一种交直流转换电路制造技术

本发明专利技术揭示了一种交直流转换电路，包括功率集成模块、自适应输入电压检测模块以及自平衡输出稳压模块，所述功率集成模块、自适应输入电压检测模块以及自平衡输出稳压模块三者电性连接，所述功率集成模块的电信号输入端与电源系统的交流输入端电性连接，所述自平衡输出稳压模块的电信号输出端与电源系统的直流输出端电性连接。本发明专利技术适应性强、使用效果好，不仅实现了对电源系统的优化、降低了系统的成本而且也提升了系统的可靠性、降低了芯片系统失效率。

An AC/DC Converter Circuit

The invention discloses an AC/DC conversion circuit, which comprises a power integration module, an adaptive input voltage detection module and a self-balanced output voltage stabilization module. The power integration module, an adaptive input voltage detection module and a self-balanced output voltage stabilization module are electrically connected. The electric signal input terminal of the power integration module is electrically connected with the AC input terminal of the power supply system. The output end of the self-balancing output voltage stabilization module is electrically connected with the DC output end of the power supply system. The invention has strong adaptability and good use effect, not only realizes the optimization of the power supply system, reduces the cost of the system, but also improves the reliability of the system and reduces the failure rate of the chip system.

【技术实现步骤摘要】
一种交直流转换电路
本专利技术涉及一种转换电路，具体而言，涉及一种适合于电源管理集成电路的交直流转换电路，属于功率半导体

技术介绍
电源系统作为现代电能变换技术的核心组成部分，已经被广泛地应用在了电力、通信、交通、工业控制等领域中。现阶段，行业内常用的电源系统按照其结构的不同大致可以分为隔离式和非隔离式两种类型。具体而言，隔离式电源系统是指输入和输出通过变压器等磁性元器件电气连接的电源系统，而非隔离式电源系统则是指在输入端和负载端之间没有通过变压器进行电气隔离、而直接连接，且输入端和负载端共地的电源系统。两者相较而言，非隔离式电源系统凭借其系统结构较为简单、制造成本较低等优点，被广泛地应用于小家电、智能家居等领域中。目前，市面上存在的传统的非隔离电源系统的结构如图1所示，系统由限流电阻R1，整流二极管D1，电容C1、C2，电源电容C3，输出电容C4，滤波电感L1，储能电感L2，续流二极管D2，反馈二极管D3以及控制芯片等元件组成。但是在实际的使用过程中，技术人员发现，这样的系统结构经常会受到电路中寄生参数的影响，从而导致系统参数不稳。并且，现有系统中所使用的元件仍然较多，结构不够精简、系统装配成本也并不低廉，因此在这类系统的小型化应用过程中会受到较大的限制。正因现有技术中存在着上述诸多不足，因此，如何在现有技术的基础上提供一种全新的交直流转换电路，以克服上述问题，也就成为了目前行业内技术人员亟待解决的问题。
技术实现思路
鉴于现有技术存在上述缺陷，本专利技术的目的是提出一种交直流转换电路，应用于电源系统中，包括功率集成模块、自适应输入电压检测模块以及自平衡输出稳压模块；所述功率集成模块的电信号输入端与电源系统的交流输入端电性连接，所述功率集成模块的电信号输出端分别与所述自适应输入电压检测模块的电信号输入端以及所述自平衡输出稳压模块的电信号输入端电性连接；所述自适应输入电压检测模块的电信号输入端与所述功率集成模块的电信号输出端电性连接，所述自适应输入电压检测模块的电信号输出端一路与所述自平衡输出稳压模块的电信号输入端电性连接、另一路接地；所述自平衡输出稳压模块的电信号输入端分别与所述功率集成模块的电信号输出端以及所述自适应输入电压检测模块的电信号输出端电性连接，所述自平衡输出稳压模块的电信号输出端一路与电源系统的直流输出端电性连接、另一路接地。