一种存储装置、处理器和电子设备制造方法及图纸

本申请提供了一种存储装置，包括：第一源极，用于为所述存储装置提供电源；栅极，用于与所述第一源极形成电场；以及设置于所述第一源极和所述栅极之间的悬浮门，用于存储表征存储装置存储信息的电子；其中，所述第一源极和所述栅极具有第一电压。该存储装置中，由于该第一源极与栅极具有相同的电压，则二者之间无电势差，因此，基于该第一源极与栅极间形成的电场，使得处于该电场中的悬浮门内的电子静止，进而使得该存储装置被读取时的逻辑极性不变，保证了电子设备中的存储结构逻辑极性维持不变。

A Storage Device, Processor and Electronic Device

【技术实现步骤摘要】
一种存储装置、处理器和电子设备
本专利技术涉及电子设备领域，更具体的说，是涉及一种存储装置、处理器和电子设备。
技术介绍
电子设备一般都具有存储结构，用于对信息进行存储，但是，在电子设备使用一段时间后，电子设备的存储结构会出现问题。该存储结构的问题具体表现为，该存储结构逻辑极性不稳定。因此，亟需一种能够保证该存储结构的逻辑极性稳定的方法。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种存储装置、处理器和电子设备，解决了现有技术中电子设备的存储结构逻辑极性不稳定的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种存储装置，包括：第一源极，用于为所述存储装置提供电源；栅极，用于与所述第一源极形成电场；以及设置于所述第一源极和所述栅极之间的悬浮门，用于存储表征存储装置存储信息的电子；其中，所述第一源极和所述栅极具有第一电压。优选的，上述的存储装置，其中，所述悬浮门两端的电压差值表征所述存储单元的实际电压准位，基于所述实际电压准位为0，所述存储装置处于读取状态时的逻辑极性为0。优选的，上述的存储装置，还包括：第二源极；所述第二源极与所述栅极之间的电压差表征当前所述存储装置是否处于读取状态；其中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储装置，包括：第一源极，用于为所述存储装置提供电源；栅极，用于与所述第一源极形成电场；以及设置于所述第一源极和所述栅极之间的悬浮门，用于存储表征存储装置存储信息的电子；其中，所述第一源极和所述栅极具有第一电压。

【技术特征摘要】
1.一种存储装置，包括：第一源极，用于为所述存储装置提供电源；栅极，用于与所述第一源极形成电场；以及设置于所述第一源极和所述栅极之间的悬浮门，用于存储表征存储装置存储信息的电子；其中，所述第一源极和所述栅极具有第一电压。2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述悬浮门两端的电压差值表征所述存储单元的实际电压准位，基于所述实际电压准位为0，所述存储装置处于读取状态时的逻辑极性为0。3.根据权利要求1所述的存储装置，还包括：第二源极；所述第二源极与所述栅极之间的电压差表征当前所述存储装置是否处于读取状态；其中，所述第二源极具有第二电压时，所述存储装置处于读取状态；所述第二源极具有第一电压时，所述存储装置处于待机状态。4.根据权利要求3所述的存储装置，还包括：漏极，用于与第一源极、栅极组成第一三极管、以及用于与所述第二源极、所述栅极组成第二三极管；其中，所述漏极具有第三电压时，所述存储装置处于读取状态；所述漏极具有第一电压时，所述存储装置处于待机状态。5.根据权利要求1所述的存储装置，还包括：顶门，所述顶门与所述栅极相连，且所述顶门与所述悬浮门平行排列。6.一种处理器，包括：至少两个存储装置；其中，所述存储装置包括第一源极、栅极以及设置于所述第一源极和所述栅极之间的悬浮门；其中，第一源极，用于为所述存储装置提供电源；栅极，用于与所述第一源极形成电场；所述悬浮门，用于存储表征存储装置存储信息的电子...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋建华，
申请(专利权)人：联想北京有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11