用于组织接近指示的基线阻抗标测图制造技术

一种处理器被配置成构建基线阻抗模型(BIM)，BIM将受试者的心脏的一部分建模为三维单元的集合，所述三维单元中的每一个对应于心脏内的相应体积，单元中的至少一些被指定为基线‑阻抗单元，对于所述基线‑阻抗单元中的每一个，BIM规定相应的基线阻抗；基于经由电接口接收的信号确定处于心脏内的导管电极与在外部耦合于受试者的外部电极之间的阻抗；将基线‑阻抗单元中的一个识别为参考单元；通过将所确定的阻抗与针对参考单元规定的基线阻抗相比较来确定导管电极处于心脏的组织的阈值距离内；并且响应于所述确定而更新组织的标测图。

Baseline impedance mapping for tissue proximity indication

A processor is configured to construct a baseline impedance model (BIM), which models a part of the subject's heart as a set of three-dimensional units, each of which corresponds to the corresponding volume in the heart, and at least some of which are designated as baseline impedance units. For each of the baseline impedance units, the BIM specifies the corresponding baseline impedance based on. The signal received through the electrical interface determines the impedance between the catheter electrode in the heart and the external electrode coupled to the subject; identifies one of the baseline impedance units as a reference unit; determines that the catheter electrode is within the threshold distance of the heart tissue by comparing the determined impedance with the baseline impedance specified for the reference unit; and responds to the Describes definite and updated organization mapping.

【技术实现步骤摘要】
用于组织接近指示的基线阻抗标测图
本专利技术涉及医疗装置的领域，并且具体地涉及心内导管，诸如用于电解剖标测的导管。
技术介绍
在一些应用中，将包括一个或多个电极的导管插入受试者的心脏中，并且随后用于执行心脏组织的电解剖标测，和/或执行另一功能。美国专利申请公布2010/0286550(其公开内容以引用方式并入本文)描述了一种方法，该方法包括将导管插入心脏中，该导管包括三个或更多个电极，从而使得电流在至少一些电极之间流动，并且响应于电流流动，测量一个或多个电极中的每一个处的电信号。该方法还包括基于所测量的电信号确定心脏的至少一部分的边界，并且显示小于心脏的整个边界的一部分。
技术实现思路
根据本专利技术的一些实施方案，提供了一种包括电接口和处理器的设备。处理器被配置成构建基线阻抗模型(BIM)，BIM将受试者的心脏的一部分建模为三维单元的集合，所述三维单元中的每一个对应于心脏内的相应体积，单元中的至少一些被指定为基线-阻抗单元，对于所述基线-阻抗单元中的每一个，BIM规定相应的基线阻抗。处理器还被配置成基于经由电接口接收的信号确定处于心脏内的导管电极与在外部耦合于受试者的外部电极之间的阻抗。处理器还被配置成将基线-阻抗单元中的一个识别为参考单元，以通过将所确定的阻抗与针对参考单元所规定的基线阻抗相比较来确定导管电极处于心脏组织的阈值距离内，并且响应于确定导管电极处于组织的阈值距离内而更新组织的标测图。在一些实施方案中，处理器被配置成响应于确定导管电极处于组织的阈值距离内而更新组织的标测图以并入导管电极的位置。在一些实施方案中，处理器被配置成响应于确定导管电极处于组织的阈值距离内而更新组织的标测图以并入包含在通过电极采集的心电图信号中的信息。