一种华司和扬声器制造技术

本实用新型专利技术提供了一种华司和扬声器，涉及扬声器技术领域。其中，这种华司用以减少多磁磁路的扬声器的磁漏，该扬声器包含：基架、和该基架相适配的磁轭、配置在该磁轭上的多个磁铁，其特征在于，华司位于磁轭和基架之间，华司的下表面配置在多个磁铁的上表面，华司的上表面配置在基架上，华司为一体结构的环形几何薄板，华司配置有限位部，基架配置有和限位部相适配的凸缘，华司配置在基架上，能够带动凸缘配置在限位部上，以限制华司相对基架活动。环形一体结构的华司，能够防止基架在高温和潮湿的环境发生变形，导致扬声器的变形。

A Wallace and Loudspeaker

【技术实现步骤摘要】
一种华司和扬声器
本技术涉及扬声器
，具体而言，涉及一种华司和扬声器。
技术介绍
扬声器是一种将电信号转换成声信号，已广泛应用于手机、笔记本电脑等数码产品。扬声器发声的原理是，变化的音频电信号馈入音圈，音圈在磁路单元形成的磁场下因变化的电流受到变化的安培力作用，进而带动连接于音圈的振膜振动以驱动前后空气，产生声波。目前，多磁磁路的扬声器由于其良好的性能被广泛的应用；现有技术中，多磁磁路的扬声器包含有基架、多个磁铁，以及分别配置在该多个磁铁上表面的多个独立的华司，华司可以减少磁漏，同时可以在多个磁铁围成的磁间隙产生均匀的磁场，让音圈可以稳定的振动；其中，多个独立的华司在生产过程中，通过外部连料连接在一起，及易发生变形；此外，当扬声器处于高温和潮湿的环境时，基架会发生变形影响磁间隙的变化，进而影响扬声器的发声。有鉴于此，专利技术人在研究了现有的技术后特提出本申请。
技术实现思路
本技术提供了一种华司和扬声器，旨在改善现有技术的多磁磁路的扬声器，容易发生华司和基架变形的问题。为解决上述技术问题，本技术提供了一种华司和扬声器，其中，华司用以减少多磁磁路的扬声器的磁漏，扬声器包含：基架、和该基架相适配的磁轭、配置在该磁轭上的多个磁铁。所述华司位于所述磁轭和所述基架之间，所述华司的下表面配置在所述多个磁铁的上表面，所述华司的上表面配置在所述基架上，所述华司为一体结构的环形几何薄板，所述华司配置有限位部，所述基架配置有和所述限位部相适配的凸缘，所述华司配置在所述基架上，能够带动所述凸缘配置在所述限位部上，以限制所述华司相对所述基架活动。本技术的华司，通过冲压工艺，直接在薄板上冲切形成，可以极大地较少华司在生产过程的变形。作为进一步优化，所述限位部为配置在所述华司的两个梯形通孔，该两个梯形通孔的短底边分别和所述华司的边缘相连通，所述凸缘为配置在所述基架上的两个梯形凸块，该两个梯形凸块分别和所述两个梯形通孔相适配，所述两个梯形凸块分别配置在所述两个梯形通孔内，以限制所述华司相对所述基架活动。作为进一步优化，所述华司具有形成环状结构的第一通孔，该第一通孔呈凸字形。作为进一步优化，所述华司和所述基架，所述华司和所述多个磁铁，均通过胶水黏接配置在一起。一种扬声器,包含：基架、和该基架相适配的磁轭、配置在该磁轭上的多个磁铁，以及配置在所述多个磁铁上的华司，该华司为上述所述的一种环形华司。通过采用上述技术方案，本技术可以取得以下技术效果：本技术的华司通过冲压工艺直接冲切形成，可以极大地较少华司在生产过程的变形，同时本技术的华司为环形一体结构，黏接配置在扬声器的基架上，可以防止基架在高温和潮湿的环境产生变形，进而影响扬声器的稳定工作。附图说明为了更清楚地说明本技术实施方式的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1是本技术一实施例，扬声器的分解示意图；图2是本技术一实施例，华司和基架的分解示意图；图3是本技术一实施例，华司的结构示意图；图4是本技术一实施例，基架的结构示意图；图5是现有技术中，多磁磁路的扬声器，华司和基架的结构示意图；图6是现有技术中，多磁磁路的扬声器，华司和连接料的结构示意图；图中标记：1-振膜，2-音圈，3-基架，4-华司，5-磁铁，6-磁轭，7-限位部，8-凸缘，9-第一通孔，10-连接料。