保护结构以及电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种保护结构包括基板、硬质涂层以及辅助层。辅助层位于基板上，硬质涂层位于辅助层上，所述辅助层位于所述基板与所述硬质涂层之间，其中所述辅助层的杨氏模量大于所述硬质涂层的杨氏模量，所述硬质涂层的杨氏模量大于所述基板的杨氏模量。

Protective structures and electronic devices

The invention relates to a protective structure comprising a substrate, a hard coating and an auxiliary layer. The auxiliary layer is on the substrate, and the hard coating is on the auxiliary layer. The auxiliary layer is between the substrate and the hard coating. The Young's modulus of the auxiliary layer is larger than that of the hard coating, and the Young's modulus of the hard coating is larger than that of the substrate.

【技术实现步骤摘要】
保护结构以及电子装置
本专利技术涉及电子元件保护领域，特别涉及一种保护结构以及电子装置。
技术介绍
电子元件(例如是软性电子元件)在轻薄化后本身的机械强度、硬度不足，在制造、搬运及使用时容易受到外力的刮伤、磨损而造成损伤，因而造成元件可靠度的问题。若在电子元件的表面设置硬质涂层，可以增加电子元件的抗刮能力，但当硬质涂层的厚度增加时，虽电子元件的抗刮能力可以提升，但元件经折叠(摺叠)后容易造成材料破裂的现象。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术目的在于提供数种保护结构。具体地说，本专利技术公开了一种保护结构，其中包括：基板；辅助层，位于所述基板上；以及硬质涂层，位于所述辅助层上，所述辅助层位于所述基板与所述硬质涂层之间，其中所述辅助层的杨氏模量大于所述硬质涂层的杨氏模量，所述硬质涂层的杨氏模量大于所述基板的杨氏模量。所述保护结构，其中所述辅助层的杨氏模量介于15至100GPa，所述硬质涂层的杨氏模量介于10至30GPa，所述基板的杨氏模量介于1至20GPa。所述保护结构，其中所述辅助层的厚度介于0.1至30μm，所述硬质涂层的厚度介于5至35μm，所述基板的厚度介于5至50μm。所述保护结构，其中还包括光学结构层，其中所述光学结构层设置于所述基板上，所述基板位于所述光学结构层及所述辅助层之间，且所述光学结构层的杨氏模量介于1至20GPa及厚度介于0.5至20μm。所述的保护结构，其中还包括光学结构层，其中所述光学结构层设置于所述基板及所述辅助层之间，且所述光学结构层的杨氏模量介于1至20GPa及厚度介于0.5至20μm。所述保护结构，其中所述辅助层包括无机材料、有机材料或有机材料与无机材料组成的复合材料，所述无机材料包括类钻碳、氮化硅、氧化硅、二氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、铝二氧化钛、蓝宝石镀膜、氮氧化钛或聚硅氮烷。所述保护结构，其中所述辅助层靠近所述硬质涂层的表面为不连续面，所述不连续面具有微间隙小于1μm的表面结构。所述保护结构，其中所述硬质涂层包括异戊四醇三甲基丙烯酸酯、压克力材料，或前述材料的组合。所述保护结构，其中所述辅助层为图案化辅助层，所述图案化辅助层具有多个第一开口区，其中所述硬质涂层填入于所述图案化辅助层的所述第一开口区。所述保护结构，其中还包括界面层，其中所述界面层位于所述辅助层及所述硬质涂层之间。所述保护结构，其中所述辅助层为图案化辅助层，所述图案化辅助层具有多个第一开口区，其中所述界面层填入于所述图案化辅助层的所述第一开口区。