在一些实施方案中，处理器被配置成响应于基线-阻抗单元中的一个单元的中心对应于与基线-阻抗单元中的任何其它一个单元的中心所对应的任何其它位置相比更靠近导管电极的位置的位置而将基线-阻抗单元中的一个单元识别为参考单元。在一些实施方案中，处理器被配置成响应于导管电极的位置被包括在与基线-阻抗单元中的一个单元相对应的体积中而将基线-阻抗单元中的一个单元识别为参考单元。在一些实施方案中，处理器被配置成将所确定的阻抗与针对参考单元规定的基线阻抗相比较，其通过以下方式实现：计算所确定阻抗的实部与基线阻抗的实部之间的比率，并且将比率与比率阈值相比较。在一些实施方案中，处理器被配置成将所确定的阻抗与针对参考单元规定的基线阻抗相比较，其通过以下方式实现：计算所确定阻抗的相位与基线阻抗的相位之间的差，并且将该差与相位差阈值相比较。根据本专利技术的一些实施方案，还提供了一种包括电接口和处理器的设备。处理器被配置成基于经由电接口接收的信号对于受试者心脏内的多个不同体积中的每个体积确定处于体积中的导管电极与在外部耦合于受试者的外部电极之间的一个或多个阻抗。处理器还被配置成构建基线阻抗模型(BIM)，BIM将心脏的一部分建模为三维单元的集合，所述三维单元中的每一个对应于体积中相应的一个，所述构建通过以下方式实现：对于单元的第一子集的每个单元，基于针对该单元所对应的体积所确定的一个或多个阻抗来计算相应的代表性阻抗，并且将作为单元的第一子集的子集的单元的第二子集指定为基线-阻抗单元，所述基线-阻抗单元中的每个单元具有作为相应的基线阻抗的单元的代表性阻抗。处理器还被配置成在构建BIM之后基于基线-阻抗单元中的一个的基线阻抗来确定导管电极处于心脏组织的阈值距离内，并且响应于确定导管电极处于阈值距离内而更新组织的标测图。在一些实施方案中，处理器被配置成通过对针对单元所对应的体积所确定的阻抗中的至少一些求平均来计算单元的代表性阻抗。在一些实施方案中，阈值距离为第一阈值距离，并且处理器被配置成通过以下方式将单元的第二子集指定为基线-阻抗单元：对于第二子集的至少一个单元，将距单元第二阈值距离内的第一子集的其它单元识别为单元的第三子集，基于单元的第三子集的相应代表性阻抗来将单元指定为潜在基线-阻抗单元，在将单元指定为潜在基线-阻抗单元之后，将也被指定为潜在基线-阻抗单元且距单元第三阈值距离内的第一子集的其它单元识别为单元的第四子集，并且基于单元的第四子集的相应代表性阻抗来将单元指定为基线-阻抗单元中的一个。在一些实施方案中，处理器被配置成通过以下方式将单元指定为潜在基线-阻抗单元：计算单元的代表性阻抗与单元的第三子集的相应代表性阻抗之间的相似性的至少一个量度，计算单元的第三子集的相应代表性阻抗的变化的至少一个量度，并且响应于相似性的量度和变化的量度而将单元指定为潜在基线-阻抗单元。在一些实施方案中，处理器被配置成通过以下方式将单元指定为基线-阻抗单元中的一个：计算单元的代表性阻抗与单元的第四子集的相应代表性阻抗之间的相似性的至少一个量度，并且响应于相似性的量度，将单元指定为基线-阻抗单元中的一个。在一些实施方案中，处理器被配置成通过以下方式将单元指定为基线-阻抗单元中的一个：将线拟合于单元的第四子集的相应代表性阻抗，并且响应于单元的代表性阻抗与线之间的距离小于第四阈值距离而将单元指定为基线-阻抗单元中的一个。在一些实施方案中，阈值距离为第一阈值距离，并且处理器被配置成通过以下方式将单元的第二子集指定为基线-阻抗单元：对于第二子集的至少一个单元，选择种子单元，所述种子单元属于第二子集且已经被指定为基线-阻抗单元中的一个，将已经被指定为基线-阻抗单元中的相应的一个且距种子单元第二阈值距离内的第二子集的其它单元识别为单元的第三子集，将线拟合于单元的第三子集和所选择种子单元的相应基线阻抗，基于单元与种子单元之间的距离小于第三阈值距离来选择单元，并且在选择单元之后，响应于单元的代表性阻抗与线之间的距离小于第四阈值距离而将单元指定为基线-阻抗单元中的一个。在一些实施方案中，处理器还被配置成确定线的梯度的幅度小于阈值梯度幅度值，并且处理器被配置成响应于梯度的幅度小于阈值梯度幅度值而选择单元。在一些实施方案中，处理器还被配置成：在构建BIM之后确定导管电极与外部电极之间的至少一个其它阻抗，并且基于其它阻抗来重建BIM。在一些实施方案中，处理器还被配置成：使用所重建的BIM来确定导管电极在BIM已经被重建之前处于心脏的组织的阈值距离内，并且响应于确定导管电极处于阈值距离内而更新组织的标测图。