The invention discloses a preparation method of high-temperature resistant P (VDF TrFE) composite bilayer membrane with high energy storage density. Firstly, BaxSr1 xTiO3 nanoparticles are prepared, and the first film-forming solution is prepared with poly (vinylidene fluoride trifluoroethylene) and N, N dimethylformamide; then BaxSr1 xTiO3 is dispersed in the first film-forming solution to form a stable suspension; finally, P (VDF Tr) prepared by suspension solution. FE) composite monolayer film was used as the base film, and the top film was prepared by the mixture of polymethyl methacrylate and acetyl ether acetate. The high temperature resistant P (VDF TrFE) composite double layer film with high energy storage density was obtained. By adopting the preparation method provided by the invention, P (VDF TrFE) composite bilayer film with higher energy storage density, better high temperature resistance, higher breakdown electric field and better temperature stability of energy storage density can be obtained, thus having broad application prospects in the field of capacitors.
【技术实现步骤摘要】
一种具有高储能密度的耐高温P(VDF-TrFE)复合双层膜的制备方法
本专利技术涉及复合材料结构
,具体涉及一种具有高储能密度的耐高温P(VDF-TrFE)复合双层膜的制备方法。
技术介绍
电容元件具有放电功率大、利用效率高、充放电速度快、性能稳定等优良性能,在电力系统、电子器件、脉冲功率电源方面扮演着重要的角色,广泛应用于混合动力汽车、坦克电磁炮、电磁发射平台等国防现代化工业领域。但现在的电容元件存在诸如:储能密度低、放电电流小、寿命短等不利因素,使它的应用受到了限制。而实现电容元件向高储能化的转变,根本在于提高材料的储能密度,降低材料的损耗。材料储能性能与材料的介电常数、耐击穿强度、损耗密切相关,提高材料的储能性能就是要提高材料的介电常数、耐击穿强度,降低材料的损耗。目前使用最多的高介电铁电陶瓷材料,如:BaTiO3,BaxSr1-xTiO3,Pb(Mg,Ng)O3等,虽然具有较高的介电常数,但加工过程中耗能较大(高温烧结),耐击穿场强低,可加工性差,难以与有机基板或印刷电路板相兼容。面对产品的小型化、轻型化,单独的铁电陶瓷材料已经很难满足要求,而聚合物材料(如:PVDF)由于具有良好的柔韧性、击穿场强高、质量轻、加工温度低、与有机基板的相容性好、可以大面积成膜等优点,被广泛应用,但介电常数较低(通常小于10),耐高温性能差(室温应用),储能特性及应用受到限制。
技术实现思路
为解决以上技术问题,本专利技术提供一种具有高储能密度的耐高温P(VDF-TrFE)复合双层膜的制备方法。技术方案如下:一种具有高储能密度的耐高温P(VDF-TrFE)复合双层膜 ...
【技术保护点】
1.一种具有高储能密度的耐高温P(VDF‑TrFE)复合双层膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:步骤S1:制备BaxSr1‑xTiO3纳米颗粒,其中0<x<1;步骤S2:将聚(偏氟乙烯‑三氟乙烯)溶解在N,N‑二甲基甲酰胺中形成均匀的第一成膜溶液;步骤S3:将BaxSr1‑xTiO3纳米颗粒均匀分散在所述第一成膜溶液中形成稳定的悬浮液;步骤S4:将悬浮液浇筑在玻璃基底上并烘干处理得到烘干膜,接着将烘干膜在真空条件下,在100‑140℃的温度下保温10‑14h进行退火处理,退火结束后将其冷却至室温即得到P(VDF‑TrFE)复合单层膜;步骤S5:将聚甲基丙烯酸甲酯溶解到乙酸乙酰乙酯形成均匀的第二成膜溶液,以所述P(VDF‑TrFE)复合单层膜作为底膜,将所述第二成膜溶液浇筑在底膜上,并在60‑90℃下烘干形成顶膜,得到具有高储能密度的耐高温P(VDF‑TrFE)复合双层膜成品。
【技术特征摘要】
1.一种具有高储能密度的耐高温P(VDF-TrFE)复合双层膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:步骤S1:制备BaxSr1-xTiO3纳米颗粒,其中0<x<1;步骤S2:将聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)溶解在N,N-二甲基甲酰胺中形成均匀的第一成膜溶液;步骤S3:将BaxSr1-xTiO3纳米颗粒均匀分散在所述第一成膜溶液中形成稳定的悬浮液;步骤S4:将悬浮液浇筑在玻璃基底上并烘干处理得到烘干膜,接着将烘干膜在真空条件下,在100-140℃的温度下保温10-14h进行退火处理,退火结束后将其冷却至室温即得到P(VDF-TrFE)复合单层膜;步骤S5:将聚甲基丙烯酸甲酯溶解到乙酸乙酰乙酯形成均匀的第二成膜溶液,以所述P(VDF-TrFE)复合单层膜作为底膜,将所述第二成膜溶液浇筑在底膜上,并在60-90℃下烘干形成顶膜,得到具有高储能密度的耐高温P(VDF-TrFE)复合双层膜成品。2.根据权利要求1所述的一种具有高储能密度的耐高温P(VDF-TrFE)复合双层膜的制备方法,其特征在于:所述聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)...
【专利技术属性】
技术研发人员:范保艳,刘晓燕,姜胜林,王庆,邢安,贾碧,
申请(专利权)人:重庆科技学院,
类型:发明
国别省市:重庆,50
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