一种抱闸驱动电路制造技术

本实用新型专利技术实施例公开了一种抱闸驱动电路，该抱闸驱动电路包括控制单元开关单元，检测单元、故障触发单元以及切断单元。开关单元包括MOS管，MOS管的栅极与控制单元连接，MOS管的源极和漏极用于分别与抱闸装置的两抱闸导线连接以控制抱闸装置的通电或断电；检测单元与开关单元连接；故障触发单元分别与检测单元以及控制单元连接；切断单元分别与故障触发单元以及MOS管的栅极连接。通过采用MOS管来实现抱闸装置的开通或关断控制，提高了抱闸驱动电路的耐久性。通过硬件切断单元能够实现了更快、更可靠关断MOS管功能，提高了对抱闸装置电气控制的可靠性。

A Driving Circuit for Brake Holding

The embodiment of the utility model discloses a lock driving circuit, which comprises a control unit switch unit, a detection unit, a fault triggering unit and a cut-off unit. The switch unit includes a MOS transistor, the gate of the MOS transistor is connected with the control unit, and the source and drain of the MOS transistor are used to connect with the two lock conductors of the lock device respectively to control the power on or off of the lock device; the detection unit is connected with the switch unit; the fault trigger unit is connected with the detection unit and the control unit respectively; and the cut-off unit is connected with the fault trigger unit and the gate of the MOS transistor respectively. Answer. Through the use of MOS transistor to realize the switch-on or turn-off control of the brake-holding device, the durability of the brake-holding driving circuit is improved. The hardware cut-off unit can turn off the MOS transistor faster and more reliably, and improve the reliability of the electrical control of the brake-holding device.