在一些实施方案中，导管电极为第一导管电极，BIM为第一BIM，并且阻抗为第一阻抗，并且处理器还被配置成：对于至少一些不同体积中的每个体积确定处于该体积中的第二导管电极与外部电极之间的一个或多个第二阻抗，基于所确定的第二阻抗来计算与第一BIM至少部分地重叠的第二BIM，第二BIM的至少一些基线-阻抗单元中的每一个具有基线阻抗，所述基线阻抗不同于第一BIM的基线-阻抗单元中的相对应的一个的基线阻抗，确定在第一BIM的基线阻抗与第二BIM的基线阻抗之间缩放的至少一个缩放因子，通过使用所确定的缩放因子将第一BIM与第二BIM合并来构建合并的BIM，使用合并的BIM确定第一电极处于组织的阈值距离内，并且使用合并的BIM确定第二电极处于组织的阈值距离内。根据本专利技术的一些实施方案，还提供了一种方法，所述方法包括构建基线阻抗模型(BIM)，BIM将受试者心脏的一部本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.设备，包括：电接口；和处理器，所述处理器被配置成：构建基线阻抗模型(BIM)，所述BIM将受试者的心脏的一部分建模为三维单元的集合，所述三维单元中的每一个对应于所述心脏内的相应体积，所述单元中的至少一些被指定为基线‑阻抗单元，对于所述基线‑阻抗单元中的每一个，所述BIM规定相应的基线阻抗，基于经由所述电接口接收的信号确定处于所述心脏内的导管电极与在外部耦合于所述受试者的外部电极之间的阻抗，将所述基线‑阻抗单元中的一个识别为参考单元，通过将所确定的阻抗与针对所述参考单元规定的所述基线阻抗相比较来确定所述导管电极处于所述心脏的组织的阈值距离内，并且响应于确定所述导管电极处于所述组织的所述阈值距离内而更新所述组织的标测图。

【技术特征摘要】
2017.10.19 US 15/7882861.设备，包括：电接口；和处理器，所述处理器被配置成：构建基线阻抗模型(BIM)，所述BIM将受试者的心脏的一部分建模为三维单元的集合，所述三维单元中的每一个对应于所述心脏内的相应体积，所述单元中的至少一些被指定为基线-阻抗单元，对于所述基线-阻抗单元中的每一个，所述BIM规定相应的基线阻抗，基于经由所述电接口接收的信号确定处于所述心脏内的导管电极与在外部耦合于所述受试者的外部电极之间的阻抗，将所述基线-阻抗单元中的一个识别为参考单元，通过将所确定的阻抗与针对所述参考单元规定的所述基线阻抗相比较来确定所述导管电极处于所述心脏的组织的阈值距离内，并且响应于确定所述导管电极处于所述组织的所述阈值距离内而更新所述组织的标测图。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述处理器被配置成响应于确定所述导管电极处于所述组织的所述阈值距离内而更新所述组织的所述标测图以并入所述导管电极的位置。3.根据权利要求1所述的设备，其中所述处理器被配置成响应于确定所述导管电极处于所述组织的所述阈值距离内而更新所述组织的所述标测图以并入包含在通过所述电极采集的心电图信号中的信息。4.根据权利要求1所述的设备，其中所述处理器被配置成响应于所述基线-阻抗单元中的一个单元的中心对应于与所述基线-阻抗单元中的任何其它一个单元的中心所对应的任何其它位置相比更接近所述导管电极的位置的位置而将所述基线-阻抗单元中的所述一个单元识别为所述参考单元。5.根据权利要求4所述的设备，其中所述处理器被配置成响应于所述导管电极的所述位置被包括在所述基线-阻抗单元中的所述一个单元所对应的所述体积中而将所述基线-阻抗单元中的所述一个单元识别为所述参考单元。6.根据权利要求1所述的设备，其中所述处理器被配置成将所确定的阻抗与针对所述参考单元规定的所述基线阻抗相比较，其通过以下方式实现：计算所确定的阻抗的实部与所述基线阻抗的实部之间的比率，并且将所述比率与比率阈值相比较。7.根据权利要求1所述的设备，其中所述处理器被配置成将所确定的阻抗与针对所述参考单元规定的所述基线阻抗相比较，其通过以下方式实现：计算所确定的阻抗的相位与所述基线阻抗的相位之间的差，并且将所述差与相位差阈值相比较。8.设备，包括：电接口；和处理器，所述处理器被配置成：对于受试者的心脏内的多个不同体积的每个体积，基于经由所述电接口接收的信号，确定处于所述体积中的导管电极与在外部耦合于所述受试者的外部电极之间的一个或多个阻抗，构建基线阻抗模型(BIM)，所述BIM将所述心脏的一部分建模为三维单元的集合，所述三维单元中的每一个对应于所述体积中的相应的一个，所述构建通过以下方式实现：对于所述单元的第一子集的每个单元，基于针对所述单元所对应的所述体积所确定的所述一个或多个阻抗来计算相应的代表性阻抗，并且将作为所述单元的所述第一子集的子集的所述单元的第二子集指定为基线-阻抗单元，所述基线-阻抗单元中的每个单元具有作为相应的基线阻抗的所述单元的所述代表性阻抗，在构建所述BIM之后，基于所述基线-阻抗单元中的一个的所述基线阻抗来确定所述导管电极处于所述心脏的组织的阈值距离内，并且响应于确定所述导管电极处于所述阈值距离内而更新所述组织的标测图。