【技术实现步骤摘要】
一种同步整流控制电路、控制方法及开关电路
本专利技术涉及电力电子变换领域,更具体地,涉及一种同步整流控制电路、控制方法及开关电路。
技术介绍
同步整流是采用通态电阻低的功率MOSFET来取代整流二极管以降低整流损耗的一种方法。功率MOSFET属于电压控制型器件,在导通时的伏安特性呈线性关系。用功率MOSFET以进行整流时,栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能。开关电源根据工作模式,可分为断续电流模式(DCM)和连续电流模式(CCM)。同步整流应用在不同工作模式下其工作方式存在差别。以反激电路为例来进行说明。图1为反激电路的示意图,包括:变压器T以实现原副边的隔离,原边主功率管S1、副边同步整流管S2、输入电容C1和输出电容C2。当工作在DCM工作模式时,原边主功率管S1受驱动信号VGATE_PRI控制在副边同步整流电流到零之后才会开通,此时同步整流管S2的驱动信号VGATE_SEC控制其电流为零或者之前关断,从而不会发生两个开关管直通现象。在CCM工作状态时,原边开关管S1在副边同步整流电流到零之前存在导通风险。在定频开关电源中,原边开关管会在固定时刻导通。在变频开关电源中,随着电路外部条件变化(如输入输出电压变化,输出功率变化),原边开关管导通时刻变化很大,很难预测。图2给出了反激电路在DCM工作状态下相关信号的波形图。图3给出了反激电路在CCM工作状态下相关信号的波形图。图中波形从上至下依次为原边主功率管管S1的驱动信号VGATE_PRI、副边同步整流管S2的驱动信号VGATE_SEC、同步整流电流ISEC以及原边主功率管S1的漏源电 ...
【技术保护点】
1.一种同步整流控制电路,用于控制包括同步整流管的开关电路,其特征在于,所述控制电路包括:驱动电路,被配置为输出驱动信号以控制所述同步整流管的工作状态;电压调节电路,被配置为在所述同步整流管关断前,当所述同步整流管的漏源电压大于调节阈值时进入调节状态,以控制所述驱动电路调节所述驱动信号的幅值,并使所述驱动信号的幅值下降至预设阈值,其中,所述电压调节电路处于所述调节状态的时间记为调节时间。
【技术特征摘要】
2018.12.21 CN 20181157281281.一种同步整流控制电路,用于控制包括同步整流管的开关电路,其特征在于,所述控制电路包括:驱动电路,被配置为输出驱动信号以控制所述同步整流管的工作状态;电压调节电路,被配置为在所述同步整流管关断前,当所述同步整流管的漏源电压大于调节阈值时进入调节状态,以控制所述驱动电路调节所述驱动信号的幅值,并使所述驱动信号的幅值下降至预设阈值,其中,所述电压调节电路处于所述调节状态的时间记为调节时间。2.根据权利要求1所述的同步整流控制电路,其特征在于,所述调节时间随着所述调节阈值的变化而自适应调节。3.根据权利要求1所述的同步整流控制电路,其特征在于,所述电压调节电路包括阈值调节电路,所述阈值调节电路被配置为根据之前周期的所述调节时间和预设时间调节所述调节阈值,以使得所述调节时间等于所述预设时间。4.根据权利要求3所述的同步整流控制电路,其特征在于,所述阈值调节电路被配置为根据上一周期的所述调节时间和预设时间调节所述调节阈值,以使得所述调节时间等于所述预设时间。5.根据权利要求4所述的同步整流控制电路,其特征在于,当所述调节时间大于所述预设时间时,增大所述调节阈值;当所述调节时间小于所述预设时间时,减小所述调节阈值。6.根据权利要求2所述的同步整流控制电路,其特征在于,所述电压调节电路包括计时电路,所述计时电路用于获取所述调节时间。7.根据权利要求4所述的同步整流控制电路,其特征在于,所述阈值调节电路还包括:第一跨导放大器,其输入端接收所述调节时间与所述预设时间,输出端与第一电容连接,用以给所述第一电容充放电以形成参考电压;以及第二跨导放大器,第一输入端接收所述参考电压,第二输入端连接至参考地,输出端与第一电阻连接,以在所述第一电阻上产生所述调节阈值。8.根据权利要求4所述的同步整流控制电路,其特征在于,所述电压调节电路还包括幅值调节电路,所述幅值调节电路被配置为根据所述调节阈值、所述漏源电压、所述预设阈值以及所述驱动信号来调节所述驱动信号,以使得所述驱动信号的幅值在所述预设时间内维持在所述预设阈值。9.根据权利要求8所述的同步整流控制电路,其特征在于,所述幅值调节电路包括:第一比较器,其输入端接收所述漏源电压和所述调节阈值,并在所述漏源电压大于所述调节阈值时,产生第一控制信号,以下拉所述驱动信号;第二比较器,输入端接收所述驱动信号和所述预设阈值,并在所述驱动信号小于所述预设阈值,产生第二控制信号,以控制所述驱动信号维持在所述预设阈值,其中所述第一控制信号和所述第二控制信号共同产生驱动控制信号。10.根据权利要求9所述的同步整流控制电路,其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员:李新磊,
申请(专利权)人:西安矽力杰半导体技术有限公司,
类型:发明
国别省市:陕西,61
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。