具体实施方式为使本技术实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施方式中的附图，对本技术实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本技术一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本技术保护的范围。因此，以下对在附图中提供的本技术的实施方式的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施方式。基于本技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本技术保护的范围。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。下面结合附图与具体实施方式对本技术作进一步详细描述：由图1、图2所示，在本实施例中，一种华司，用以减少多磁磁路的扬声器的磁漏，该扬声器包含：基架3、和该基架3相适配的磁轭6、配置在该磁轭6上的多个磁铁5、配置在基架3上的振膜1，以及配置在振膜1上的音圈2。华司4位于磁轭6和基架3之间，华司4的下表面配置在多个磁铁5的上表面，华司4的上表面配置在基架3上，华司4为一体结构的环形几何薄板，华司4配置有限位部7，基架3配置有和限位部7相适配的凸缘8，华司4配置在基架3上，能够带动凸缘8配置在限位部7上，以限制华司4相对基架3活动。由图2、图3和图4所示，在本实施例中，限位部7为配置在华司4的两个梯形通孔，该两个梯形通孔的短底边分别和华司4的边缘相连通，凸缘8为配置在基架3上的两个梯形凸块，该两个梯形凸块分别和两个梯形通孔相适配，两个梯形凸块分别配置在两个梯形通孔上，以限制华司4相对基架3活动。在本实施例中，华司4是通过冲压工艺，直接在薄板上冲切形成，可以极大地较少华司4在生产过程的变形。如图5、图6所示本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种华司，用以减少多磁磁路的扬声器的磁漏，该扬声器包含：基架(3)、和该基架(3)相适配的磁轭(6)、配置在该磁轭(6)上的多个磁铁(5)，其特征在于，所述华司(4)位于所述磁轭(6)和所述基架(3)之间，所述华司(4)的下表面配置在所述多个磁铁(5)的上表面，所述华司(4)的上表面配置在所述基架(3)上，所述华司(4)为一体结构的环形几何薄板，所述华司(4)配置有限位部(7)，所述基架(3)配置有和所述限位部(7)相适配的凸缘(8)，所述华司(4)配置在所述基架(3)上，能够带动所述凸缘(8)配置在所述限位部(7)上，以限制所述华司(4)相对所述基架(3)活动。

【技术特征摘要】
1.一种华司，用以减少多磁磁路的扬声器的磁漏，该扬声器包含：基架(3)、和该基架(3)相适配的磁轭(6)、配置在该磁轭(6)上的多个磁铁(5)，其特征在于，所述华司(4)位于所述磁轭(6)和所述基架(3)之间，所述华司(4)的下表面配置在所述多个磁铁(5)的上表面，所述华司(4)的上表面配置在所述基架(3)上，所述华司(4)为一体结构的环形几何薄板，所述华司(4)配置有限位部(7)，所述基架(3)配置有和所述限位部(7)相适配的凸缘(8)，所述华司(4)配置在所述基架(3)上，能够带动所述凸缘(8)配置在所述限位部(7)上，以限制所述华司(4)相对所述基架(3)活动。2.根据权利要求1所述的一种华司,其特征在于,所述限位部(7)为配置在所述华司(4)的两个梯形通孔，该两个梯形通孔的短底边分...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴振兴，
申请(专利权)人：厦门冠音泰科技有限公司，
类型：新型
国别省市：福建,35