一种有机电致发光二极管及制作方法技术

本发明专利技术涉及发光二极管技术领域，特别是一种有机电致发光二极管，包括衬底，所述衬底上表面二维方向上规则排列有半球形状的凸起，所述半球形状的凸起由光刻胶图案化而成；所述光刻胶表面沉积全反射金属阳极，所述金属阳极表面沉积OLED器件层，从下至上依次包括：空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、半反射金属阴极。采用上述结构和方法后，本发明专利技术从OLED器件的成膜结构进行优化，通过沉积在规则排列的半球形状的衬底上，可以大大增强OLED器件的光取出效率，提高其外量子效率。

An Organic Electroluminescent Diode and Its Fabrication Method

The invention relates to the technical field of light-emitting diodes, in particular to an organic light-emitting diode, comprising a substrate, on which a hemispherical bump is regularly arranged in two-dimensional direction, and the hemispherical bump is patterned by a photoresist; the photoresist surface is deposited with a totally reflective metal anode, and the metal anode surface is deposited with an OLED device layer from bottom to top. Secondly, it includes: hole injection layer, hole transport layer, luminescence layer, electron transport layer, electron injection layer and semi-reflective metal cathode. After adopting the above structure and method, the present invention optimizes the film-forming structure of OLED devices. By depositing on regularly arranged hemispherical substrates, the optical extraction efficiency of OLED devices can be greatly enhanced and the external quantum efficiency can be improved.

