The invention discloses a straight-down backlight source, a preparation method, a backlight module and a display device. The direct-down backlight includes: a substrate; a plurality of micro-light-emitting diodes, which are located on the substrate and arranged in an array; and a reflection structure, which is located in a gap between the plurality of micro-light-emitting diodes, which comprises a reflection metal layer and a dielectric layer for sealing the reflection metal layer. The direct-down backlight has at least one of the advantages of high reflectivity, high luminous efficiency, low power consumption and good stability.
【技术实现步骤摘要】
直下式背光源及制备方法、背光模组以及显示装置
本专利技术涉及显示
，具体地，涉及直下式背光源及制备方法、背光模组以及显示装置。
技术介绍
液晶显示装置中的背光模组是显示装置的重要组成部分。目前的背光模组中的光源，主要是由发光二极管(LED)阵列组成的，分为直下式和侧入式两种类型。其中，MiniLED面光源具有更小的芯片尺寸，相邻两个芯片之间的间距也更小，作为下一代显示产品，通过对面光源分区，能够实现HDR显示。与侧入式背光源相比，MiniLED背光源通过搭配扩散膜、QD膜、复合棱镜等光学结构，可提供出光均匀的面光源。然而目前基于MiniLED的背光源的反射率较低，只有80％左右，造成miniLED面光源光效偏低，功耗偏高。虽然通过镀制金属薄膜(如Ag)能够提升灯板底部反射率，但Ag等反射率较高的金属薄膜稳定性较差，容易被水氧破坏，因此难以在实际使用过程中维持较高的反射率。因此，目前的直下式背光源及制备方法、背光模组以及显示装置仍有待改进。
技术实现思路
本专利技术旨在至少一定程度解决或缓解上述问题的至少之一。在本专利技术的一个方面，本专利技术提出了一种用于显示装...
【技术保护点】
1.一种用于显示装置的直下式背光源，其特征在于，包括：基板；多个微发光二极管，所述多个微发光二极管位于所述基板上且呈阵列排布；以及反射结构，所述反射结构位于多个所述微发光二极管之间的间隙处，所述反射结构包括反射金属层，以及密封所述反射金属层的介质层。
【技术特征摘要】
1.一种用于显示装置的直下式背光源，其特征在于，包括：基板；多个微发光二极管，所述多个微发光二极管位于所述基板上且呈阵列排布；以及反射结构，所述反射结构位于多个所述微发光二极管之间的间隙处，所述反射结构包括反射金属层，以及密封所述反射金属层的介质层。2.根据权利要求1所述的直下式背光源，其特征在于，反射金属层是由Ag形成的，所述反射金属层的厚度为150-200nm。3.根据权利要求1所述的直下式背光源，其特征在于，所述介质层至少包括：层叠设置的二氧化硅亚层以及三氧化二铝亚层，所述二氧化硅亚层靠近所述反射金属层，并覆盖所述反射金属层远离所述基板一侧的表面以及侧壁，所述二氧化硅亚层的厚度为180-210nm；所述三氧化二铝亚层覆盖所述二氧化硅亚层远离所述反射金属层一侧的表面以及侧壁，所述三氧化二铝亚层的厚度为40-70nm。4.根据权利要求1-3任一项所述的直下式背光源，其特征在于，进一步包括：牺牲金属块，所述牺牲金属块位于所述反射金属层的侧壁处，所述介质层覆盖所述牺牲金属块。5.一种背光模组，其特征在于，包括权利要求1-4任一项所述的直下式背光源。6.一种制备用于显示装置的直下式背光源的方法，其特征在于，包括：在基板上形成...
【专利技术属性】
技术研发人员：张冰，耿霄霖，韩波，高亮，高露，汤海，秦建伟，
申请(专利权)人：合肥京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。