电磁场近场探头制造技术

本实用新型专利技术涉及一种电磁场近场探头，其包括探头本体和连接组件；探头本体包括铜芯、第一屏蔽层、第二屏蔽层和隔直电容，第一屏蔽层和第二屏蔽层间隔设置并分别罩住铜芯的不同区段；第一屏蔽层所在的区段记为第一区段，第二屏蔽层所在的区段记为第二区段；隔直电容设于第二区段内；连接组件包括第一金属片和第二金属片，第一金属片设于第一区段上，第二金属片设于第二区段上；第一金属片连接屏蔽地，第二金属片连接铜芯；电场测试模式下，第一金属片和第二金属片不连接；磁场测试模式下，第一金属片和第二金属片接触形成闭合磁场探头回路。该电磁场近场探头为电场、磁场二合一探头，集成度高，成本较低。

【技术实现步骤摘要】
电磁场近场探头
本技术涉及一种电磁场近场探头。
技术介绍
近场探头是用于配合频谱分析仪查找干扰源的设备。常规的近场探头分别有电场探头、磁场探头等，各近场探头的功能单一，且价格昂贵。
技术实现思路
本技术针对现有技术中存在的技术问题，提供一种用于检测EMC(电磁兼容性)辐射是否超标的电磁场近场探头，既能够进行电场测试，又能够进行磁场测试，降低成本，提高集成度。本技术解决上述技术问题的技术方案如下：一种电磁场近场探头，包括探头本体和连接组件；所述探头本体包括铜芯、第一屏蔽层、第二屏蔽层和隔直电容，所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层间隔设置并分别罩住所述铜芯的不同区段；所述探头本体上所述第一屏蔽层所在的区段记为第一区段，所述第二屏蔽层所在的区段记为第二区段；所述隔直电容设于所述第二区段内；所述连接组件包括第一金属片和第二金属片，所述第一金属片设于所述第一区段上，所述第二金属片设于所述第二区段上；所述第一金属片连接屏蔽地，所述第二金属片连接所述铜芯，所述第一金属片和所述第二金属片之间的区段记为连接区段；电场测试模式下，所述第一金属片和所述第二金属片不连接；磁场测试模式下，弯折所述连接区段使所述第一金属片本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电磁场近场探头，其特征在于，包括探头本体和连接组件；所述探头本体包括铜芯、第一屏蔽层、第二屏蔽层和隔直电容，所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层间隔设置并分别罩住所述铜芯的不同区段；所述探头本体上所述第一屏蔽层所在的区段记为第一区段，所述第二屏蔽层所在的区段记为第二区段；所述隔直电容设于所述第二区段内；所述连接组件包括第一金属片和第二金属片，所述第一金属片设于所述第一区段上，所述第二金属片设于所述第二区段上；所述第一金属片连接屏蔽地，所述第二金属片连接所述铜芯，所述第一金属片和所述第二金属片之间的区段记为连接区段；电场测试模式下，所述第一金属片和所述第二金属片不连接；磁场测试模式下，弯折所述...

【技术特征摘要】
1.一种电磁场近场探头，其特征在于，包括探头本体和连接组件；所述探头本体包括铜芯、第一屏蔽层、第二屏蔽层和隔直电容，所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层间隔设置并分别罩住所述铜芯的不同区段；所述探头本体上所述第一屏蔽层所在的区段记为第一区段，所述第二屏蔽层所在的区段记为第二区段；所述隔直电容设于所述第二区段内；所述连接组件包括第一金属片和第二金属片，所述第一金属片设于所述第一区段上，所述第二金属片设于所述第二区段上；所述第一金属片连接屏蔽地，所述第二金属片连接所述铜芯，所述第一金属片和所述第二金属片之间的区段记为连接区段；电场测试模式下，所述第一金属片和所述第二金属片不连接；磁场测试模式下，弯折所述连接区段使所述第一金属片和所述第二金属片接触形成闭合磁场探头回路。2.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李松阳，
申请(专利权)人：武汉蓝星科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北,42