包含具有高RF调谐、宽热操作范围及低粘度的射频液晶(RFLC)混合物的天线制造技术

本发明专利技术公开一种包含具有改进的性能的射频(RF)液晶(RFLC)混合物的装置。在一个实施例中，改进的性能包括高RF调谐、宽热操作范围以及低粘度。在一个实施例中，该装置包括天线，该天线包括：具有多个天线元件的天线元件阵列，每个天线元件具有液晶(LC)结构，其中LC结构包括以下中的一种或多种的混合物：

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包含具有高RF调谐、宽热操作范围及低粘度的射频液晶(RFLC)混合物的天线相关申请的交叉引用本专利申请要求于2016年5月20日提交的序列号为62/339,550、题为“具有高RF调谐、宽热操作范围以及低粘度的射频液晶(RFLC)混合物”的临时专利申请的优先权，并通过引用其相关内容并入本文。
本专利技术的实施例涉及具有液晶(LC)的射频(RF)装置的领域；更具体地，本专利技术的实施例涉及具有适用于超材料调谐天线的高RF调谐和低粘度的射频(RF)装置。
技术介绍
最近，已经公开表面散射天线和其他这样的射频装置，其使用基于液晶(LC)的超材料元件作为装置的一部分。在天线的情况下，LC已被用作用于调谐天线元件的天线元件的一部分。这些装置的性能至少部分地取决于所使用的LC。因此，可期望开发具有改善使用它们的装置的性能的性质的LC。
技术实现思路
公开一种包含具有改进的性能的射频(RF)液晶(RFLC)混合物的装置。在一个实施例中，改进的性能包括高RF调谐、宽热操作范围以及低粘度。在一个实施例中，该装置包括天线，该天线包括：具有多个天线元件的天线元件阵列，并且每个天线元件具有液晶(LC)结构，其中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种天线，包括：具有多个天线元件的天线元件阵列，每个天线元件具有液晶(LC)结构，其中，所述LC结构包括以下中的一种或多种的混合物：

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.05.20 US 62/339,550;2017.05.19 US 15/600,5141.一种天线，包括：具有多个天线元件的天线元件阵列，每个天线元件具有液晶(LC)结构，其中，所述LC结构包括以下中的一种或多种的混合物：用质子、氢(H)或杂原子中的至少一个或多个进行侧向官能化。2.根据权利要求1所述的天线，其中，所述杂原子包括选自氟(F)、溴(Br)或氯(Cl)中的至少一种。3.根据权利要求1所述的天线，其中，Rx、Ry和Rz包含一个或多个烷基。4.根据权利要求3所述的天线，其中，所述一个或多个烷基包括选自甲基(CH3)乙基(CH2CH3)、丙基(CH2CH2CH3)或甲氧基(OCH3)、乙氧基(OCH2CH3)、丙氧基(OCH2CH3)或三氟甲氧基(OCF3)中的一个或多个。5.根据权利要求1所述的天线，其中，A是饱和碳链、烷氧基(OCnH(2n+i))、环己基或苯基部分。6.根据权利要求1所述的天线，其中，B是第二烷基、烷氧基链或极性基团。7.根据权利要求6所述的天线，其中，所述极性基团包括杂原子、氰基(CN)、或异硫氰酸酯(NCS)、三氟甲氧基(OCF3)、氰基(CN)、溴(Br)或三氟苯基(C6H2F3)。8.根据权利要求1所述的天线，其中，所述混合物包括以下中的一个或多个：其中，D等于CH2，O，S或Se；R1-R12等于CnH(2n+i)，H，F，Cl，SCnH(2n+1)，SeCnH(2n+1)或Br；X等于NCS，F，Br，CI或H，以及n是整数。9.根据权利要求8所述的天线，其中，n等于1到7。10.根据权利要求8所述的天线，其中，在结构1中，D是碳和两个氢，X等于NCS，并且n等于4。11.根据权利要求8所述的天线，其中，在结构1中，D是氧和两个氢，X等于NCS，并且n等于4。12.根据权利要求8所述的天线，其中，在结构2中，D等于并且X等于NCS。13.根据权利要求8所述的天线，其中，在结构3中，D等于并且X等于NCS。14.根据权利要求8所述的天线，其中，在结构4中，D等于并且X等于NCS。15.根据权利要求8所述的天线，其中，在结构5中，D等于并且X等于NCS。1...

【专利技术属性】
技术研发人员：菲利普·A·莎莉文，W·布兰登·卡尔森，格莱格瑞·D·斐乐，赖安·史蒂文森，男森·昆杜兹，莫森·萨兹加尔，
申请(专利权)人：集美塔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US