优选地，所述功率集成模块包括二极管D1、电阻R1、功率管N1以及功率管N6；所述二极管D1的正极与电源系统的交流输入端电性连接，所述二极管D1的负极分别与所述电阻R1的一端、功率管N1的漏极以及功率管N6的漏极电性连接；所述电阻R1的一端分别与所述二极管D1的负极、功率管N1的漏极以及功率管N6的漏极电性连接，所述电阻R1的另一端分别与所述功率管N1的栅极以及自适应输入电压检测模块的电信号输入端电性连接；所述功率管N1的漏极分别与所述二极管D1的负极、电阻R1的一端以及功率管N6的漏极电性连接，所述功率管N1的栅极分别与所述电阻R1的一端以及自适应输入电压检测模块的电信号输入端电性连接，所述功率管N1的源极与所述自适应输入电压检测模块的电信号输入端电性连接；所述功率管N6的漏极分别与所述二极管D1的负极、电阻R1的一端以及功率管N1的漏极电性连接，所述功率管N6的栅极和源极均与所述自平衡输出稳压模块的电信号输入端电性连接。优选地，所述二极管D1、功率管N1以及功率管N6三者共同组成功率集成电路，所述二极管D1为纵向导电二极管，所述功率管N1以及功率管N6为纵向导电DMOS。优选地，所述纵向导电二极管与所述纵向导电DMOS二者集成设置，所述纵向导电二极管的负极与所述纵向导电DMOS的漏极通过N+衬底相连接，所述纵向导电二极管的正极与所述纵向导电DMOS的漏极之间开设有用于隔离的N+区域。优选地，所述纵向导电二极管与所述纵向导电DMOS二者独立设置，所述纵向导电二极管与所述纵向导电DMOS二者共同封装在同一基岛上，所述纵向导电二极管的负极以及所述纵向导电DMOS的漏极均通过导电胶与基岛相连接，所述纵向导电二极管的负极与所述纵向导电DMOS的漏极相连接。优选地，所述自适应输入电压检测模块包括二极管串DB、电阻R2、电阻R3、结型场效应管J1、晶体管N2、晶体管N3、晶体管N4、晶体管P1、晶体管P2以及电阻R4；所述二极管串DB的负极分别与所述功率集成模块的电信号输出端、电阻R3的一端、晶体管P1的漏极以及晶体管P2的漏极电性连接，所述二极管串DB的正极分别与所述电阻R2的一端以及晶体管N4的栅极电性连接；所述电阻R2的一端分别与所述二极管串DB的正极以及晶体管N4的栅极电性连接，所述电阻R2的另一端分别与所述晶体管N2的源极、晶体管N3的源极、晶体管N4的源极、电阻R4的一端、自平衡输出稳压模块的电信号输出端以及参考地电性连接；所述电阻R3的一端分别与所述二极管串DB的负极、晶体管P1的漏极以及晶体管P2的漏极电性连接，所述电阻R3的另一端与所述结型场效应管J1的漏极电性连接；所述结型场效应管J1的漏极与所述电阻R3的一端电性连接，所述结型场效应管J1的栅极与参考地电性连接，所述结型场效应管J1的源极分别与所述晶体管N2的漏极、晶体管N2的栅极、晶体管N4的漏极以及晶体管N3的栅极电性连接；所述晶体管N2的漏极分别与所述结型场效应管J1的源极、其自身的栅极、晶体管N4的漏极以及晶体管N3的栅极电性连接，所述晶体管N2的栅极分别与所述结型场效应管J1的源极、其自身的漏极、晶体管N4的漏极以及晶体管N3的栅极电性连接，所述晶体管N2的源极分别与所述电阻R2的一端、晶体管N4的源极、晶体管N3的源极、电阻R4的一端、自平衡输出稳压模块的电信号输出端以及参考地电性连接；所述晶体管N3的漏极分别与所述晶体管P1的源极、晶体管P1的栅极以及晶体管P2的栅极电性连接，所述晶体管N3的栅极分别与所述结型场效应管J1的源极、晶体管N2的漏极、晶体管N2的栅极以及晶体管N4的漏极电性连接，所述晶体管N3的源极分别与所述电阻R2的一端、晶体管N2的源极、晶体管N4的源极、电阻R4的一端、自平衡输出稳压模块的电信号输出端以及参考地电性连接；所述晶体管N4的漏极分别与所述结型场效应管J1的源极、晶体管N2的漏极、晶体管N2的栅极以及晶体管N3的栅极电性连接，所述晶体管N4的栅极与所述电阻R2的一端电性连接，所述晶体管N4的源极分别与所述电阻R2的一端、晶体管N2的源极、晶体管N3的源极、电阻R4的一端、自平衡输出稳压模块的电信号输出端以及参考地电性连接；所述晶体管P1的漏极分别与所述二极管串DB的负极、电阻R3的一端以及晶体管P2的漏极电性连接，所述晶体管P1的栅极分别与所述晶体管P2的栅极、其自身的源极以及晶体管N3的漏极电性连接，所述晶体管P1的源极分别与所述晶体管N3的漏极以及其自身的栅极电性连接；所述晶体管P2的漏极分别与所述二极管串DB的负极、电阻R3的一端以及晶体管P1的漏极电性连接，所述晶体管P2的栅极分别与所述晶体管P1的栅极、晶体管P1的源极以及晶体管N3的漏极电性连接，所述晶体管P2的源极分别与所述自平衡输出稳压模块的电信号输入端以及电阻R4的一端电性连接；所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种交直流转换电路，应用于电源系统中，其特征在于：包括功率集成模块、自适应输入电压检测模块以及自平衡输出稳压模块；所述功率集成模块的电信号输入端与电源系统的交流输入端电性连接，所述功率集成模块的电信号输出端分别与所述自适应输入电压检测模块的电信号输入端以及所述自平衡输出稳压模块的电信号输入端电性连接；所述自适应输入电压检测模块的电信号输入端与所述功率集成模块的电信号输出端电性连接，所述自适应输入电压检测模块的电信号输出端一路与所述自平衡输出稳压模块的电信号输入端电性连接、另一路接地；所述自平衡输出稳压模块的电信号输入端分别与所述功率集成模块的电信号输出端以及所述自适应输入电压检测模块的电信号输出端电性连接，所述自平衡输出稳压模块的电信号输出端一路与电源系统的直流输出端电性连接、另一路接地。

