一种钝化薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种钝化薄膜及其制备方法，包含：步骤1、在硅基片上按氨气和硅烷的体积比为4800∶1200进行镀膜，制备第一层薄膜；步骤2、在第一层薄膜上按氨气和硅烷的体积比为5400∶900进行镀膜，制备第二层薄膜；步骤3、在第二层薄膜上按氨气和硅烷的体积比为5600∶560进行镀膜，制备第三层薄膜2；步骤4、在第三层薄膜上按氨气和硅烷的体积比为6300∶550进行镀膜，制备第四层薄膜。第一层第二层第三层为高折射率薄膜，第四层为低折射率薄膜。本发明专利技术提供的钝化薄膜及其制备方法，能够在硅基上制作一层复合型薄膜，进一步提高氢的钝化效果，从而达到提高少子寿命和短路电流从而最终达到提高效率的目的。

A passivation film and its preparation method

The invention discloses a passivation film and its preparation method, which comprises: step 1, coating the first layer of film on the silicon substrate according to the volume ratio of ammonia and silane 4800:1200, step 2, coating the first layer of film according to the volume ratio of ammonia and silane 5400:900, and preparing the second layer of film; step 3, coating the second layer according to the volume ratio of ammonia and silane on the second layer of film; The third layer was prepared by coating at 5600:560. Step 4: The fourth layer was prepared by coating at 6300:550 volume ratio of ammonia and silane on the third layer. The first layer, the second layer and the third layer are high refractive index films, and the fourth layer is low refractive index films. The passivation film provided by the invention and the preparation method can make a composite film on the silicon substrate, further improve the passivation effect of hydrogen, thereby improving minority carrier lifetime and short circuit current and ultimately achieving the purpose of improving efficiency.

【技术实现步骤摘要】
一种钝化薄膜及其制备方法
本专利技术涉及一种用于太阳能光伏发电技术的薄膜及其制备方法，具体地，涉及一种钝化薄膜及其制备方法。
技术介绍
