实现桥式电路防串通功能的电路结构制造技术

本发明专利技术涉及一种实现桥式电路防串通功能的电路结构，包括桥式电路模块，用于控制电路的输出；交流反馈通路功能电路模块，与所述的桥式电路模块相连接，用于对所述的桥式电路输出变化进行反馈再控制桥式电路。采用了本发明专利技术的实现桥式电路防串通功能的电路结构，避免造成PMOS0和NMOS0由于输出变化耦合造成的串通的问题，无论桥式电路的开关速度快或者慢都会自动的进行交流反馈，避免桥式电路发生串通的风险。

The Circuit Structure to Realize the Anti-collusion Function of Bridge Circuit

The invention relates to a circuit structure for realizing the anti-collusion function of bridge circuit, which includes a bridge circuit module for controlling the output of the circuit, an AC feedback path functional circuit module connected with the bridge circuit module for feedback and re-control of the bridge circuit for the output change of the bridge circuit. The circuit structure of the bridge circuit realizing the anti-collision function of the present invention is adopted to avoid the problem of the collision between PMOS0 and NMOS0 due to the coupling of output changes. No matter the switching speed of the bridge circuit is fast or slow, the AC feedback will be automatically carried out to avoid the risk of the bridge circuit collision.

【技术实现步骤摘要】
实现桥式电路防串通功能的电路结构
本专利技术涉及电路控制领域，尤其涉及桥式电路控制，具体是指一种实现桥式电路防串通功能的电路结构。
技术介绍
如图1所示，桥式电路在PMOS0由开启切换到关断、NMOS0由关断切换到开启时，其输出OUT会快速由高电平变为低电平，由于PMOS0的栅极(G)和漏极(D)以及PMOS0的栅极(G)和源极(S)各寄生了一个电容分别为CGDP和CGSP，那么CGDP和CGSP就会将OUT的变化分压后施加到PMOS0的栅极(G)上，这样很容易造成PMOS0二次导通，从而造成PMOS0和NMOS0串通；同样桥式电路在NMOS0由开启切换到关断、PMOS0由关断切换到开启时，其输出OUT会快速由低电平变为高电平，由于NMOS0的栅极(G)和漏极(D)以及NMOS0的栅极(G)和源极(S)各寄生了一个电容分别为CGDN和CGSN，那么CGDN和CGSN就会将OUT的变化分压后施加到NMOS0的栅极(G)上，这样很容易造成NMOS0二次导通，从而造成PMOS0和NMOS0串通；而且这个问题随着开关速度的提高会越来越严重。图2显示了串通发生瞬间(阴影部分)的各关键节点信号变本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种实现桥式电路防串通功能的电路结构，其特征在于，所述的电路结构包括：桥式电路模块，用于控制电路的输出；交流反馈通路功能电路模块，与所述的桥式电路模块相连接，用于对所述的桥式电路输出变化进行反馈再控制桥式电路。

【技术特征摘要】
1.一种实现桥式电路防串通功能的电路结构，其特征在于，所述的电路结构包括：桥式电路模块，用于控制电路的输出；交流反馈通路功能电路模块，与所述的桥式电路模块相连接，用于对所述的桥式电路输出变化进行反馈再控制桥式电路。2.根据权利要求1所述的实现桥式电路防串通功能的电路结构，其特征在于，所述的桥式电路模块包括第一PMOS场效应管(PMOS0)和第一NMOS场效应管(NMOS0)，所述的第一PMOS场效应管(PMOS0)和第一NMOS场效应管(NMOS0)串接在电源和地之间。3.根据权利要求2所述的实现桥式电路防串通功能的电路结构，其特征在于，所述的交流反馈通路模块组包括：第一交流反馈通路模块，与所述的第一PMOS场效应管(PMOS0)相连接，用于对所述的桥式电路模块输出的变化进行反馈再控制桥式电路；第二交流反馈通路模块，与所述的第一NMOS场效应管(NMOS0)相连接，用于对所述的桥式电路模块输出的变化进行反馈再控制桥式电路。4.根据权利要求1所述的实现桥式电路防串通功能的电路结构，其特征在于，所述的第一交流反馈通路模块包括第一电容(CP)、第一电阻(RP)和第二PMOS场效应管(PMOS1)；所述的第一电容(CP)和第一电阻(RP)串联接在电源与第一PMOS场效应管(PMOS0)的源极之间；所述的第二PMOS场效应管(PMOS1)的漏极与栅极分别接在第一电阻(RP)的两端；第二PMOS场效应管(PMOS1)的源极与第一PMOS场效应管(PMOS0)的源极相连接；所述的第一电容(CP)用于在第一PMOS场效应管(PMOS0)关断以及第一NMOS场效应管(NMOS0)开启时，通过CP耦合OUT的变化，将第二PMOS场效应管(PMOS1)的栅极下拉并打开，从而拉住第一PMOS场效应管(PMOS0)的栅极，以避免由于输出耦合造成的第一PMOS场效应管(PMOS0)二次打开形成的桥式电路串通状态。5.根据权利要求1所述的实现桥式电路防串通功能的电路结构，其特征在于，所述的第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：王换飞，夏德刚，田剑彪，
申请(专利权)人：绍兴光大芯业微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33