一种有机电致发光器件制造技术

本发明专利技术涉及一种有机电致发光器件，其发光层与电子传输层之间具有一层空穴阻挡层，所述空穴阻挡层材料的HOMO能级高于5.6eV，能带间隙大于2.5eV，三线态能级T1高于2.5eV，该空穴阻挡层材料选自通式(A)、通式(B)或通式(C)所示的化合物：

An Organic Electroluminescent Device

The present invention relates to an organic electroluminescent device. There is a hole barrier layer between the luminescent layer and the electron transport layer. The HOMO energy level of the hole barrier layer material is higher than 5.6eV, the band gap is greater than 2.5eV, and the trilinear energy level T1 is higher than 2.5eV. The hole barrier layer material is selected from compounds shown in general (A), general (B) or formula (C):

【技术实现步骤摘要】
一种有机电致发光器件
本专利技术涉及一种新型有机电致发光器件。
技术介绍
随着OLED技术在照明和显示两大领域的不断推进，人们对于影响OLED器件性能的高效有机材料的研究更加关注，一个效率好寿命长的有机电致发光器件通常是器件结构与各种有机材料的优化搭配的结果。在最常见的OLED器件结构里，通常包括以下种类的有机功能层：空穴注入层(HIL)、空穴阻挡层(HTL)电子阻挡层(EBL)、发光层(EML)、空穴阻挡层(HBL)电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。其中，HBL介于EML与ETL之间，主要用于阻挡EML空穴的传出、增强ETL电子的传入以及阻挡EML激子的扩散。其中，空穴阻挡和电子传输作用主要受到材料HOMO和迁移率的影响，而高的T1能级和能带间隙能够阻挡激子的扩散和载流子的复合。目前，常规的HBL材料如TPBi和BCP均主要增加材料的HOMO能级(>6.0eV)和提高T1能级(>2.5eV)上，受限于较低的迁移率，使得这些HBL材料虽然能够起到一定的提高器件亮度的作用，却无法有效降低器件的电压。由于HBL材料对器件性能的影响因素较多，目前没有一款材料能够同时满足上述条件，因此，通过适当降低HB材料HOMO能级并提高电子迁移率能够在不影响空穴阻挡效果(提高激子符合率)的情况下有效降低器件的电压，同时保留高T1能级和能带间隙能够有效阻挡激子的扩散，适用于荧光和磷光器件体系。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种新型有机材料在器件中的应用，重点克服现有器件在空穴阻挡材料选择和应用上的不足，解决空穴阻挡材料应用缺乏的问题。本专利技术涉及一种有机电致发光器件，其发光层与电子传输层之间具有一层空穴阻挡层，所述空穴阻挡层材料的HOMO能级高于5.6eV，能带间隙Eg大于2.5eV，三线态能级T1能级高于2.5eV。所述空穴阻挡层材料选自通式(A)、通式(B)或通式(C)所示的化合物：通式(A)中，n为1或2；Ar1、Ar2和Ar3中，至少有两个分别独立选自含有吡啶环的5～60个碳原子的杂环芳烃基团，剩余的另一个选自氢原子、含有1～40个碳原子的烷烃基团、含有5～50个碳原子的芳烃基团或含有5～50个碳原子的含氮原子的杂环芳烃基团。通式(B)中，R1选自氢原子或苯基；R2、R2’分别独立选自含有3～30个碳原子的含氮原子的杂环芳烃基团；m为1、2或3，且当m为2或3时，R2所选的基团彼此相同或不同；n为1、2或3，且当n为2或3时，R2’所选的基团彼此相同或者不同。通式(C)中：Ar4选自含有6～30个碳原子的取代或未取代的芳烃基团、含有5～30个碳原子的取代或未取代的杂环芳烃基团；Ar5选自氢原子、含有2～10个碳原子的烷烃基团、含有6～30个碳原子的取代或未取代的芳烃基团、含有5～30个碳原子的取代或未取代的杂环芳烃基团；当Ar4和Ar5分别独立选自取代的芳烃基团或取代的杂环芳烃基团时，所述取代的基团选自卤素、氰基，或选自具有1～30个碳原子的烷基或环烷基、具有5～30个碳原子的单环或稠环芳烃基团，或选自具有5～50个碳原子的含氮原子的单环或稠环芳烃基团。满足以上条件的材料应用于空穴阻挡层，其HOMO能级能有效阻挡空穴的传出，高迁移率能够增强电子的传入，高的三线态能级和能隙能够阻挡激子的传出和复合，起到降低器件电压、提高器件效率的目的。具体说，本专利技术中对材料的HOMO、LUMO和T1能级的描述中，“高于”或“大于”的能级是指绝对值高于基准能级绝对值的能级；Eg(能带间隙)的数值为材料LUMO能级与HOMO能级差值的绝对值。优选地，本专利技术的有机电致发光器件中所述空穴阻挡材料的电子迁移率高于1.0*10-5cm2/Vs；更优选地，所述空穴阻挡材料的电子迁移率>＝10-4cm2/Vs。空穴阻挡层一般膜厚为1nm～10nm，优选2nm～6nm。为保证膜层的均匀性，一般使用真空蒸镀的方式制备，材料蒸镀速率蒸发速率一般为优选作为本专利技术的一种实施方式，优选的，所述发光层的染料为荧光发光材料，所述空穴阻挡层材料的HOMO能级高于5.7eV，能带间隙大于3.0eV，电子迁移率>＝10-4cm2/Vs。作为本专利技术的另一种实施方式，优选的，所述发光层染料为磷光发光材料，所述空穴阻挡层材料的HOMO能级高于5.6eV，能带间隙大于2.5eV，T1能级高于2.5eV，电子迁移率>＝10-4cm2/Vs。优选地，本专利技术涉及的空穴阻挡层(简称HBL)材料蒸发温度低于320℃进一步的，上述通式(A)所示化合物，优选为通式(A-1)和通式(A-2)的结构：更进一步的，通式(A)中优选的结构化合物为1-1～1-67、2-1～2-64和3-1～3-60，具体结构式如下所示：进一步的，通式(B)中，所示的化合物的一种优选方式，R2、R2’分别独立选自下述结构式1-1至式1-5：其中*表示取代基团可与亚苯基进行键合的位点；上述式1-5中，R3表示含有6～30个碳原子的芳烃基团。更进一步的，通式(B)中，优选R2与R2’相同。进一步的，通式(B)中，m和n优选同时为1，或优选同时为2。更进一步的，上述通式(B)优选如下具体化合物：进一步的，通式(C)中，优选如下具体化合物：附图说明从下面结合附图对本专利技术实施例的详细描述中，本专利技术的这些和/或其它方面和优点将变得更加清楚并更容易理解，其中：图1为本专利技术中使用的一般的有机电致发光器件的截面示意图；器件各结构层分别为：1、基板；2、阳极；3、空穴注入层；4、空穴传输层；5、电子阻挡层；6、发光层；7、空穴阻挡层；8、电子传输层；9、电子注入层；10、阴极。具体实施方式为了使本领域技术人员更好地理解本专利技术，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细说明。合成实施例本专利技术中未提到的合成方法的化合物的都是通过商业途径获得的原料产品。实施例中所用的各种化学药品如石油醚、乙酸乙酯、正己烷、甲苯、四氢呋喃、二氯甲烷、四氯化碳、丙酮、1，2-双(溴甲基)苯、CuI、邻苯二甲酰氯、盐酸苯肼、三氟乙酸、乙酸、反式-二氨基环己烷、碘苯、碳酸铯、磷酸钾、乙二胺、二苯甲酮、环戊酮、9-芴酮、叔丁醇钠、甲烷磺酸、1-溴-2-甲基萘、邻二溴苯、丁基锂、二溴乙烷、邻二溴苯、过氧化苯甲酰、1-(2-溴苯基)-2-甲基萘、N-溴代丁二酰亚胺、甲氧甲基三甲基氯化鏻、三(二亚苄基丙酮)二钯、四(三苯基膦)钯、1,3-双二苯基膦丙烷氯化镍、咔唑、3,6-二叔丁基咔唑、、N-苯基咔唑-3-溴、2-溴芴酮、2-(4-溴苯)-4,6-二苯基三嗪等基础化工原料均可在国内化工产品市场买到。本专利技术中的中间体和化合物的分析检测使用ABSCIEX质谱仪(4000QTRAP)和布鲁克核磁共振仪(400M)。合成实施例1.化合物B1的合成将2-溴-5-羟基苯甲醛(50g，0.249mol)，双联频那醇硼酸酯(95g，0.3735mol)，二氧六环(1.0L)，乙酸钾(48.9g，0.498mol)，Pd(dppf)Cl2(0.98g)加入到四口瓶中升温到回流，TLC点板监控反应终点。大概三小时反应完毕。反应完成后，加入乙酸乙酯和水进行分液，有机相干燥，过硅胶，收干溶剂的中间体M1，50g收率80.9％，直接用于下一步反应。将本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机电致发光器件，其发光层与电子传输层之间具有一层空穴阻挡层，其特征在于，所述空穴阻挡层材料的HOMO能级高于5.6eV，能带间隙大于2.5eV，三线态能级T1能级高于2.5eV，所述空穴阻挡层材料选自通式(A)、通式(B)或通式(C)所示的化合物：

