【技术实现步骤摘要】
一种高比容一体化电极的制备方法及高比容电容器
本专利技术涉及电容器中所使用的电极材料--高比容一体化电极的制造，涉及在导电性基底表面，尤其涉及在铝箔、泡沫镍等金属表面沉积并形成氰基聚硅氧烷，和/或稀土金属氧化物、多元高介电金属氧化物的工艺和方法，以制作高比容一体化电极，并进一步加工成电容器。
技术介绍
高比容电极技术是实现电容器小型化的关键。比如，电极箔是铝电解电容器的关键材料，电极箔的比容直接决定了铝电解电容器的体积与能量密度。所谓高比容一体化电极，是指表面覆膜有高介电常数介质膜层的导电性基底，导电性基底本身作为第一电极，高介电常数的绝缘介质紧密附着于导电性基底表面，形成电极-绝缘介质一体化复合结构，这种复合结构常用来制造电容器。这种表面覆盖有高介电常数介质膜层的导电性基底，每单位面积具有较大的电容量，因此，常称之为“高比容一体化电极”，简称“高比容电极”。采用高比容电极，能有效缩小电容器体积，提高能量密度。电容器电容量计算公式：C表示电容器的电容量，S表示电容器极板表面积，d表示极板间距离（电介质厚度），ε0表示真空介电常数，εr表示电介质相对介电常数。根据该...
【技术保护点】
1.一种高比容一体化电极的制备方法，通过在导电性基底表面 沉积并形成 氰基聚硅氧烷、和/或稀土金属氧化物介质膜层的方式实现，其特征在于：从氰基硅烷、含有稀土元素的前驱体群中，选取至少一种，溶解在溶剂中，配制成处理液，将导电性基底浸入处理液中，采用液相沉积法 镀膜，在导电性基底表面形成 含有氰基聚硅氧烷、和/或稀土氧化物的高介电常数 电介质膜层，以制作高比容一体化电极。
【技术特征摘要】
1.一种高比容一体化电极的制备方法，通过在导电性基底表面沉积并形成氰基聚硅氧烷、和/或稀土金属氧化物介质膜层的方式实现，其特征在于：从氰基硅烷、含有稀土元素的前驱体群中，选取至少一种，溶解在溶剂中，配制成处理液，将导电性基底浸入处理液中，采用液相沉积法镀膜，在导电性基底表面形成含有氰基聚硅氧烷、和/或稀土氧化物的高介电常数电介质膜层，以制作高比容一体化电极。2.一种高比容一体化电极的制备方法，通过在导电性基底表面沉积并形成多元高介电金属氧化物介质膜层的方式实现，其特征在于：从高介电金属前驱体群中，选取一种、两种、或多种前驱体，溶解在溶剂中，配制成含有两种、三种、或多种高介电金属元素的处理液，将导电性基底浸入处理液中，采用液相沉积法镀膜，经热处理，在导电性基底表面形成含有多元高介电组合的高介电常数电介质膜层，以制作高比容一体化电极，其中所述高介电金属前驱体群中的高介电金属元素可以是从Si，Ti，Ta，Nb，Zr，Hf，Bi，稀土元素中，任选的两种、三种、以及多种，它们构成一系列多元高介电组合。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述高介电金属前驱体群中的高介电金属元素，除了权利要求2中所列举的Si，Ti，Ta，Nb，Zr，Hf，Bi，稀土金属元素外，还可以进一步包含从Al，Mg，Ga，Ge，Ag，Pb，Ni，Zn，Sn，W，Mo，V，Cr，Co，Sb，B元素中的选取的一种或多种；含有高介电金属元素的高介电前驱体，其形态可以是金属、氧化物、氢化物、可溶性盐、溶胶、及纳米粒子，这些前驱体可以是单金属前驱体，也可以是多金属前驱体，它们共同构成了一个高介电金属前驱体群。4.根据权利要求1、权利要求2任一项所述的方法，其中所述稀土元素可以是从Sc，Y，La，Ce，Pr，Rd，Pm，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb，Lu，Bi中任选的至少一种，含有稀土元素的稀土前驱体，其形态可以是稀土金属、稀土氧化物、可溶性稀土盐、稀土溶胶、及稀土纳米粒子，这些前驱体可以是单稀土前驱体，也可以是多稀土前驱体，它们共同构成了一个稀土前驱体群。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述氰基硅烷是分子结构中含有-CN基团的硅烷，氰基硅烷同时可作为含Si前驱体使用，具有结构通式：其中：R可以是链烷烃基、环烷烃基、烯烃基、芳香烃基或芳烷烃基、苄基；R13表示有三个R1基团，R1基团可以是甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、叔丁基、异丁基、戊基、庚基、十二烷基、苯基、苯氧基、氰甲基、氰乙基、氰丙基、氰异丙基、氰丁基、氰庚基、氰苄基，以及可水解基团：甲氧基、乙氧基、丙氧基、...
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