优化的断路器布局结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种优化的断路器布局结构，包括灭弧系统、静触头、动触头、机构、脱扣器及转轴，其特征在于，还包括左盖及右盖，左盖及右盖在左、右方向上相互对接形成整体结构，脱扣器及机构设于整体结构外，灭弧系统、静触头、动触头及转轴位于整体结构内。本实用新型专利技术的另一个技术方案是提供了一种优化的N级结构的断路器布局结构，2≤N≤4，其特征在于，包括N个上述的整体结构，所有整体结构并排布置，上述的脱扣器及所述的机构设于任意一个整体结构外。本实用新型专利技术具有以下优点：良好的隔离性能；优良的相间及进出线间的绝缘能力；高电压等级下分断能力较高；解决了粒子反吹的问题。

【技术实现步骤摘要】
优化的断路器布局结构
本技术涉及一种塑壳断路器各器件的布局结构。
技术介绍
随着市场不断发展，越来越多的场合需要用到高电压等级的塑壳断路器，例如AC1150V、DC1500V等。业内大多数厂家的做法是，直接基于现有成熟的塑壳断路器衍生出产品，然而并不能很好地应用到这些场合，因为这些派生品或多或少存在着一些质量问题，例如：绝缘能力不够、分断能力低(在现有结构形式下，无法排布足够容量的灭弧室)，甚至连最基础的隔离性能都打折扣。目前市面上常见的单断点塑壳断路器的结构如图1、图2及图3所示，整体结构为上下形式安装，即上盖1与基底2上、下对接，灭弧系统3、静触头4、动触头5、机构6、脱扣器7、转轴8全部在一起，放置于上盖1与基底2之间的腔体中。如图4所示，在上盖1与基底2内，灭弧系统3、静触头4、动触头5、机构6、脱扣器7、转轴8呈左、中、右布置，灭弧系统3的安装空间有限。类似图1至图3所示的派生产品，除了前面提到的问题点，还存在一些其他问题，例如：机构6、转轴8与灭弧系统3在同一个腔体，电弧粒子反吹附着后烧毁或卡死机构6或转轴8，导致断路器丧失基本的分合功能。
技术实现思路
本技术的目的是：塑壳断路器各器件的新型布局，确保其在高电压等级应用下拥有优良的隔离性能，较高且可靠的分断能力，并解决电弧粒子反吹问题。为了达到上述目的，本技术的技术方案是提供了一种优化的断路器布局结构，包括灭弧系统、静触头、动触头、机构、脱扣器及转轴，其特征在于，还包括整体结构，脱扣器及机构设于整体结构外，整体结构包括左盖及右盖，左盖及右盖在左、右方向上相互对接后形成彼此独立的转轴腔体及灭弧室腔体，转轴腔体位于灭弧室腔体的上方，且灭弧室腔体的体积大于转轴腔体的体积，在灭弧室腔体与转轴腔体之间设有静触头，灭弧室腔体及转轴腔体内分别设有灭弧系统及转轴，动触头与转轴相连。优选地，所述静触头被所述左盖及所述右盖的材料包裹，仅有静触点外露。优选地，在所述左盖与右盖对接后的上部设有与所述灭弧室腔体相通的上出气通道，在所述左盖与右盖对接后的下部设有与所述灭弧室腔体相通的下出气通道。优选地，所述动触头与所述静触头的接触位置设置于所述灭弧室腔体中部。本技术的另一个技术方案是提供了一种优化的N级结构的断路器布局结构，2≤N≤4，其特征在于，包括N个上述的整体结构，所有整体结构并排布置，上述的脱扣器及所述的机构设于任意一个整体结构外。与现有的塑壳断路器相比，本技术具有以下优点：1、良好的隔离性能；2、优良的相间及进出线间的绝缘能力；3、高电压等级下分断能力较高；4、解决了粒子反吹的问题。附图说明图1为现有的塑壳断路器的示意图，图中，上盖1与基底2已上下对接；图2为现有的塑壳断路器的示意图，图中，上盖1与基底2未对接；图3为现有的塑壳断路器的内部示意图；图4为现有的塑壳断路器的整体布局原理图；图5为本技术的总体结构示意图；图6为本技术的整体布局简图；图7为本技术的整体结构的示意图，图中，左盖9与右盖10已左右对接；图8为本技术的整体结构的示意图，图中，左盖9与右盖10未对接；图9为本技术的内部结构示意图；图10为本技术的上下出气的示意图，图中虚线箭头为气流运动示意图；图11为本技术提供的两极结构的塑壳断路器的示意图。具体实施方式为使本技术更明显易懂，兹以优选实施例，并配合附图作详细说明如下。如图4所示，本技术提供的一种优化的断路器布局结构包括机构6、脱扣器7及整体结构，整体结构内有灭弧系统3、静触头4、动触头5及转轴8。结合图5，本技术整体布局既呈内、外两个部分(位于外部的机构6、脱扣器7及位于内部的灭弧系统3、静触头4、动触头5及转轴8)，又呈上、下两个部分(位于上部的机构6、脱扣器7、转轴8及位于下部的灭弧系统3、静触头4)。