所述保护结构，其中所述硬质涂层为图案化硬质涂层，其中所述图案化硬质涂层具有多个第二开口区，所述保护结构还包括第一辅助层，所述第一辅助层覆盖于所述图案化硬质涂层的上方及侧边，并覆盖于被所述第二开口区所曝露出来的所述辅助层的部分表面。所述保护结构，其中所述辅助层为图案化辅助层，所述图案化辅助层包括第一部分及第二部分，所述第二部分具有多个第三开口区，且所述第三开口区曝露出部分所述第一部分的表面，所述硬质涂层填入于所述第三开口区。所述保护结构，其中还包括界面层，其中所述界面层覆盖于所述第二部分的上方及侧边，并覆盖于被所述第三开口区所曝露出来的所述第一部分的所述部分表面，所述硬质涂层覆盖于所述界面层。所述保护结构，其中还包括第一硬质涂层，其中所述第一硬质涂层位于所述基板及所述辅助层之间，其中所述第一硬质涂层位于预定折叠区的厚度大于在非预定折叠区的厚度，所述硬质涂层位于所述预定折叠区的厚度小于在所述非预定折叠区的厚度。本专利技术还提出了一种电子装置，其中包括：电子元件；以及位于所述电子元件上的保护结构，所述保护结构至少包括硬质涂层以及辅助层，所述辅助层位于所述电子元件及所述硬质涂层之间，其中所述辅助层的杨氏模量大于所述硬质涂层的杨氏模量。所述电子装置，其中还包括光学结构层，其中该光学结构层设置于该电子元件与该辅助层之间，且该光学结构层的杨氏模量介于1至20GPa。本专利技术还提出了一种保护结构，适用于电子元件，其中包括：硬质涂层，位于所述电子元件上；以及辅助层，位于所述电子元件及所述硬质涂层之间，其中所述辅助层的杨氏模量大于所述硬质涂层的杨氏模量。所述保护结构，其中所述辅助层的杨氏模量介于15至100GPa，所述硬质涂层的杨氏模量介于10至30GPa。所述保护结构，其中所述辅助层的厚度介于0.1至30μm，所述硬质涂层的厚度介于5至35μm。所述保护结构，其中还包括光学结构层，其中该光学结构层设置于该辅助层上，且该光学结构层的杨氏模量介于1至20GPa。所述保护结构，其中所述辅助层包括无机材料、有机材料或有机材料与无机材料组成的复合材料，所述无机材料包括类钻碳、氮化硅、氧化硅、二氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、铝二氧化钛、蓝宝石镀膜、氮氧化钛或聚硅氮烷。所述保护结构，其中所述辅助层靠近所述硬质涂层的表面为不连续面，所述不连续面具有微间隙小于1μm的表面结构。所述保护结构，其中所述硬质涂层包括异戊四醇三甲基丙烯酸酯、压克力材料或其组合。综上本专利技术提供的保护结构可形成或贴合在电子元件上，减少电子元件受到外力刮伤，进而增加电子装置的使用寿命及可靠度。本专利技术还提供数种电子装置，其电子元件可以受到保护，减少外力刮伤，进而增加电子装置的使用寿命及可靠度。附图说明图1A为依据本专利技术实施例的具有基板的保护结构的剖面示意图；图1B为依据本专利技术另一实施例的具有基板的保护结构的剖面示意图；图1C为依据本专利技术又一实施例的具有基板的保护结构的剖面示意图；图1D为依据本专利技术实施例的电子装置的剖面示意图；图1E为依据本专利技术另一实施例的电子装置的剖面示意图；图1F为依据本专利技术又一实施例的电子装置的剖面示意图；图2A～2B为依据本专利技术实施例的辅助层的非连续面结构的剖面示意图；图2C-1～2C-3为图2A～2B的三种范例的非连续面结构的辅助层的俯视图；图3A为依据本专利技术另一实施例的保护结构的剖面示意图；图3B为依据本专利技术另一实施例的保护结构的剖面示意图；图3C为依据本专利技术另一实施例的电子装置的剖面示意图；图3D为依据本专利技术另一实施例的电子装置的剖面示意图；图4为依据本专利技术另一实施例的保护结构的剖面示意图；图5A～5C为依据本专利技术实施例中图案化辅助层的三种范例的俯视图；图6A为依据本专利技术另一实施例的保护结构的剖面示意图；图6B为依据本专利技术另一实施例的保护结构的剖面示意图；图6C为依据本专利技术另一实施例的保护结构的剖面示意图；图7为依据本专利技术另一实施例的保护结构的剖面示意图；图8为依据本专利技术另一实施例的保护结构的剖面示意图；图9为依据本专利技术另一实施例的保护结构的剖面示意图；图10为依据本专利技术另一实施例的保护结构的剖面示意图；图11为依据本专利技术另一实施例的保护结构的剖面示意图；图12为依据本专利技术另一实施例的保护结构的剖面示意图；图13为不同保护结构的最大下压力模拟结果图。