一种基于绝缘体上硅的MOS晶体管制造技术

本实用新型专利技术提供一种基于绝缘体上硅的MOS晶体管，涉及MOS晶体管领域。实现了通过卡接方式，很好的对MOS晶体管进行固定，而且方便安装和拆卸工作，从而提高了安全性能和使用性能的效果。该基于绝缘体上硅的MOS晶体管，包括支撑固定装置、卡接固定装置、导向挤压装置、MOS晶体管支撑装置，所述支撑固定装置的内部固定安装有卡接固定装置，所述支撑固定装置的内部固定安装有导向挤压装置。该基于绝缘体上硅的MOS晶体管，通过限位压块位于MOS晶体管机架的后端，且限位压块与一号限位槽孔设置为相匹配，使MOS晶体管机架能够稳定的固定安装在一号限位槽孔的内部，且方便安装和拆卸工作，从而提高了使用性能和稳定性能。

A MOS Transistor Based on Silicon on Insulator

The utility model provides a MOS transistor based on silicon on an insulator, which relates to the field of MOS transistors. It can fix the MOS transistor well through the clamping mode, and it is convenient to install and disassemble, thus improving the safety performance and the effect of using performance. The MOS transistor based on silicon on the insulator comprises a support fixing device, a clamping fixing device, a guide extrusion device and a MOS transistor support device. The internal fixing device of the support fixing device is provided with a clamping fixing device, and the internal fixing device of the support fixing device is provided with a guide extrusion device. The MOS transistor based on silicon on insulator is located at the back end of the MOS transistor rack through the limiting pressure block, and the limiting pressure block is matched with the No. 1 limiting slot hole, so that the MOS transistor rack can be fixed stably inside the No. 1 limiting slot hole, and easy to install and disassemble, thus improving the performance and stability.