【技术特征摘要】
1.一种有机电致发光器件，其发光层与电子传输层之间具有一层空穴阻挡层，其特征在于，所述空穴阻挡层材料的HOMO能级高于5.6eV，能带间隙大于2.5eV，三线态能级T1能级高于2.5eV，所述空穴阻挡层材料选自通式(A)、通式(B)或通式(C)所示的化合物：通式(A)中，n为1或2；Ar1、Ar2和Ar3中，至少有两个分别独立选自含有吡啶环的5～60个碳原子的杂环芳烃基团，另一个选自氢原子、含有1～40个碳原子的烷烃基团、含有5～50个碳原子的芳烃基团或含有5～50个碳原子的含氮原子的杂环芳烃基团；通式(B)中，R1选自氢原子或苯基；R2、R2’分别独立选自含有3～30个碳原子的含氮原子的杂环芳烃基团；m为1、2或3，且当m为2或3时，R2所选的基团彼此相同或不同；n为1、2或3，且当n为2或3时，R2’所选的基团彼此相同或者不同；通式(C)中，Ar4选自含有6～30个碳原子的取代或未取代的芳烃基团、含有5～30个碳原子的取代或未取代的杂环芳烃基团；Ar5选自氢原子、含有2～10个碳原子的烷烃基团、含有6～30个碳原子的取代或未取代的芳烃基团、含有5～30个碳原子的取代或未取代的杂环芳烃基团；当Ar4和Ar5分别独立选自取代的芳烃基团或取代的杂环芳烃基团时，所述取代的基团选...

【专利技术属性】
技术研发人员：李轶文，邢其锋，任雪艳，
申请(专利权)人：北京鼎材科技有限公司，固安鼎材科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11