符号说明：10a～10j、10b-1、10b-2、10d-1、10d-2、20a、20a-1：保护结构；10a’、10b’-1、10b’-2、20a’、20a’-1：电子装置；100：基材；110：辅助层；110’：图案化辅助层；110a’：网状结构；110b’：长条形结构；110c’：六边形结构；110”：第一辅助层；1101：第一部分；1102：第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种保护结构，其特征在于，包括：基板；辅助层，位于所述基板上；以及硬质涂层，位于所述辅助层上，所述辅助层位于所述基板与所述硬质涂层之间，其中所述辅助层的杨氏模量大于所述硬质涂层的杨氏模量，所述硬质涂层的杨氏模量大于所述基板的杨氏模量。

【技术特征摘要】
2017.11.07 TW 1061385231.一种保护结构，其特征在于，包括：基板；辅助层，位于所述基板上；以及硬质涂层，位于所述辅助层上，所述辅助层位于所述基板与所述硬质涂层之间，其中所述辅助层的杨氏模量大于所述硬质涂层的杨氏模量，所述硬质涂层的杨氏模量大于所述基板的杨氏模量。2.如权利要求1所述的保护结构，其特征在于，所述辅助层的杨氏模量介于15至100GPa，所述硬质涂层的杨氏模量介于10至30GPa，所述基板的杨氏模量介于1至20GPa。3.如权利要求2所述的保护结构，其特征在于，所述辅助层的厚度介于0.1至30μm，所述硬质涂层的厚度介于5至35μm，所述基板的厚度介于5至50μm。4.如权利要求3所述的保护结构，其特征在于，还包括光学结构层，其中所述光学结构层设置于所述基板上，所述基板位于所述光学结构层及所述辅助层之间，且所述光学结构层的杨氏模量介于1至20GPa及厚度介于0.5至20μm。5.如权利要求3述的保护结构，其特征在于，还包括光学结构层，其中所述光学结构层设置于所述基板及所述辅助层之间，且所述光学结构层的杨氏模量介于1至20GPa及厚度介于0.5至20μm。6.如权利要求1所述的保护结构，其特征在于，所述辅助层包括无机材料、有机材料或有机材料与无机材料组成的复合材料，所述无机材料包括类钻碳、氮化硅、氧化硅、二氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、铝二氧化钛、蓝宝石镀膜、氮氧化钛或聚硅氮烷。7.如权利要求6所述的保护结构，其特征在于，所述辅助层靠近所述硬质涂层的表面为不连续面，所述不连续面具有微间隙小于1μm的表面结构。8.如权利要求6所述的保护结构，其特征在于，所述硬质涂层包括异戊四醇三甲基丙烯酸酯、压克力材料，或前述材料的组合。9.如权利要求1所述的保护结构，其特征在于，所述辅助层为图案化辅助层，所述图案化辅助层具有多个第一开口区，其中所述硬质涂层填入于所述图案化辅助层的所述第一开口区。10.如权利要求1所述的保护结构，其特征在于，还包括界面层，其中所述界面层位于所述辅助层及所述硬质涂层之间。11.如权利要求10所述的保护结构，其特征在于，所述辅助层为图案化辅助层，所述图案化辅助层具有多个第一开口区，其中所述界面层填入于所述图案化辅助层的所述第一开口区。12.如权利要求1所述的保护结构，其特征在于，所述硬质涂层为图案化硬质涂层，其中所述图案化硬质涂层具有多个第二开口区，所述保护结构还包括第一辅助层，所述第一辅助层覆盖于所述图案化硬质涂层的上方及侧边，并覆...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑莛薰，张志嘉，张凱铭，庄瑞彰，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，创智智权管理顾问股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71