氮化硅薄膜制备在太阳能电池生产中起着减少硅片表面的反射，进而增加光的吸收的作用，是晶体硅太阳能电池的重要步骤之一。其关键在于该薄膜不仅减少硅表面反射，还钝化硅材料中大量的杂质和缺陷，并通过改变禁带中能带为价带或导带以提高硅片中的载流子迁移率，延长少子寿命提高光电转化效率的目的。因此如何更好的增强减反射膜的钝化效果，对于电池片效率的提升有着重要的意义。通常PECVD法(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，等离子体增强化学的气相沉积法)的钝化效果并不理想，因此如何进一步提高氢的钝化效果，以达到提高少子寿命和短路电流从而最终达到提高效率的目的就显得尤为重要。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种钝化薄膜及其制备工艺，解决现有问题，可以有效提高钝化效果。为了达到上述目的，本专利技术提供了一种钝化薄膜的制备方法，其中，所述的方法包含：步骤1、在硅基片上以氨气和硅烷镀膜，制备第一层薄膜；步骤2、在第一层薄膜上以氨气和硅烷镀膜，制备第二层薄膜；步骤3、在第二层薄膜上以氨气和硅烷镀膜，制备第三层薄膜；步骤4、在第三层薄膜上以氨气和硅烷镀膜，制备第四层薄膜。镀膜过程的其它操作与PECVD法(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，等离子体增强化学的气相沉积法)相同。上述的钝化薄膜的制备方法，其中，所述的步骤1中，在硅基片上按氨气和硅烷的体积比为4800∶1200进行镀膜，镀膜时间为35～45秒，制备第一层薄膜；所述的第一层薄膜，厚度为4～8nm，折射率为2.25～2.30。上述的钝化薄膜的制备方法，其中，所述的第一层薄膜，镀膜时间为40秒，厚度为6nm，折射率为2.26～2.28。上述的钝化薄膜的制备方法，其中，所述的步骤2中，在第一层薄膜上按氨气和硅烷的体积比为5400∶900进行镀膜，镀膜时间为75～85秒，制备第二层薄膜；所述的第二层薄膜，厚度为14～18nm，折射率为2.13～2.16。上述的钝化薄膜的制备方法，其中，所述的第二层薄膜，镀膜时间为80秒，厚度为15nm，折射率为2.15。上述的钝化薄膜的制备方法，其中，所述的步骤3中，在第二层薄膜上按氨气和硅烷的体积比为5600∶560进行镀膜，镀膜时间为175～185秒，制备第三层薄膜；所述的第三层薄膜，厚度为28～32nm，折射率为2.08～2.12。上述的钝化薄膜的制备方法，其中，所述的第三层薄膜，镀膜时间为180秒，厚度为30nm，折射率为2.10。上述的钝化薄膜的制备方法，其中，所述的步骤4中，在第三层薄膜上按氨气和硅烷的体积比为6300∶550进行镀膜，镀膜时间为205～215秒，制备第四层薄膜；所述的第四层薄膜，厚度为28～32nm，折射率为2.01～2.04。上述的钝化薄膜的制备方法，其中，所述的第四层薄膜，镀膜时间为210秒，厚度为30nm，折射率为2.03。本专利技术还提供了上述的方法制备的钝化薄膜。本专利技术提供的钝化薄膜及其制备方法具有以下优点：本专利技术制作的钝化薄膜中，第一层第二层第三层为高折射率薄膜，第四层为低折射率薄膜。本专利技术利用高低折射率制作复合型钝化薄膜，能够提高氢的钝化效果，进而提高少子寿命和短路电流，最终达到提高电池片转换效率的目的。具体实施方式以下对本专利技术的具体实施方式作进一步地说明。本专利技术提供的钝化薄膜的制备方法，包含：步骤1、在硅基片上以氨气和硅烷镀膜，制备第一层薄膜；步骤2、在第一层薄膜上以氨气和硅烷镀膜，制备第二层薄膜；步骤3、在第二层薄膜上以氨气和硅烷镀膜，制备第三层薄膜；步骤4、在第三层薄膜上以氨气和硅烷镀膜，制备第四层薄膜。镀膜过程的其它操作与PECVD法(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，等离子体增强化学的气相沉积法)相同。步骤1中，在硅基片上按氨气和硅烷的体积比为4800∶1200进行镀膜，镀膜时间为35～45秒，制备第一层薄膜；第一层薄膜厚度为4～8nm，折射率为2.25～2.30。优选地，第一层薄膜镀膜时间为40秒，厚度为6nm，折射率为2.26～2.28。步骤2中，在第一层薄膜上按氨气和硅烷的体积比为5400∶900进行镀膜，镀膜时间为75～85秒，制备第二层薄膜；第二层薄膜厚度为14～18nm，折射率为2.13～2.16。优选地，第二层薄膜镀膜时间为80秒，厚度为15nm，折射率为2.15。步骤3中，在第二层薄膜上按氨气和硅烷的体积比为5600∶560进行镀膜，镀膜时间为175～185秒，制备第三层薄膜；第三层薄膜厚度为28～32nm，折射率为2.08～2.12。优选地，第三层薄膜镀膜时间为180秒，厚度为30nm，折射率为2.10。