本技术将灭弧系统3、静触头4及转轴8设置为内部分，将机构6与脱扣器7设置为外部分，两者完全隔开，同时转轴8与静触头4、灭弧系统3又呈相对隔开状态(与派生产品相比，转轴腔体10-1较小，没有供气体泄漏的较大孔洞，分断发生时，避免了大量带电粒子反喷的可能)。同时，灭弧系统3与静触头4为下半部分，转轴8、机构6及脱扣器7为上半部分，灭弧系统3的灭弧室完全占据下半部分，在不增加产品整体外观尺寸条件下，获得最多片数栅片排布方案，灭弧室容量最大化，提升高压分断可靠性，而且这样的设计带来另一个好处就是，可以实现双出气口同时出气，既能使拉长的电弧均匀进入灭弧室，同时还能加快电弧的转移速度。具体而言，结合图7及图8，整体结构采用左、右形式安装，包括左盖9及右盖10。左盖9及右盖10在左、右方向上相互对接形成整体结构。灭弧系统3、静触头4、动触头5及转轴8位于整体结构内；机构6、脱扣器7则位于整体结构外。同时，整体结构内形成有上部安装空间及下部安装空间，上部安装空间的体积为下部安装空间的体积的2倍。上部安装空间主要用于容纳转轴腔体10-1，其体积较小，下部安装空间主要用于容纳灭弧室腔体9-1及静触头4，其体积较大。本技术将机构6与脱扣器7设置于整个结构外面，保证绝缘的同时可靠保护机构6不被分断产生的高温粒子损坏。结合图9及图10，采用密闭的转轴腔体10-1放置转轴8，同时采用密闭的灭弧室腔体9-1放置灭弧系统3，当短路发生时，触点间产生的电弧在电磁力和气压作用下只能向上下两端的出气口转移(也就是灭弧室的方向)。这样就可靠保护转轴系统与软连接线不被分断产生的高温粒子损坏。同时，本技术采用完全密闭的腔体设计，有效包裹分断产生的电弧粒子，具备优良的相间绝缘性能力。并且灭弧室腔体9-1密闭设计，最大化灭弧系统，形成极致的灭弧室容量方案。如图8及图9所示，静触头4被左盖9及右盖10包裹，仅有静触点外露，分断时静触头4不会被电弧灼伤，且在断路器断开位置时，产品整体拥有较大的开距，进出线间具有良好且可靠的绝缘能力。如图10所示，本技术采用上下出气，快速转移高温高压气体，如图10虚线箭头所示。具体而言，在产品的上部设有与灭弧室腔体9-1相通的上出气通道9-2，在产品的下部设有与灭弧室腔体9-1相通的下出气通道9-3。以上给出了单级结构的断路器布局方式。本技术的布局方式还适用于二级、三级甚至四级结构的断路器。以二级结构的断路器而言，如图11所示，只需采用两个上述的整体结构即可实现，两个整体结构并排布置，脱扣器7及机构6设于任意一个整体结构外。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种优化的断路器布局结构，包括灭弧系统(3)、静触头(4)、动触头(5)、机构(6)、脱扣器(7)及转轴(8)，其特征在于，还包括整体结构，脱扣器(7)及机构(6)设于整体结构外，整体结构包括左盖(9)及右盖(10)，左盖(9)及右盖(10)在左、右方向上相互对接后形成彼此独立的转轴腔体(10‑1)及灭弧室腔体(9‑1)，转轴腔体(10‑1)位于灭弧室腔体(9‑1)的上方，且灭弧室腔体(9‑1)的体积大于转轴腔体(10‑1)的体积，在灭弧室腔体(9‑1)与转轴腔体(10‑1)之间设有静触头(4)，灭弧室腔体(9‑1)及转轴腔体(10‑1)内分别设有灭弧系统(3)及转轴(8)，动触头(5)与转轴(8)相连。

【技术特征摘要】
1.一种优化的断路器布局结构，包括灭弧系统(3)、静触头(4)、动触头(5)、机构(6)、脱扣器(7)及转轴(8)，其特征在于，还包括整体结构，脱扣器(7)及机构(6)设于整体结构外，整体结构包括左盖(9)及右盖(10)，左盖(9)及右盖(10)在左、右方向上相互对接后形成彼此独立的转轴腔体(10-1)及灭弧室腔体(9-1)，转轴腔体(10-1)位于灭弧室腔体(9-1)的上方，且灭弧室腔体(9-1)的体积大于转轴腔体(10-1)的体积，在灭弧室腔体(9-1)与转轴腔体(10-1)之间设有静触头(4)，灭弧室腔体(9-1)及转轴腔体(10-1)内分别设有灭弧系统(3)及转轴(8)，动触头(5)与转轴(8)相连。2.如权利要求1所述的一种优化的断路器布局结构，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙吉升，张森林，
申请(专利权)人：上海电器科学研究所集团有限公司，上海电器科学研究院，
类型：新型
国别省市：上海,31