【技术实现步骤摘要】
一种基于绝缘体上硅的MOS晶体管
本技术涉及MOS晶体管
，特别的为一种基于绝缘体上硅的MOS晶体管。
技术介绍
MOS晶体管，金属－氧化物－半导体(Metal－Oxide－Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路。目前，基于绝缘体上硅的MOS晶体管的连接方式一般通过锡焊接，在安装时通过这种方式容易造成接近MOS晶体管的原件烫伤或者损坏，当MOS晶体管损坏需要更换时，拆卸不方便而且也会容易使接近MOS晶体管的原件烫伤或者损坏，从而降低了安全性能和使用性能。
技术实现思路
本技术提供的专利技术目的在于提供一种基于绝缘体上硅的MOS晶体管，该基于绝缘体上硅的MOS晶体管，通过卡接方式，很好的对MOS晶体管进行固定，而且方便安装和拆卸工作，从而提高了安全性能和使用性能。为实现以上目的，本技术通过以下技术方案予以实现：一种基于绝缘体上硅的MOS晶体管，包括支撑固定装置、卡接固定装置、导向挤压装置、MOS晶体管支撑装置，所述支撑固定装置的内部固定安装有卡接固定装置，所述支撑固定装置的内部固定安装有导向挤压装置，所述卡接固定装置和导向挤压装置之间活动安装有MOS晶体管支撑装置。所述支撑固定装置包括支撑固定底板，所述支撑固定底板的上端固定安装有一号支撑固定块，所述一号支撑固定块的上端固定安装有三组一号触点接触块，所述支撑固定底板内部开设有两组定位槽孔，所述支撑固定底板的上端通过两组定位螺栓固定安装有支撑限位机架，所述支撑限位机架的底端开设有两组定位螺纹孔，所述支撑限位机架的内部开设有一号限位槽孔，所述一号限位槽孔的两端均开设有二号限位槽孔。所述卡接固定装置包括两组一号支撑固定底块，两组一号支撑固定底块的相对一端均固定安装有一号支撑弹簧，每组一号支撑弹簧远离一号支撑固定底块的一端均固定安装有一号限位滑块，每组一号限位滑块远离一号支撑弹簧的一端均开设有一号导向斜板。所述导向挤压装置包括二号支撑固定底块，所述二号支撑固定底块的一端固定安装有二号支撑弹簧，所述二号支撑弹簧远离二号支撑固定底块的一端固定安装有限位压块，所述限位压块远离二号支撑弹簧的一端开设有二号导向斜板。所述MOS晶体管支撑装置包括MOS晶体管机架，所述MOS晶体管机架的两端均开设有三号限位槽孔，所述MOS晶体管机架的底端固定安装有三组二号触点接触块，所述MOS晶体管机架的上端固定安装有二号支撑固定块，所述二号支撑固定块的正面上开设有圆形通孔。优选的，每组定位螺栓均贯穿对应的定位槽孔的内部与对应的定位螺纹孔进行配合，且每组定位螺栓与对应的定位螺纹孔设置为相匹配。优选的，所述一号支撑固定块位于一号限位槽孔的内部，且三组一号触点接触块均匀分布在一号支撑固定块的上端。优选的，所述MOS晶体管机架位于一号限位槽孔的内部，且每组二号触点接触块均与对应的一号触点接触块设置为相匹配。优选的，每组一号限位滑块均位于对应的二号限位槽孔的内部，且每组一号限位滑块均与对应的二号限位槽孔和三号限位槽孔设置为相匹配。优选的，所述限位压块位于MOS晶体管机架的后端，且限位压块与一号限位槽孔设置为相匹配。使用时，将三组二号触点接触块对准一号限位槽孔直接插入，通过两组一号导向斜板和二号导向斜板将MOS晶体管机架稳定的进入一号限位槽孔的内部，然后通过两组一号限位滑块与两组三号限位槽孔进行配合，限位压块给MOS晶体管机架一个压力，完成MOS晶体管机架安装工作，需要拆卸时，只需要通过推动二号支撑固定块，可以将限位压块往后挤压，然后两组一号限位滑块脱离两组三号限位槽孔，然后取出MOS晶体管机架，从而完成拆卸工作。本技术提供了一种基于绝缘体上硅的MOS晶体管。具备以下有益效果：1、该基于绝缘体上硅的MOS晶体管，通过一号支撑固定块位于一号限位槽孔的内部，且三组一号触点接触块均匀分布在一号支撑固定块的上端，MOS晶体管机架位于一号限位槽孔的内部，且每组二号触点接触块均与对应的一号触点接触块设置为相匹配，使每组二号触点接触块均与对应的一号触点接触块稳定的进行配合，防止接触不良的现象，从而提高了稳定性能。2、该基于绝缘体上硅的MOS晶体管，通过每组一号限位滑块均位于对应的二号限位槽孔的内部，且每组一号限位滑块均与对应的二号限位槽孔和三号限位槽孔设置为相匹配，限位压块位于MOS晶体管机架的后端，且限位压块与一号限位槽孔设置为相匹配，使MOS晶体管机架能够稳定的固定安装在一号限位槽孔的内部，且方便安装和拆卸工作，从而提高了使用性能和稳定性能。附图说明图1为本技术结构示意图；图2为本技术支撑固定装置的俯视结构示意图。图中：1支撑固定装置、101支撑固定底板、102一号支撑固定块、103一号触点接触块、104支撑限位机架、105一号限位槽孔、106二号限位槽孔、107定位槽孔、108定位螺纹孔、109定位螺栓、2卡接固定装置、201一号支撑固定底块、202一号支撑弹簧、203一号限位滑块、204一号导向斜板、3导向挤压装置、301二号支撑固定底块、302二号支撑弹簧、303限位压块、304二号导向斜板、4MOS晶体管支撑装置、401MOS晶体管机架、402三号限位槽孔、403二号触点接触块、404二号支撑固定块、405圆形通孔。具体实施方式如图1－2所示，一种基于绝缘体上硅的MOS晶体管，包括支撑固定装置1、卡接固定装置2、导向挤压装置3、MOS晶体管支撑装置4，支撑固定装置1的内部固定安装有卡接固定装置2，支撑固定装置1的内部固定安装有导向挤压装置3，卡接固定装置2和导向挤压装置3之间活动安装有MOS晶体管支撑装置4。支撑固定装置1包括支撑固定底板101，支撑固定底板101的上端固定安装有一号支撑固定块102，一号支撑固定块102的上端固定安装有三组一号触点接触块103，支撑固定底板101内部开设有两组定位槽孔107，支撑固定底板101的上端通过两组定位螺栓109固定安装有支撑限位机架104，支撑限位机架104的底端开设有两组定位螺纹孔108，支撑限位机架104的内部开设有一号限位槽孔105，一号限位槽孔105的两端均开设有二号限位槽孔106。卡接固定装置2包括两组一号支撑固定底块201，两组一号支撑固定底块201的相对一端均固定安装有一号支撑弹簧202，每组一号支撑弹簧202远离一号支撑固定底块201的一端均固定安装有一号限位滑块203，每组一号限位滑块203远离一号支撑弹簧202的一端均开设有一号导向斜板204。导向挤压装置3包括二号支撑固定底块301，二号支撑固定底块301的一端固定安装有二号支撑弹簧302，二号支撑弹簧302远离二号支撑固定底块301的一端固定安装有限位压块303，限位压块303远离二号支撑弹簧302的一端开设有二号导向斜板304。MOS晶体管支撑装置4包括MOS晶体管机架401，MOS晶体管机架401的两端均开设有三号限位槽孔402，MOS晶体管机架401的底端固定安装有三组二号触点接触块403，MOS晶体管机架401的上端固定安装有二号支撑固定块404，二号支撑固定块404的正面上开设有圆形通孔405。每组定位螺栓109均贯穿对应的定位槽孔107的内部与对应的定位螺纹孔108进行配合，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于绝缘体上硅的MOS晶体管，包括支撑固定装置(1)、卡接固定装置(2)、导向挤压装置(3)、MOS晶体管支撑装置(4)，其特征在于：所述支撑固定装置(1)的内部固定安装有卡接固定装置(2)，所述支撑固定装置(1)的内部固定安装有导向挤压装置(3)，所述卡接固定装置(2)和导向挤压装置(3)之间活动安装有MOS晶体管支撑装置(4)；所述支撑固定装置(1)包括支撑固定底板(101)，所述支撑固定底板(101)的上端固定安装有一号支撑固定块(102)，所述一号支撑固定块(102)的上端固定安装有三组一号触点接触块(103)，所述支撑固定底板(101)内部开设有两组定位槽孔(107)，所述支撑固定底板(101)的上端通过两组定位螺栓(109)固定安装有支撑限位机架(104)，所述支撑限位机架(104)的底端开设有两组定位螺纹孔(108)，所述支撑限位机架(104)的内部开设有一号限位槽孔(105)，所述一号限位槽孔(105)的两端均开设有二号限位槽孔(106)；所述卡接固定装置(2)包括两组一号支撑固定底块(201)，两组一号支撑固定底块(201)的相对一端均固定安装有一号支撑弹簧(202)，每组一号支撑弹簧(202)远离一号支撑固定底块(201)的一端均固定安装有一号限位滑块(203)，每组一号限位滑块(203)远离一号支撑弹簧(202)的一端均开设有一号导向斜板(204)；所述导向挤压装置(3)包括二号支撑固定底块(301)，所述二号支撑固定底块(301)的一端固定安装有二号支撑弹簧(302)，所述二号支撑弹簧(302)远离二号支撑固定底块(301)的一端固定安装有限位压块(303)，所述限位压块(303)远离二号支撑弹簧(302)的一端开设有二号导向斜板(304)；所述MOS晶体管支撑装置(4)包括MOS晶体管机架(401)，所述MOS晶体管机架(401)的两端均开设有三号限位槽孔(402)，所述MOS晶体管机架(401)的底端固定安装有三组二号触点接触块(403)，所述MOS晶体管机架(401)的上端固定安装有二号支撑固定块(404)，所述二号支撑固定块(404)的正面上开设有圆形通孔(405)。...