【技术实现步骤摘要】
一种抱闸驱动电路
本技术涉及抱闸
，尤其涉及一种抱闸驱动电路。
技术介绍
随着电力电子技术的发展，伺服系统在工控领域的比重越来越大，而伺服电机停机需要的抱闸装置也越显着重要，同时对抱闸装置的可靠性也提出了更高的要求。抱闸装置可分为高压抱闸和低压抱闸，低压抱闸通常采用24VDC电源来控制。目前低压抱闸的实现方案中，主要采用继电器实现低压抱闸装置的开通或关断。继电器本质上属于一种机械装置，它开通或关断的控制要依赖于触点的可靠性，同时寿命有限。长时间、频繁的开通或关断容易造成触点阻抗增加，可靠性降低；同时频繁的大电流更容易造成触点黏连，造成继电器失效，导致电机的抱闸装置出现故障，无法正常运行。
技术实现思路
本技术实施例所要解决的技术问题是如何提高抱闸驱动装置的耐久性以及可靠性。为了解决上述问题，本技术实施例提出一种抱闸驱动电路，该抱闸驱动电路包括：控制单元；开关单元，所述开关单元包括MOS管，所述MOS管的栅极与所述控制单元连接，所述MOS管的源极和漏极用于分别与抱闸装置的两抱闸导线连接以控制抱闸装置的通电或断电；检测单元，所述检测单元与所述开关单元连接；故障触发单元，所述故障触发单元分别与所述检测单元以及所述控制单元连接；以及切断单元，所述切断单元分别与所述故障触发单元以及所述MOS管的栅极连接；其中，所述检测单元用于检测流经所述MOS管的电流的大小，并根据检测结果向所述故障触发单元发送电流检测信号；所述故障触发单元用于在所述电流检测信号的电压大于预设的电压阈值时分别向所述控制单元以及所述切断单元发送故障信号；所述控制单元用于在未接收到所述故障触发单元发送的故障信号时，向所述MOS管发送驱动信号以使所述MOS管导通；所述切断单元用于在接收到所述故障触发单元发送的故障信号时，向所述MOS管发送关断信号以使所述MOS管截止。其进一步的技术方案为，所述开关单元还包括第一三极管、第二三极管以及第三三极管；所述第三三极管的基极分别与所述控制单元以及所述故障触发单元连接，所述第三三极管的集电极分别与所述第一三极管的基极以及所述第二三极管的基极连接，所述第三三极管的发射极接地；所述第一三极管的发射极以及所述第二三极管的发射极均与所述MOS管的栅极连接，所述第一三极管的基极与电压源连接，所述第二三极管的集电极接地。其进一步的技术方案为，所述开关单元还包括第一稳压管，所述第一稳压管的负极与所述第三三极管的基极连接，所述第一稳压管的正极接地。其进一步的技术方案为，所述检测单元包括采样电阻以及电流检测芯片，所述采样电阻与所述MOS管以及所述电流检测芯片连接，所述电流检测芯片与所述故障触发单元连接。其进一步的技术方案为，所述故障触发单元包括故障比较单元；所述故障比较单元包括第一比较器、第二比较器、第一二极管以及第二二极管，所述第一比较器的负输入端与低基准电压输入端连接，所述第一比较器的正输入端与所述检测单元连接，所述第一比较器的输出端与所述第二二极管的负极连接；所述第二比较器的负输入端与所述检测单元连接，所述第二比较器的正输入端与高基准电压输入端连接，所述第二比较器的输出端分别与所述第一二极管的负极以及所述切断单元连接；所述第一二极管的正极以及所述第二二极管的正极均与所述控制单元连接。其进一步的技术方案为，所述故障触发单元还包括基准单元，所述基准单元包括第二稳压管、偏置电阻、第四三极管、第一分压电阻以及第二分压电阻；所述偏置电阻的一端与电压源连接，所述偏置电阻的另一端分别与所述第四三极管的基极以及所述第二稳压管的负极连接；所述第二稳压管的负极接地；所述第四三极管的集电极与电压源连接，所述第四三极管的发射极与所述第一分压电阻连接，所述高基准电压输入端与所述第四三极管的发射极连接，所述低基准电压输入端通过所述第一分压电阻与所述第四三极管的发射极连接，所述低基准电压输入端通过第二分压电阻接地。其进一步的技术方案为，所述切断单元包括第三比较器、第五三极管、第六三极管、第三分压电阻以及第四分压电阻；所述第三比较器的正输入端通过第三分压电阻与所述高基准电压输入端连接，所述第三比较器的正输入端通过第四分压电阻接地，所述第三比较器的负输入端与所述故障比较单元连接；所述第三比较器的输出端与第五三极管的基极连接，所述第五三极管的集电极与所述第六三极管的基极连接，所述第五三极管的发射极与电压源连接；所述第六三极管的集电极与所述MOS管的栅极连接，所述第六三极管的发射极接地。其进一步的技术方案为，所述切断单元还包括第七三极管、第八三极管以及充电电容；所述第七三极管的基极与所述故障比较单元连接，所述第七三极管的发射极与电压源连接，所述第七三极管的集电极与所述第八三极管的基极连接；所述第八三极管的集电极与电压源连接；所述充电电容的一端同时与所述第八三极管的发射极以及所述第三比较器的负输入端连接，所述充电电容的另一端接地；所述充电电容的两端并联所述放电电阻。其进一步的技术方案为，所述抱闸驱动电路还包括第一隔离单元以及第二隔离单元，所述控制单元通过所述第一隔离单元与所述故障触发单元连接，所述控制单元通过所述第二隔离单元与所述开关单元连接。其进一步的技术方案为，所述第一隔离单元包括第一光电耦合器，所述第二隔离单元包括第二光电耦合器；所述第一光电耦合器的输入端与所述故障触发单元连接，所述第一光电耦合器的输出端与所述控制单元连接；所述第二光电耦合器的输入端与所述控制单元连接，所述光电耦合器的输出端与所述开关单元连接。本实施例的技术方案，通过采用MOS管来实现抱闸装置的开通或关断控制，提高了抱闸驱动电路的耐久性。通过硬件切断单元能够实现了更快、更可靠关断MOS管功能，提高了对抱闸装置电气控制的可靠性。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术实施例提出的一种抱闸驱动电路的结构示意图；图2为图1所示的抱闸驱动电路的控制单元的电路图；图3为图1所示的抱闸驱动电路的开关单元的电路图；图4为图1所示的抱闸驱动电路的检测单元的电路图；图5为图1所示的抱闸驱动电路的故障触发单元的电路图；图6为图1所示的抱闸驱动电路的切断单元的电路图；图7为图1所示的抱闸驱动电路的第一隔离单元的电路图；以及图8为图1所示的抱闸驱动电路的第二隔离单元的电路图。附图标记100抱闸驱动电路；10控制单元；20开关单元；30检测单元；40故障触发单元；50切断单元；60第一隔离单元；70第二隔离单元障；41比较单元以及42基准单元。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，附图中类似的组件标号代表类似的组件。显然，以下将描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”和“包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抱闸驱动电路，其特征在于，包括：控制单元；开关单元，所述开关单元包括MOS管，所述MOS管的栅极与所述控制单元连接，所述MOS管的源极和漏极用于分别与抱闸装置的两抱闸导线连接以控制抱闸装置的通电或断电；检测单元，所述检测单元与所述开关单元连接；故障触发单元，所述故障触发单元分别与所述检测单元以及所述控制单元连接；以及切断单元，所述切断单元分别与所述故障触发单元以及所述MOS管的栅极连接；其中，所述检测单元用于检测流经所述MOS管的电流的大小，并根据检测结果向所述故障触发单元发送电流检测信号；所述故障触发单元用于在所述电流检测信号的电压大于预设的电压阈值时分别向所述控制单元以及所述切断单元发送故障信号；所述控制单元用于在未接收到所述故障触发单元发送的故障信号时，向所述MOS管发送驱动信号以使所述MOS管导通；所述切断单元用于在接收到所述故障触发单元发送的故障信号时，向所述MOS管发送关断信号以使所述MOS管截止。

