电磁阻抗测量装置和电磁阻抗校正方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种电磁阻抗测量装置。电磁阻抗测量装置包括：网络分析器，其包括第一端口和第二端口并用于根据频率来测量散射参数；和多层基板，其通过同轴电缆分别连接到第一端口和第二端口，包括用于连接导电层的过孔，并且包括至少具有最上层、最下层和中间层的三个以上的导电层。多层基板包括：布置在最上层和最下层之间的测试样品；布置在最上层和最下层之间的直通校正样品；布置在最上层和最下层之间的反射校正样品；以及布置在最上层和最下层之间的线校正样品。测试样品、直通校正样品、反射校正样品和线校正样品分别通过第一误差框和第二误差框连接，第一误差框和第二误差框包括具有相同结构的过孔。

Electromagnetic Impedance Measurement Device and Electromagnetic Impedance Correction Method

The invention relates to an electromagnetic impedance measuring device. The electromagnetic impedance measurement device includes a network analyzer, which includes a first port and a second port and is used to measure scattering parameters according to frequency; and a multi-layer substrate, which is connected to the first port and the second port respectively through coaxial cables, including through-holes for connecting conductive layers, and includes at least three or more conductive layers with the top layer, the bottom layer and the middle layer. Multilayer substrates include: test samples arranged between the top and bottom layers; through correction samples arranged between the top and bottom layers; reflection correction samples arranged between the top and bottom layers; and line correction samples arranged between the top and bottom layers. The test sample, the through correction sample, the reflection correction sample and the line correction sample are connected by the first error frame and the second error frame, respectively. The first error frame and the second error frame include through holes with the same structure.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电磁阻抗测量装置和电磁阻抗校正方法
本专利技术涉及电磁波阻抗测量装置，并且尤其涉及基于直通-反射-线(thru-reflect-line，TRL)校正的阻抗测量装置和校正方法。
技术介绍
在印刷电路板(PCB)电路和具有高集成密度的基于半导体的集成芯片(IC)设计中，不可避免地使用多层结构来减小芯片面积。通常，层间连接通过不连续结构(或过孔)实现。在高速半导体集成电路的情况下，待测量的具有电特性的样品(例如，传输线、设备或电路)远离测量平面。在设计并制造具有不连续结构(或过孔)的传输线的情况下，阻抗不匹配使得难以独立地测量待测量样品的阻抗或散射参数。当工作频率增加超过数十千兆赫兹(GHz)时，阻抗不匹配的问题变得更加严重。在传输线中，设备的电特性以诸如阻抗Z、导纳Y、散射参数S和ABCD参数等网络参数来表示。然而，随着频率增加，待测量的被测设备(DUT)和实际测量平面之间的距离使得难以精确地测量网络参数。因此，应当获取除去误差项的测量结果，以精确地评估待测量的被测设备(DUT)。为此，需要精确的校正。美国专利注册第7,124,049号公开了一种使用网络分析器的校正方法。然而，美国专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电磁波阻抗测量装置，其包括：网络分析器，其被构造成用于根据频率来测量散射参数，并且包括第一端口和第二端口；以及多层基板，其通过同轴电缆连接到所述第一端口和所述第二端口，具有用于使导电层彼此连接的过孔，并且包括至少具有最上层、最下层和中间层的三个以上的导电层，其中，所述多层基板包括：布置在所述最上层和所述最下层之间的测试样品；布置在所述最上层和所述最下层之间的直通校正标准样；布置在所述最上层和所述最下层之间的反射校正标准样；和布置在所述最上层和所述最下层之间的线校正标准样，并且所述测试样品、所述直通校正标准样、所述反射校正标准样和所述线校正标准样中的各者均通过具有所述过孔的第一误差框和具...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.10.17 KR 10-2016-01346131.一种电磁波阻抗测量装置，其包括：网络分析器，其被构造成用于根据频率来测量散射参数，并且包括第一端口和第二端口；以及多层基板，其通过同轴电缆连接到所述第一端口和所述第二端口，具有用于使导电层彼此连接的过孔，并且包括至少具有最上层、最下层和中间层的三个以上的导电层，其中，所述多层基板包括：布置在所述最上层和所述最下层之间的测试样品；布置在所述最上层和所述最下层之间的直通校正标准样；布置在所述最上层和所述最下层之间的反射校正标准样；和布置在所述最上层和所述最下层之间的线校正标准样，并且所述测试样品、所述直通校正标准样、所述反射校正标准样和所述线校正标准样中的各者均通过具有所述过孔的第一误差框和具有所述过孔的第二误差框连接，且所述第二误差框的所述过孔与所述第一误差框的所述过孔具有相同的结构。2.根据权利要求1所述的电磁波阻抗测量装置，其中，所述多层基板是四层印刷电路板，所述多层基板从下起包括第一导电层到第四导电层，所述第一误差框和所述第二误差框中的每一者包括：所述第一导电层，其包括接地的第一导电图案；所述第二导电层，其包括下信号图案；所述第三导电层，其包括与所述第一导电图案并排延伸且接地的第三导电图案；和所述第四导电层，其包括与所述第一导电图案并排延伸的上信号图案，并且，所述上信号图案经由第一过孔连接到所述下信号图案。3.根据权利要求2所述的电磁波阻抗测量装置，其中，在所述直通校正标准样中，所述第一误差框的所述下信号图案和所述第二误差框的所述下信号图案彼此连接。4.根据权利要求2所述的电磁波阻抗测量装置，其中，在所述反射校正标准样中，所述第一误差框的所述下信号图案经由第二过孔连接到所述第一导电图案、所述第二导电图案和布置在所述第四导电层中的上辅助图案。5.根据权利要求2所述的电磁波阻抗测量装置，其中，在所述线校正标准样中，所述第一误差框的所述下信号图案和所述第二误差框的所述下信号图案彼此连接，以在具有预定距离的同时提供相位差。6.一种电磁波阻抗的校正方法，所述校正方法包括：提供通过第一误差框和第二误差框连接到多层基板的测试样品、直通校正标准样、反射校正标准样和线校正标...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪荣杓，具泫志，姜老远，李东俊，
申请(专利权)人：韩国标准科学研究院，
类型：发明
国别省市：韩国,KR