【技术实现步骤摘要】
一种有机电致发光二极管及制作方法
本专利技术涉及发光二极管
，特别是一种有机电致发光二极管及制作方法。
技术介绍
传统OLED器件中，由于玻璃的波导模式、有机层之间的波导模式、阴极表面的等离子模式，产生的光中通常只有20%-25%才能发射出去，因此光的取出效率很低。提高顶发射有机电致发光二极管（OLED）光取出效率的方法是在OLED器件上方增加微透镜或者涂布包含微颗粒的散射层，这些措施都是在器件外部进行的，效果不理想。中国专利技术专利CN105742509A公开了一种提高光取出效率的OLED器件，包括：玻璃衬底、位于玻璃衬底上的第一电极层、位于第一电极层上的有机层、以及位于有机层上的第二电极层，所述OLED器件采用封装盖板进行封装，于封装后的OLED器件与封装盖板之间填充透明液态干燥剂，且所述透明液态干燥剂中掺杂散射粒子。
技术实现思路
本专利技术需要解决的技术问题是提供一种可以增强器件内部光取出效率的有机电致发光二极管及制作方法。为解决上述技术问题，本专利技术一种有机电致发光二极管，包括衬底，所述衬底上表面二维方向上规则排列有半球形状的凸起，所述半球形状的凸起由光刻胶图案化而成；所述光刻胶表面沉积全反射金属阳极，所述金属阳极表面沉积OLED器件层，从下至上依次包括：空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、半反射金属阴极。优选的，所述光刻胶的厚度为0.5mm。优选的，所述半球形状的凸起之间的间距为50μm，半球形状的凸起半径为200μm。优选的，所述金属阳极的材料为Al，厚度为200nm。本专利技术还包括一种有机电致发光二极管制作方法，包括以下步骤，第一步，在硅衬底上，旋涂一层光刻胶，厚度范围0.5mm；第二步，采用全息激光法或湿法刻蚀或干法刻蚀中的任意一种，将平面光刻胶的形状改造成二维方向上的规则排列的半球形状，然后将光刻胶进行烘烤固化；第三步，上述规则排列的半球形状，每个半球之间的距离为50um，半球的半径为200um；第四步，采用真空热蒸发的方式，沉积全反射金属阳极，材料为Al，厚度为200nm；第五步，沉积OLED器件层，从下至上，依次包括：空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、半反射金属阴极。采用上述结构和方法后，本专利技术从OLED器件的成膜结构进行优化，通过沉积在规则排列的半球形状的衬底上，可以大大增强OLED器件的光取出效率，提高其外量子效率。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。图1为本专利技术衬底光刻胶的结构示意图。图2为本专利技术OLED器件制作流程示意图。图3为本专利技术实施例一与对比例一的外量子效率对比图。图中：1为衬底、2为光刻胶、3为金属阳极、4为空穴注入层、5为空穴传输层、6为发光层、7为电子传输层、8为电子注入层、9为金属阴极。具体实施方式如图1所示，本专利技术一种有机电致发光二极管，包括衬底1，所述衬底1上表面二维方向上规则排列有半球形状的凸起，所述半球形状的凸起由光刻胶2图案化而成。如图1和图2所示，所述光刻胶表面沉积全反射金属阳极3，所述金属阳极3表面沉积OLED器件层，从下至上依次包括：空穴注入层4、空穴传输层5、发光层6、电子传输层7、电子注入层8、半反射金属阴极9。如图2所示，本专利技术还包括一种有机电致发光二极管制作方法，实施例一：具体包括以下步骤，第一步，在硅衬底1上，旋涂一层光刻胶2，厚度范围0.5mm；第二步，采用全息激光法或湿法刻蚀或干法刻蚀中的任意一种，将平面光刻胶的形状改造成二维方向上的规则排列的半球形状，然后将光刻胶进行烘烤固化；第三步，上述规则排列的半球形状，每个半球之间的距离为50um，半球的半径为200um；第四步，采用真空热蒸发的方式，沉积全反射金属阳极3，材料为Al，厚度为200nm；第五步，沉积OLED器件层，从下至上，依次包括：空穴注入层4、空穴传输层5、发光层6、电子传输层7、电子注入层8、半反射金属阴极9。对比例一：第一步，在硅衬底上，旋涂一层光刻胶，厚度范围0.5mm；第二步，将光刻胶进行烘烤固化；第三步，采用真空热蒸发的方式，沉积全反射金属阳极，材料为Al，厚度为200nm；第四步，沉积OLED器件层，从下至上，依次包括：空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、半反射金属阴极。实施例一和对比例一中的OLED器件层结构完全一样，区别在于衬底形状的不同。具体的，实施例一制作出的OLED器件具有周期性起伏的结构，对比例一制作出的OLED器件为常规的平面结构。然后将二者的OLED器件进行测试，如图3所示，发现相比于对比例一，实施例一的外量子效率提高了60%。虽然以上描述了本专利技术的具体实施方式，但是本领域熟练技术人员应当理解，这些仅是举例说明，可以对本实施方式作出多种变更或修改，而不背离本专利技术的原理和实质，本专利技术的保护范围仅由所附权利要求书限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机电致发光二极管，包括衬底，其特征在于：所述衬底上表面二维方向上规则排列有半球形状的凸起，所述半球形状的凸起由光刻胶图案化而成；所述光刻胶表面沉积全反射金属阳极，所述金属阳极表面沉积OLED器件层，从下至上依次包括：空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、半反射金属阴极。

【技术特征摘要】
1.一种有机电致发光二极管，包括衬底，其特征在于：所述衬底上表面二维方向上规则排列有半球形状的凸起，所述半球形状的凸起由光刻胶图案化而成；所述光刻胶表面沉积全反射金属阳极，所述金属阳极表面沉积OLED器件层，从下至上依次包括：空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、半反射金属阴极。2.根据权利要求1所述的一种有机电致发光二极管，其特征在于：所述光刻胶的厚度为0.5mm。3.根据权利要求1所述的一种有机电致发光二极管，其特征在于：所述半球形状的凸起之间的间距为50μm，半球形状的凸起半径为200μm。4.根据权利要求1所述的一种有机电致发光二极管，其特征在于：所...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴远武，褚天舒，
申请(专利权)人：湖畔光电科技江苏有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32