一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器制造技术

本发明专利技术涉及一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器，包括沿光路依次放置的泵浦源、自倍频激光晶体、可饱和吸收体、谐振腔输出镜；自倍频激光晶体为Nd:YCOB晶体或Nd:GdCOB晶体；通光方向长度为6‑15mm，切割方向均为沿1064nm倍频相位匹配方向，钕离子掺杂浓度为1–20at.％；可饱和吸收体的材质为二维材料SnSe2。本发明专利技术采用二维材料制备的薄膜状可饱和吸收体调制自倍频激光，将连续波自倍频激光转换为短脉宽、高峰值功率、高重复频率的脉冲自倍频激光。本发明专利技术所用的可饱和吸收体制备工艺简单，生产成本低，效率高，易装配，制成的脉冲自倍频激光器体积小，性能好，便于大规模推广和使用。

【技术实现步骤摘要】
一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器
本专利技术涉及一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器，属于激光

技术介绍
具有可饱和吸收特性的被动调Q器件是获得大能量、窄脉宽、高峰值功率激光脉冲的关键光学元件，在脉冲激光、光学调制和光学传感器等领域具有重要应用。目前，比较常见的商业化可饱和吸收体是Cr:YAG晶体和半导体可饱和吸收镜(简称SESAM)。Cr:YAG晶体因其良好的导热性能以及较高的抗光损伤阈值，常用于近红外光的脉冲激光调制，但其吸收带窄、基态弛豫时间长、成本高、制作过程复杂，无法满足宽波段、超快激光的调制需要。SESAM的基本结构是把反射镜与半导体可饱和吸收体结合在一起，底层为半导体反射镜，其上生长一层半导体可饱和吸收体薄膜，最上层可能生长一层反射镜或直接利用半导体与空气的界面作为反射镜，这样上下两个反射镜就形成了一个法布里-珀罗腔，通过改变吸收体的厚度以及两反射镜的反射率，可以调节吸收体的调制深度和反射镜的带宽，已被广泛应用于脉冲激光调制。SESAM的优点是具有可控的调制深度和吸收波长，其缺点是吸收带窄、成本高、制备工艺复杂，以及光损伤阈值低，对其应用起到了限制作用。到本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器，其特征在于，包括沿光路依次放置的泵浦源、自倍频激光晶体、可饱和吸收体、谐振腔输出镜；所述自倍频激光晶体为Nd:YCOB晶体或Nd:GdCOB晶体；所述自倍频激光晶体的通光方向长度为6‑15mm，所述自倍频激光晶体的切割方向均为沿1064nm倍频相位匹配方向，所述自倍频激光晶体的钕离子掺杂浓度为1–20at.％；所述可饱和吸收体的材质为二维材料SnSe2。

【技术特征摘要】
1.一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器，其特征在于，包括沿光路依次放置的泵浦源、自倍频激光晶体、可饱和吸收体、谐振腔输出镜；所述自倍频激光晶体为Nd:YCOB晶体或Nd:GdCOB晶体；所述自倍频激光晶体的通光方向长度为6-15mm，所述自倍频激光晶体的切割方向均为沿1064nm倍频相位匹配方向，所述自倍频激光晶体的钕离子掺杂浓度为1–20at.％；所述可饱和吸收体的材质为二维材料SnSe2。2.根据权利要求1所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器，其特征在于，所述自倍频激光晶体的通光方向长度为10mm，所述自倍频激光晶体的钕离子掺杂浓度为8at.％。3.根据权利要求1所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器，其特征在于，所述Nd:YCOB晶体的I类相位匹配的切割角为(θ1,φ1)，θ1的取值范围为110°-116°，φ1的取值范围为35°-40°；所述Nd:GdCOB晶体的I类相位匹配的切割角为(θ2,φ2)，θ2的取值范围为110°-116°，φ2的取值范围为45°-50°。4.根据权利要求3所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器，其特征在于，所述Nd:YCOB晶体的I类相位匹配的切割角为(113°,37°)，所述Nd:GdCOB晶体的I类相位匹配的切割角为(113°,47°)。5.根据权利要求1所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器，其特征在于，所述泵浦源、所述自倍频激光晶体之间安放有聚焦系统。6.根据权利要求1所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器，其特征在于，所述可饱和吸收体的制备方法如下：(1)将0.05-0.15g的SnSe2粉末充分研磨后，溶于5-15mL的乙醇水溶液中，并充分搅拌，得到混合溶液，乙醇水溶液的体积百分比为25-35％；(2)将混合溶液超声8-16h，使层状微粒充分降...

【专利技术属性】
技术研发人员：王正平，孙玉祥，于法鹏，王新乐，王梦霞，许心光，赵显，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：山东,37