【技术特征摘要】
1.一种抱闸驱动电路，其特征在于，包括：控制单元；开关单元，所述开关单元包括MOS管，所述MOS管的栅极与所述控制单元连接，所述MOS管的源极和漏极用于分别与抱闸装置的两抱闸导线连接以控制抱闸装置的通电或断电；检测单元，所述检测单元与所述开关单元连接；故障触发单元，所述故障触发单元分别与所述检测单元以及所述控制单元连接；以及切断单元，所述切断单元分别与所述故障触发单元以及所述MOS管的栅极连接；其中，所述检测单元用于检测流经所述MOS管的电流的大小，并根据检测结果向所述故障触发单元发送电流检测信号；所述故障触发单元用于在所述电流检测信号的电压大于预设的电压阈值时分别向所述控制单元以及所述切断单元发送故障信号；所述控制单元用于在未接收到所述故障触发单元发送的故障信号时，向所述MOS管发送驱动信号以使所述MOS管导通；所述切断单元用于在接收到所述故障触发单元发送的故障信号时，向所述MOS管发送关断信号以使所述MOS管截止。2.根据权利要求1所述的抱闸驱动电路，其特征在于，所述开关单元还包括第一三极管、第二三极管以及第三三极管；所述第三三极管的基极分别与所述控制单元以及所述故障触发单元连接，所述第三三极管的集电极分别与所述第一三极管的基极以及所述第二三极管的基极连接，所述第三三极管的发射极接地；所述第一三极管的发射极以及所述第二三极管的发射极均与所述MOS管的栅极连接，所述第一三极管的基极与电压源连接，所述第二三极管的集电极接地。3.根据权利要求2所述的抱闸驱动电路，其特征在于，所述开关单元还包括第一稳压管，所述第一稳压管的负极与所述第三三极管的基极连接，所述第一稳压管的正极接地。4.根据权利要求1所述的抱闸驱动电路，其特征在于，所述检测单元包括采样电阻以及电流检测芯片，所述采样电阻与所述MOS管以及所述电流检测芯片连接，所述电流检测芯片与所述故障触发单元连接。5.根据权利要求1所述的抱闸驱动电路，其特征在于，所述故障触发单元包括故障比较单元；所述故障比较单元包括第一比较器、第二比较器、第一二极管以及第二二极管，所述第一比较器的负输入端与低基准电压输入端连接，所述第一比较器的正输入端与所述检测单元连接，所述第一比较器的输出端与所述第二二极管的负极连接；所述第二比较器的负输入端与所述检测单元连接，所述第二比较器的正输入端与高基准电压输入端连接，所述第二比较器的输出端分别与所述第一二极管的负极以及所述切断单元连接；所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王帅杰，
申请(专利权)人：深圳众城卓越科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44