【技术特征摘要】
1.一种基于绝缘体上硅的MOS晶体管，包括支撑固定装置(1)、卡接固定装置(2)、导向挤压装置(3)、MOS晶体管支撑装置(4)，其特征在于：所述支撑固定装置(1)的内部固定安装有卡接固定装置(2)，所述支撑固定装置(1)的内部固定安装有导向挤压装置(3)，所述卡接固定装置(2)和导向挤压装置(3)之间活动安装有MOS晶体管支撑装置(4)；所述支撑固定装置(1)包括支撑固定底板(101)，所述支撑固定底板(101)的上端固定安装有一号支撑固定块(102)，所述一号支撑固定块(102)的上端固定安装有三组一号触点接触块(103)，所述支撑固定底板(101)内部开设有两组定位槽孔(107)，所述支撑固定底板(101)的上端通过两组定位螺栓(109)固定安装有支撑限位机架(104)，所述支撑限位机架(104)的底端开设有两组定位螺纹孔(108)，所述支撑限位机架(104)的内部开设有一号限位槽孔(105)，所述一号限位槽孔(105)的两端均开设有二号限位槽孔(106)；所述卡接固定装置(2)包括两组一号支撑固定底块(201)，两组一号支撑固定底块(201)的相对一端均固定安装有一号支撑弹簧(202)，每组一号支撑弹簧(202)远离一号支撑固定底块(201)的一端均固定安装有一号限位滑块(203)，每组一号限位滑块(203)远离一号支撑弹簧(202)的一端均开设有一号导向斜板(204)；所述导向挤压装置(3)包括二号支撑固定底块(301)，所述二号支撑固定底块(301)的一端固定安装有二号支撑弹簧(302)，所述二号支撑弹簧(302)远离二号支撑固定底块(301)的一端固定安装有限位压块(303)，所述限位压块(303)远离二号支撑弹簧(...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨贵兰，谷宗泰，
申请(专利权)人：深圳市广联富科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44