一种存储装置、处理器和电子设备制造方法及图纸

本申请提供了一种存储装置，包括：第一源极，用于为所述存储装置提供电源；栅极，用于与所述第一源极形成电场；以及设置于所述第一源极和所述栅极之间的悬浮门，用于存储表征存储装置存储信息的电子；其中，所述第一源极和所述栅极具有第一电压。该存储装置中，由于该第一源极与栅极具有相同的电压，则二者之间无电势差，因此，基于该第一源极与栅极间形成的电场，使得处于该电场中的悬浮门内的电子静止，进而使得该存储装置被读取时的逻辑极性不变，保证了电子设备中的存储结构逻辑极性维持不变。

A Storage Device, Processor and Electronic Device

【技术实现步骤摘要】
一种存储装置、处理器和电子设备
本专利技术涉及电子设备领域，更具体的说，是涉及一种存储装置、处理器和电子设备。
技术介绍
电子设备一般都具有存储结构，用于对信息进行存储，但是，在电子设备使用一段时间后，电子设备的存储结构会出现问题。该存储结构的问题具体表现为，该存储结构逻辑极性不稳定。因此，亟需一种能够保证该存储结构的逻辑极性稳定的方法。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种存储装置、处理器和电子设备，解决了现有技术中电子设备的存储结构逻辑极性不稳定的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种存储装置，包括：第一源极，用于为所述存储装置提供电源；栅极，用于与所述第一源极形成电场；以及设置于所述第一源极和所述栅极之间的悬浮门，用于存储表征存储装置存储信息的电子；其中，所述第一源极和所述栅极具有第一电压。优选的，上述的存储装置，其中，所述悬浮门两端的电压差值表征所述存储单元的实际电压准位，基于所述实际电压准位为0，所述存储装置处于读取状态时的逻辑极性为0。优选的，上述的存储装置，还包括：第二源极；所述第二源极与所述栅极之间的电压差表征当前所述存储装置是否处于读取状态；其中，所述第二源极具有第二电压时，所述存储装置处于读取状态；所述第二源极具有第一电压时，所述存储装置处于待机状态。优选的，上述的存储装置，还包括：漏极，用于与第一源极、栅极组成第一三极管、以及用于与所述第二源极、所述栅极组成第二三极管；其中，所述漏极具有第三电压时，所述存储装置处于读取状态；所述漏极具有第一电压时，所述存储装置处于待机状态。优选的，上述的存储装置，还包括：顶门，所述顶门与所述栅极相连，且所述顶门与所述悬浮门平行排列。一种处理器，包括：至少两个存储装置；其中，所述存储装置包括第一源极、栅极以及设置于所述第一源极和所述栅极之间的悬浮门；其中，第一源极，用于为所述存储装置提供电源；栅极，用于与所述第一源极形成电场；所述悬浮门，用于存储表征存储装置存储信息的电子；其中，所述第一源极和所述栅极具有第一电压。优选的，上述的处理器，所述存储装置中所述悬浮门两端的电压差值表征所述存储装置的实际电压准位，基于所述实际电压准位为0，所述存储装置处于读取状态时的逻辑极性为0。优选的，上述的处理器，所述存储装置，还包括：第二源极；所述第二源极与所述栅极之间的电压差表征当前所述存储装置是否处于读取状态；其中，所述第二源极具有第二电压时，所述存储装置处于读取状态；所述第二源极具有第一电压时，所述存储装置处于待机状态。优选的，上述的处理器，所述存储装置，还包括：漏极，用于与第一源极、栅极组成第一三极管、以及用于与所述第二源极、所述栅极组成第二三极管；其中，所述漏极具有第三电压时，所述存储装置处于读取状态；所述漏极具有第一电压时，所述存储装置处于待机状态。一种电子设备，包括第一处理器和第二处理器；所述第一处理器具有工作状态和非工作状态；所述第二处理器中具有工作状态，用于在所述第一处理器采用非工作状态时，获得输入信息，并触发所述第一处理器切换为工作状态；其中，所述第二处理器中包含有至少两个存储装置；所述存储装置包括第一源极、栅极以及设置于所述第一源极和所述栅极之间的悬浮门；其中，第一源极，用于为所述存储装置提供电源；栅极，用于与所述第一源极形成电场；所述悬浮门，用于存储表征存储装置存储信息的电子；其中，所述第一源极和所述栅极具有第一电压。经由上述的技术方案可知，与现有技术相比，本专利技术提供了一种存储装置，包括：第一源极，用于为所述存储装置提供电源；栅极，用于与所述第一源极形成电场；以及设置于所述第一源极和所述栅极之间的悬浮门，用于存储表征存储装置存储信息的电子；其中，所述第一源极和所述栅极具有第一电压。该存储装置中，由于该第一源极与栅极具有相同的电压，则二者之间无电势差，因此，基于该第一源极与栅极间形成的电场，使得处于该电场中的悬浮门内的电子静止，进而使得该存储装置被读取时的逻辑极性不变，保证了电子设备中的存储结构逻辑极性维持不变。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本申请提供的一种存储装置实施例1的结构示意图；图2为现有技术中逻辑极性变化的原理示意图；图3为现有技术中初始读取(2.2V7天供电)分布情况示意图；图4为现有技术中高温烘烤分布情况；图5为本申请提供的一种存储装置实施例1的另一结构示意图；图6为本申请提供的一种存储装置实施例2的结构示意图；图7为本申请提供的一种存储装置实施例3的结构示意图；图8为本申请提供的一种存储装置的应用场景示意图；图9为本申请提供的一种处理器实施例的结构示意图；图10为本申请提供的一种电子设备实施例的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。如图1所示的，为本申请提供的一种存储装置实施例1的结构示意图，该装置包括以下结构：第一源极(source)、栅极(CG)和悬浮门(floatinggate)；其中，该第一源极，用于为所述存储装置提供电源；其中，该栅极，用于与所述第一源极形成电场；其中，该悬浮门，设置于所述第一源极和所述栅极之间，用于存储表征存储装置存储信息的电子；其中，所述第一源极和所述栅极具有第一电压。具体的，该悬浮门中存储有电子，该电子的分布状态表征了该存储装置存储信息的状态。具体实施中，该存储信息的状态表示为该存储装置的逻辑极性，0或者1。需要说明的是，该第一源极与栅极之间具有相同的第一电压，该第一电压基于第一源极与栅极间形成电场，该电场内无电势差，使得处于该电场中的悬浮门内的电子静止，杜绝发生漏电的可能，解决了因为漏电导致的逻辑极性变化的问题，使得该存储装置的逻辑极性不变。其中，所述悬浮门两端的电压差值表征所述存储单元的实际电压准位，而由于该悬浮门两端的电压均是第一电压，则该存储单元的实际电压准位为0，基于所述实际电压准位为0，所述存储装置处于读取状态时的逻辑极性为0。需要说明的是，由于该悬浮门两端的电压均是第一电压，即使随着使用时间的增长，该悬浮门内的电子也不受到影响，不会发生移动，进而保证该存储装置被读取时的逻辑极性不变。需要说明的是，具体实施中，该存储装置可以采用E-flash(高压嵌入式快闪记忆体)。如图5所示的为本申请提供的一种存储装置实施例1的另一结构示意图，该装置包括以下结构：第一源极(source)、栅极(CG)和悬浮门(floatinggate)以及顶门(topgate)；其中，该第一源极、栅极、悬浮门的结构功能与上一结构示意图中一致。其中，该顶门，所述顶门与所述栅极相连，且所述顶门与所述悬浮门平行排列。具体的，该顶门用于控制场内电子的移动，以完成悬浮门存储电子形成电场的过程，以实现控制存储单元的写入和擦除。如图2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储装置，包括：第一源极，用于为所述存储装置提供电源；栅极，用于与所述第一源极形成电场；以及设置于所述第一源极和所述栅极之间的悬浮门，用于存储表征存储装置存储信息的电子；其中，所述第一源极和所述栅极具有第一电压。

