【技术实现步骤摘要】
一种降低静态随机存取存储器功耗的系统及方法
本专利技术涉及数据存取器领域，尤其涉及一种降低静态随机存取存储器功耗的系统及方法。
技术介绍
通常地，SRAM（静态随机存取存储器）有外围供电管脚输入的VDDPE和核心供电管脚输入的VDDCE两路供电，以及VSSE（接地）。SRAM正常工作时，VDDPE和VDDCE都需要正常供电，而在sleep（休眠）模式下，为了节省功耗，只需要保持VDDCE这一路供电即可，此时，SRAM内部的数据不会丢失。一般地，SRAM的VDDPE和VDDCE的供电连接方式如图1所示，两路供电各自通过一个开关后，合并到系统电源VDD（SOC）供电网络上去。对功耗要求高的产品来说，这种连接方式有几个缺点：1、在sleep模式下，当只需要保持SRAM数据，即SRAM处于retention状态时，为了保证VDDCE供电，VDD（SOC）以及其供电网络都不能处于关闭状态，此时系统漏电比较大，功耗也大大增加；2、当SRAM处于retention状态，即VDDCE单独供电时，为了达到最优效果，VDDCE电压值可以设置比较低，那么，就要求VDD（SOC）的设计可...
【技术保护点】
1.一种降低静态随机存取存储器功耗的系统，其特征在于，包括控制模块、系统电源模块、低压电源模块、第一供电网络模块、第二供电网络模块、及静态随机存取存储器；所述控制模块分别与所述系统电源模块、低压电源模块及静态随机存取存储器相连；所述静态随机存取存储器分别与所述第一供电网络模块、及所述第二供电网络模块相连，所述系统电源模块分别与所述第一供电网络模块、所述第二供电网络模块相连，且所述低压电源模块与所述第二供电网络模块相连，其中：当所述静态随机存取存储器处于工作状态时，所述控制模块控制所述低压电源模块断开，所述系统电源模块通过所述第一供电网络模块给所述静态随机存取存储器的外围供电...
【技术特征摘要】
1.一种降低静态随机存取存储器功耗的系统，其特征在于，包括控制模块、系统电源模块、低压电源模块、第一供电网络模块、第二供电网络模块、及静态随机存取存储器；所述控制模块分别与所述系统电源模块、低压电源模块及静态随机存取存储器相连；所述静态随机存取存储器分别与所述第一供电网络模块、及所述第二供电网络模块相连，所述系统电源模块分别与所述第一供电网络模块、所述第二供电网络模块相连，且所述低压电源模块与所述第二供电网络模块相连，其中：当所述静态随机存取存储器处于工作状态时，所述控制模块控制所述低压电源模块断开，所述系统电源模块通过所述第一供电网络模块给所述静态随机存取存储器的外围供电管脚供电，且所述系统电源模块还通过所述第二供电网络模块给所述静态随机存取存储器的核心供电管脚供电，提供所述静态随机存取存储器工作时所需的工作电压；当所述静态随机存取存储器处于休眠状态时，所述控制模块控制所述低压电源模块导通、并控制所述系统电源模块断开；所述低压电源模块通过所述第二供电网络模块给所述静态随机存取存取器的核心供电管脚供电，提供所述静态随机存取存储器休眠时所需的休眠电压。2.根据权利要求1所述的一种降低静态随机存取存储器功耗的系统，其特征在于，所述低压电源模块包括一低压差线性稳压器。3.根据权利要求2所述的一种降低静态随机存取存储器功耗的系统，其特征在于，所述低压差线性稳压器包括：一个运算放大器、三个MOS管、两个开关、两个电阻及一个电容；其中：所述运算放大器的输出端分别与三个MOS管的栅极电连接，其中，第一个MOS管的源极依次串联两个电阻后接地，且其漏极接外接电源，其栅极与所述电容电连接后接地；所述运算放大器的同相输入端输入参考电压；所述运算放大器的反相输入端电连接至所述串联的两个电阻的公共端；第二个MOS管的漏极通过一个开关后与外接电源电连接，第三个MOS管的漏极通过另一个开关后与所述外接电源电连接，所述第二个MOS管与第三个MOS管的源极端共同作为所述低压差线性稳压器的输出端。4.根据权利要求1所述的一种降低静态随机存取存储器功耗的系统，其特征在于，所述系统电源模块包括：供电子模块、及与所述供电子模块相连的开关子模块，所述开关子模块还与所述第一供电网络模块、所述第二供电网络模块相连。5.根据权利要求4所述的一种降低静态随机存取存储器功耗的系统，其特征在于，所述开关子模块包括：第一开关单元及第二开关单元；所述第一开关单元与所述第一供电网络模块相连，所述第二开关单...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄金新，刘石，陈作添，杨振宇，
申请(专利权)人：上海移芯通信科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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