The present application provides a silicon-based germanium tin high electron mobility transistor, which comprises: a silicon-based substrate; a buffer layer on the silicon-based substrate; a channel layer on the buffer layer, the channel layer being a GeSn material; and a spacer, barrier layer and cover layer on the channel layer, the spacer layer, the barrier layer and the cover layer. The layer is III_V semiconductor material, in which the interface between the spacer layer and the channel layer forms a two-dimensional electron gas, and the thickness of the buffer layer is greater than 500 nm. According to the present embodiment, high speed performance of transistors can be improved, and GeSn is easy to integrate with Si-based integrated circuit manufacturing technology.
【技术实现步骤摘要】
一种硅基锗锡高电子迁移率晶体管
本申请涉及半导体
,尤其涉及一种硅基锗锡高电子迁移率晶体管。
技术介绍
高电子迁移率晶体管(HEMT,HighElectronMobilityTransistor)具有的高速、高频、低噪声等优异性能,是实现5G通信、高频卫星通信的主流微波器件。随着半导体应用不断向微波(高频)段拓展,以砷化镓、磷化铟为代表的III-V族高迁移率半导体材料显示出巨大的优越性,能满足信息处理的高速化、高频化需求。应该注意,上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明,并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
技术实现思路
在现有技术中,III-V族材料制造成本都非常高,并且会引起环境问题,而且难以与硅(Si)基集成电路制造技术集成。本申请实施例提供一种硅基锗锡(GeSn)高电子迁移率晶体管及其制造方法,在硅基衬底上形成由锗锡(GeSn)材料制备高电子迁移率晶体管,由此,能够提高晶体管的高速性能,并且,GeSn容易与Si基集成电路制造技术集成。根据本申请实施例的一个方面,提供一种硅基锗锡(GeSn)高电子迁移率晶体管,包括:硅基衬底;位于所述硅基衬底上的缓冲层;位于所述缓冲层上的沟道层,所述沟道层为锗锡(GeSn)材料;以及位于所述沟道层上的间隔层,势垒层和盖层,所述间隔层,势垒层和盖层为III-V族半导体材料,其中,所述间隔层与沟道层的界面形成二维电子气,所述缓冲层厚度大于500nm。根据本申请实施例的另一个方面,其中,所述硅基衬 ...
【技术保护点】
1.一种硅基锗锡(GeSn)高电子迁移率晶体管,其特征在于,所述硅基锗锡(GeSn)高电子迁移率晶体管包括:硅基衬底;位于所述硅基衬底上的缓冲层;位于所述缓冲层上的沟道层,所述沟道层为锗锡(GeSn)材料;以及位于所述沟道层上的间隔层,势垒层和盖层,所述间隔层,势垒层和盖层为III‑V族半导体材料,其中,所述间隔层与沟道层的界面形成二维电子气,所述缓冲层厚度大于500nm。
【技术特征摘要】
1.一种硅基锗锡(GeSn)高电子迁移率晶体管,其特征在于,所述硅基锗锡(GeSn)高电子迁移率晶体管包括:硅基衬底;位于所述硅基衬底上的缓冲层;位于所述缓冲层上的沟道层,所述沟道层为锗锡(GeSn)材料;以及位于所述沟道层上的间隔层,势垒层和盖层,所述间隔层,势垒层和盖层为III-V族半导体材料,其中,所述间隔层与沟道层的界面形成二维电子气,所述缓冲层厚度大于500nm。2.如权利要求1所述的硅基锗锡(GeSn)高电子迁移率晶体管,其特征在于,所述硅基衬底的材料为硅或绝缘体上的硅,所述缓冲层材料为锗或者锗硅(SiGe)。3.如权利要求1所述的硅基锗锡(GeSn)高电子迁移率晶体管,...
【专利技术属性】
技术研发人员:汪巍,方青,涂芝娟,曾友宏,蔡艳,王庆,王书晓,余明斌,
申请(专利权)人:上海新微科技服务有限公司,
类型:新型
国别省市:上海,31
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