9.根据权利要求8所述的设备，其中所述处理器被配置成通过对针对所述单元所对应的所述体积所确定的所述阻抗中的至少一些求平均来计算所述单元的所述代表性阻抗。10.根据权利要求8所述的设备，其中所述阈值距离为第一阈值距离，并且其中所述处理器被配置成通过以下方式将所述单元的所述第二子集指定为所述基线-阻抗单元：对于所述第二子集的至少一个单元，将距所述单元第二阈值距离内的所述第一子集的其它单元识别为所述单元的第三子集；基于所述单元的所述第三子集的相应代表性阻抗来将所述单元指定为潜在基线-阻抗单元，在将所述单元指定为潜在基线-阻抗单元之后，将也被指定为潜在基线-阻抗单元且距所述单元第三阈值距离内的所述第一子集的其它单元识别为所述单元的第四子集，并且基于所述单元的所述第四子集的相应代表性阻抗来将所述单元指定为所述基线-阻抗单元中的一个。11.根据权利要求10所述的设备，其中所述处理器被配置成通过以下方式将所述单元指定为潜在基线-阻抗单元：计算所述单元的所述代表性阻抗与所述单元的所述第三子集的所述相应代表性阻抗之间的相似性的至少一个量度，计算所述单元的所述第三子集的所述相应代表性阻抗的变化的至少一个量度，并且响应于相似性的所述量度和变化的所述量度而将所述单元指定为潜在基线-阻抗单元。12.根据权利要求10所述的设备，其中所述处理器被配置成通过以下方式将所述单元指定为所述基线-阻抗单元中的一个：计算所述单元的所述代表性阻抗与所述单元的所述第四子集的所述相应代表性阻抗之间的相似性的至少一个量度，并且响应于相似性的所述量度来将所述单元指定为所述基线-阻抗单元中的一个。13.根据权利要求10所述的设备，其中所述处理器被配置成通过以下方式将所述单元指定为所述基线-阻抗单元中的一个：将线拟合于所述单元的所述第四子集的所述相应代表性阻抗，并且响应于所述单元的所述代表性阻抗与所述线之间的距离小于第四阈值距离而将所述单元指定为所述基线-阻抗单元中的一个。14.根据权利要求8所述的设备，其中所述阈值距离为第一阈值距离，并且其中所述处理器被配置成通过以下方式将所述单元的所述第二子集指定为所述基线-阻抗单元：对于所述第二子集的至少一个单元，选择属于所述第二子集且已经被指定为所述基线-阻抗单元中的一个的种子单元，将已经被指定为所述基线-阻抗单元中的相应的一个且距所述种子单元第二阈值距离内的所述第二子集的其它单元识别为所述单元的第三子集，将线拟合于所述单元的所述第三子集和所选择种子单元的相应基线阻抗，基于所述单元与所述种子单元之间的距离小于第三阈值距离来选择所述单元，并且在选择所述单元之后，响应于所述单元的所述代表性阻抗与所述线之间的距离小于第四阈值距离而将所述单元指定为所述基线-阻抗单元中的一个。15.根据权利要求14所述的设备，其中所述处理器还被配置成确定所述线的梯度的幅度小于阈值梯度幅度值，并且其中所述处理器被配置成响应于所述梯度的所述幅度小于所述阈值梯度幅度值而选择所述单元。16.根据权利要求8所述的设备，其中所述处理器还被配置成：在构建所述BIM之后，确定所述导管电极与所述外部电极之间的至少一个其它阻抗，并且基于所述其它阻抗来重建所述BIM。17.根据权利要求16所述的设备，其中所述处理器还被配置成：使用所重建的BIM来确定所述导管电极在所述BIM已经被重建之前处于所述心脏的组织的所述阈值距离内，并且响应于确定所述导管电极处于所述阈值距离内而更新所述组织的所述标测图。18.根据权利要求8所述的设备，其中所述导管电极为第一导管电极，所述BIM为第一BIM，并且所述阻抗为第一阻抗，并且其中所述处理器还被配置成：对于所述不同体积中的至少一些的每个体积，确定处于所述体积中的第二导管电极与所述外部电极之间的一个或多个第二阻抗，基于所确定的第二阻抗来计算与所述第一BIM至少部分地重叠的第二BIM，所述第二BIM的所述基线-阻抗单元中的至少一些的每一个具有不同于所述第一BIM的所述基线-阻抗单元的对应的一个的所述基线阻抗的基线阻抗，确定在所述第一BIM的所述基线阻抗与所述第二BIM的所述基线阻抗之间缩放的至少一个缩放因子，通过使用所确定的缩放因子将所述第一BIM与所述第二BIM合并...

【专利技术属性】
技术研发人员：D奥萨基，M巴塔尔，LS米兹拉希，
申请(专利权)人：韦伯斯特生物官能以色列有限公司，
类型：发明
国别省市：以色列,IL