用于氮化镓放大器的移相器及相关方法技术

描述了用于保护诸如氮化镓(GaN)器件之类的器件的电路及其操作方法。这样的电路可以包括：温度传感器(104)，其配置成感测器件的至少一部分的温度；以及移相器(106)，其配置成当所感测的温度超出安全温度范围时，例如高于预定的温度阈值时，移动器件输出的信号的相位。相位可以离散地或连续地移动。这些电路可以保护器件免于破坏性操作条件的影响，以延长被保护器件的操作寿命。

Phase Shifter for GaN Amplifier and Related Methods

Circuits used to protect devices such as GaN devices and their operation methods are described. Such a circuit may include a temperature sensor (104), which is configured to sense at least part of the temperature of the device, and a phase shifter (106), which is configured to phase the signal output from the mobile device when the temperature sensed exceeds the safe temperature range, for example, when it is higher than a predetermined temperature threshold. The phase can move discretely or continuously. These circuits can protect the device from destructive operating conditions and prolong the operating life of the protected device.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于氮化镓放大器的移相器及相关方法
技术介绍

本技术涉及一种保护诸如氮化镓(GaN)器件之类的器件免受能够损坏或毁坏该器件的操作条件影响的电路。相关技术近年来，GaN半导体材料因其良好的电学和电光特性而受到广泛关注。GaN具有约3.4eV的宽直接带隙。由于其宽带隙，与硅和砷化镓等更常见的半导体材料相比，GaN更能抵抗雪崩击穿并且具有更高的固有场强。另外，与硅或砷化镓等其他半导体相比，GaN能够在更高的温度下保持其电学性能。与硅相比，GaN还具有更高的载流子饱和速度。另外，GaN具有纤锌矿晶体结构，是一种硬材料，具有很高的导热性、并且具有比其他传统半导体(如硅、锗和砷化镓)高得多的熔点。因此，GaN可用于高速、高压和大功率应用。例如，GaN材料可以用作用于射频(RF)通信、雷达和微波应用的半导体放大器中的有源电路部件。
技术实现思路
根据本申请的一个方面，提供了一种用于向负载提供信号的设备。该设备可包括氮化镓(GaN)射频(RF)放大器、温度传感器、移相器和控制电路，其中，GaNRF放大器包括输出端，并且配置成通过输出端输出RF信号；温度传感器热耦合到GaNRF放大器，并配置成感测GaN本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种设备，包括：氮化镓(GaN)射频(RF)放大器，其包括输出端并配置成通过所述输出端输出RF信号；温度传感器，其热耦合到所述GaN RF放大器并配置成感测所述GaN RF放大器的温度；移相器，其电耦合到所述GaN RF放大器的输出端；以及控制电路，其耦合到所述温度传感器和移相器，并配置成：从所述温度传感器接收表示所述GaN RF放大器的温度的数据；并且至少部分基于表示所述GaN RF放大器的温度的数据，使所述移相器将所述RF信号的相位移动一相位量，直到所述GaN RF放大器的温度在安全温度范围内。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.10.14 US 15/293,5151.一种设备，包括：氮化镓(GaN)射频(RF)放大器，其包括输出端并配置成通过所述输出端输出RF信号；温度传感器，其热耦合到所述GaNRF放大器并配置成感测所述GaNRF放大器的温度；移相器，其电耦合到所述GaNRF放大器的输出端；以及控制电路，其耦合到所述温度传感器和移相器，并配置成：从所述温度传感器接收表示所述GaNRF放大器的温度的数据；并且至少部分基于表示所述GaNRF放大器的温度的数据，使所述移相器将所述RF信号的相位移动一相位量，直到所述GaNRF放大器的温度在安全温度范围内。2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述控制电路配置成当确定表示所述GaNRF放大器的温度的数据大于阈值时，使所述移相器移动所述RF信号的相位。3.根据权利要求1所述的设备，其中，所述相位量选自一组离散的可选相位量。4.根据权利要求3所述的设备，其中，所述一组离散的可选相位量包括大约零和大约π。5.根据权利要求1所述的设备，其中，所述相位量选自一组连续的可选相位量。6.根据权利要求1所述的设备，其中，所述移相器包括微带移相器。7.根据权利要求1所述的设备，其中，所述移相器包括pin二极管混合移相器。8.根据权利要求1所述的设备，其中，所述GaNRF放大器、温度传感器、移相器和控制电路布置在公共衬底上。9.根据权利要求1所述的设备，其中，所述温度传感器包括热敏电阻、热电偶和硅带隙温度传感器中的一种。10.根据权利要求1所述的设备，其中，所述相位量是可调的。11.一种方法，包括：使用氮化镓(GaN)射频(RF)放大器输出RF信号；使...

【专利技术属性】
技术研发人员：托马斯·凯利，
申请(专利权)人：麦克姆技术解决方案控股有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US