drive end, and the second end of the current limiting module is also used to connect with the second end of the current limiting module in other anti-jamming circuits. The utility model eliminates the over-current of the driving circuit caused by stray inductance at the low potential end of the transistor, which causes the burning of the driving circuit, thereby causing the failure of the transistor and protecting the safety performance of the transistor.

【技术实现步骤摘要】
基于晶体管的抗干扰电路及其晶体管应用电路
本技术涉及晶体管
，尤其涉及基于晶体管的抗干扰电路及其晶体管应用电路。
技术介绍
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。杂散电感是指由电路中的导体如：连接导线、元件引线、元件本体等呈现出来的等效电感。杂散电感会使IGBT的集、射极之间产生较高的电压尖峰，从而造成较大的电磁干扰，甚至导致绝缘栅双极性晶体管损坏。IGBT晶体管并联时，布线中杂散电感存在，杂散电感容易造成晶体管驱动回路过流烧毁，引起IGBT失效，导致并联的IGBT晶体管安全性能差。
技术实现思路
本技术实施例提供了基于晶体管的抗干扰电路及其晶体管应用电路，旨在解决现有技术中杂散电感影响晶体管安全性能的问题。本技术实施例第一方面提供了基于晶体管的抗干扰电路，包括：晶体管、驱动模块和限流模块；所述驱动模块的第一输出端与所述晶体管的驱动端连接，所述驱动模块的第二输出端和所述限流模本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.基于晶体管的抗干扰电路，其特征在于，包括：晶体管、驱动模块和限流模块；所述驱动模块的第一输出端与所述晶体管的驱动端连接，所述驱动模块的第二输出端和所述限流模块的第一端共接并与所述晶体管的低电位端连接；所述驱动模块的输入端用于接入驱动信号，所述驱动模块的输入端还用于与其他抗干扰电路中驱动模块的输入端连接；所述限流模块的第二端接驱动地，所述限流模块的第二端还用于与其他抗干扰电路中限流模块的第二端连接。

【技术特征摘要】
1.基于晶体管的抗干扰电路，其特征在于，包括：晶体管、驱动模块和限流模块；所述驱动模块的第一输出端与所述晶体管的驱动端连接，所述驱动模块的第二输出端和所述限流模块的第一端共接并与所述晶体管的低电位端连接；所述驱动模块的输入端用于接入驱动信号，所述驱动模块的输入端还用于与其他抗干扰电路中驱动模块的输入端连接；所述限流模块的第二端接驱动地，所述限流模块的第二端还用于与其他抗干扰电路中限流模块的第二端连接。2.如权利要求1所述的基于晶体管的抗干扰电路，其特征在于，所述限流模块包括第一电阻，所述第一电阻的一端与所述限流模块的第一端相连，所述第一电阻的另一端与所述限流模块的第二端相连。3.如权利要求2所述的基于晶体管的抗干扰电路，其特征在于，所述第一电阻的阻值为0.5Ω-3Ω。4.如权利要求1所述的基于晶体管的抗干扰电路，其特征在于，所述驱动模块包括分压单元和滤波单元；所述分压单元的第一端与所述驱动模块的输入端连接，所述分压单元的第二端与所述滤波单元的第一端共接并与所述驱动模块的第一输出端连接；所述滤波单元的第二端与所述驱动模块的第二输出端连接。5.如权利要求4所述的基于晶体管的抗干扰电路，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈海飞，苏宁焕，江东升，卢雄伟，
申请(专利权)人：厦门科华恒盛股份有限公司，漳州科华技术有限责任公司，
类型：新型
国别省市：福建,35