【技术特征摘要】
1.一种交直流转换电路，应用于电源系统中，其特征在于：包括功率集成模块、自适应输入电压检测模块以及自平衡输出稳压模块；所述功率集成模块的电信号输入端与电源系统的交流输入端电性连接，所述功率集成模块的电信号输出端分别与所述自适应输入电压检测模块的电信号输入端以及所述自平衡输出稳压模块的电信号输入端电性连接；所述自适应输入电压检测模块的电信号输入端与所述功率集成模块的电信号输出端电性连接，所述自适应输入电压检测模块的电信号输出端一路与所述自平衡输出稳压模块的电信号输入端电性连接、另一路接地；所述自平衡输出稳压模块的电信号输入端分别与所述功率集成模块的电信号输出端以及所述自适应输入电压检测模块的电信号输出端电性连接，所述自平衡输出稳压模块的电信号输出端一路与电源系统的直流输出端电性连接、另一路接地。2.根据权利要求1所述的一种交直流转换电路，其特征在于：所述功率集成模块包括二极管D1、电阻R1、功率管N1以及功率管N6；所述二极管D1的正极与电源系统的交流输入端电性连接，所述二极管D1的负极分别与所述电阻R1的一端、功率管N1的漏极以及功率管N6的漏极电性连接；所述电阻R1的一端分别与所述二极管D1的负极、功率管N1的漏极以及功率管N6的漏极电性连接，所述电阻R1的另一端分别与所述功率管N1的栅极以及自适应输入电压检测模块的电信号输入端电性连接；所述功率管N1的漏极分别与所述二极管D1的负极、电阻R1的一端以及功率管N6的漏极电性连接，所述功率管N1的栅极分别与所述电阻R1的一端以及自适应输入电压检测模块的电信号输入端电性连接，所述功率管N1的源极与所述自适应输入电压检测模块的电信号输入端电性连接；所述功率管N6的漏极分别与所述二极管D1的负极、电阻R1的一端以及功率管N1的漏极电性连接，所述功率管N6的栅极和源极均与所述自平衡输出稳压模块的电信号输入端电性连接。3.根据权利要求2所述的一种交直流转换电路，其特征在于：所述二极管D1、功率管N1以及功率管N6三者共同组成功率集成电路，所述二极管D1为纵向导电二极管，所述功率管N1以及功率管N6为纵向导电DMOS。4.根据权利要求3所述的一种交直流转换电路，其特征在于：所述纵向导电二极管与所述纵向导电DMOS二者集成设置，所述纵向导电二极管的负极与所述纵向导电DMOS的漏极通过N+衬底相连接，所述纵向导电二极管的正极与所述纵向导电DMOS的漏极之间开设有用于隔离的N+区域。5.根据权利要求3所述的一种交直流转换电路，其特征在于：所述纵向导电二极管与所述纵向导电DMOS二者独立设置，所述纵向导电二极管与所述纵向导电DMOS二者共同封装在同一基岛上，所述纵向导电二极管的负极以及所述纵向导电DMOS的漏极均通过导电胶与基岛相连接，所述纵向导电二极管的负极与所述纵向导电DMOS的漏极相连接。6.根据权利要求1所述的一种交直流转换电路，其特征在于：所述自适应输入电压检测模块包括二极管串DB、电阻R2、电阻R3、结型场效应管J1、晶体管N2、晶体管N3、晶体管N4、晶体管P1、晶体管P2以及电阻R4；所述二极管串DB的负极分别与所述功率集成模块的电信号输出端、电阻R3的一端、晶体管P1的漏极以及晶体管P2的漏极电性连接，所述二极管串DB的正极分别与所述电阻R2的一端以及晶体管N4的栅极电性连接；所述电阻R2的一端分别与所述二极管串DB的正极以及晶体管N4的栅极电性连接，所述电阻R2的另一端分别与所述晶体管N2的源极、晶体管N3的源极、晶体管N4的源极、电阻R4的一端、自平衡输出稳压模块的电信号输出端以及参考地电性连接；所述电阻R3的一端分别与所述二极管串DB的负极、晶体管P1的漏极以及晶体管P2的漏极电性连接，所述电阻R3的另一端与所述结型场效应管J1的漏极电性连接；所述结型场效应管J1的漏极与所述电阻R3的一端电性连接，所述结型场效应管J1的栅极与参考地电性连接，所述结型场效应管J1的源极分别与所述晶体管N2的漏极、晶体管N2的栅极、晶体管N4的漏极以及晶体管N3的栅极电性连接；所述晶体管N2的漏极分别与所述结型场效应管J1的源极、其自身的栅极、晶体管N4的漏极以及晶体管N3的栅极电性连接，所述晶体管N2的栅极分别与所述结...

【专利技术属性】
技术研发人员：李海松，杨帆，肖逸凡，易扬波，
申请(专利权)人：苏州博创集成电路设计有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32