步骤4中，在第三层薄膜上按氨气和硅烷的体积比为6300∶550进行镀膜，镀膜时间为205～215秒，制备第四层薄膜；第四层薄膜厚度为28～32nm，折射率为2.01～2.04。优选地，第四层薄膜镀膜时间为210秒，厚度为30nm，折射率为2.03。本专利技术还提供了该方法制备的钝化薄膜。下面结合实施例对本专利技术提供的钝化薄膜及其制备方法做更进一步描述。实施例1一种钝化薄膜的制备方法，包含：步骤1、在硅基片上以氨气和硅烷镀膜，制备第一层薄膜；优选地，在硅基片上按氨气和硅烷的体积比为4800∶1200进行镀膜，镀膜时间为40秒，制备第一层薄膜；第一层薄膜厚度为6nm，折射率为2.27。步骤2、在第一层薄膜上以氨气和硅烷镀膜，制备第二层薄膜；优选地，在第一层薄膜上按氨气和硅烷的体积比为5400∶900进行镀膜，镀膜时间为80秒，制备第二层薄膜；第二层薄膜厚度为15nm，折射率为2.15。步骤3、在第二层薄膜上以氨气和硅烷镀膜，制备第三层薄膜；优选地，在第二层薄膜上按氨气和硅烷的体积比为5600∶560进行镀膜，镀膜时间为180秒，制备第三层薄膜；第三层薄膜厚度为30nm，折射率为2.10。步骤4、在第三层薄膜上以氨气和硅烷镀膜，制备第四层薄膜。优选地，在第三层薄膜上按氨气和硅烷的体积比为6300∶550进行镀膜，镀膜时间为210秒，制备第四层薄膜；第四层薄膜厚度为30nm，折射率为2.03。本实施例还提供了该方法制备的钝化薄膜。实施例2一种钝化薄膜的制备方法，包含：步骤1、在硅基片上以氨气和硅烷镀膜，制备第一层薄膜；优选地，在硅基片上按氨气和硅烷的体积比为4800∶1200进行镀膜，镀膜时间为40秒，制备第一层薄膜；第一层薄膜厚度为4nm，折射率为2.25。步骤2、在第一层薄膜上以氨气和硅烷镀膜，制备第二层薄膜；优选地，在第一层薄膜上按氨气和硅烷的体积比为5400∶900进行镀膜，镀膜时间为75秒，制备第二层薄膜；第二层薄膜厚度为14nm，折射率为2.13。步骤3、在第二层薄膜上以氨气和硅烷镀膜，制备第三层薄膜；优选地，在第二层薄膜上按氨气和硅烷的体积比为5600∶560进行镀膜，镀膜时间为175秒，制备第三层薄膜；第三层薄膜厚度为28nm，折射率为2.08。步骤4、在第三层薄膜上以氨气和硅烷镀膜，制备第四层薄膜。优选地，在第三层薄膜上按本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种钝化薄膜的制备方法，其特征在于，所述的方法包含：步骤1、在硅基片上以氨气和硅烷镀膜，制备第一层薄膜；步骤2、在第一层薄膜上以氨气和硅烷镀膜，制备第二层薄膜；步骤3、在第二层薄膜上以氨气和硅烷镀膜，制备第三层薄膜；步骤4、在第三层薄膜上以氨气和硅烷镀膜，制备第四层薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种钝化薄膜的制备方法，其特征在于，所述的方法包含：步骤1、在硅基片上以氨气和硅烷镀膜，制备第一层薄膜；步骤2、在第一层薄膜上以氨气和硅烷镀膜，制备第二层薄膜；步骤3、在第二层薄膜上以氨气和硅烷镀膜，制备第三层薄膜；步骤4、在第三层薄膜上以氨气和硅烷镀膜，制备第四层薄膜。2.如权利要求1所述的钝化薄膜的制备方法，其特征在于，所述的步骤1中，在硅基片上按氨气和硅烷的体积比为4800∶1200进行镀膜，镀膜时间为35～45秒，制备第一层薄膜；所述的第一层薄膜，厚度为4～8nm，折射率为2.25～2.30。3.如权利要求2所述的钝化薄膜的制备方法，其特征在于，所述的第一层薄膜，镀膜时间为40秒，厚度为6nm，折射率为2.26～2.28。4.如权利要求1所述的钝化薄膜的制备方法，其特征在于，所述的步骤2中，在第一层薄膜上按氨气和硅烷的体积比为5400∶900进行镀膜，镀膜时间为75～85秒，制备第二层薄膜；所述的第二层薄膜，厚度为14～18nm，折射率为2.13～2.16。5.如权利要求4所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：康亚锋，
申请(专利权)人：河南林鑫新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：河南,41