【技术特征摘要】
1.一种存储装置，包括：第一源极，用于为所述存储装置提供电源；栅极，用于与所述第一源极形成电场；以及设置于所述第一源极和所述栅极之间的悬浮门，用于存储表征存储装置存储信息的电子；其中，所述第一源极和所述栅极具有第一电压。2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述悬浮门两端的电压差值表征所述存储单元的实际电压准位，基于所述实际电压准位为0，所述存储装置处于读取状态时的逻辑极性为0。3.根据权利要求1所述的存储装置，还包括：第二源极；所述第二源极与所述栅极之间的电压差表征当前所述存储装置是否处于读取状态；其中，所述第二源极具有第二电压时，所述存储装置处于读取状态；所述第二源极具有第一电压时，所述存储装置处于待机状态。4.根据权利要求3所述的存储装置，还包括：漏极，用于与第一源极、栅极组成第一三极管、以及用于与所述第二源极、所述栅极组成第二三极管；其中，所述漏极具有第三电压时，所述存储装置处于读取状态；所述漏极具有第一电压时，所述存储装置处于待机状态。5.根据权利要求1所述的存储装置，还包括：顶门，所述顶门与所述栅极相连，且所述顶门与所述悬浮门平行排列。6.一种处理器，包括：至少两个存储装置；其中，所述存储装置包括第一源极、栅极以及设置于所述第一源极和所述栅极之间的悬浮门；其中，第一源极，用于为所述存储装置提供电源；栅极，用于与所述第一源极形成电场；所述悬浮门，用于存储表征存储装置存储信息的电子...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋建华，
申请(专利权)人：联想北京有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11