发光器件制造技术

本发明专利技术涉及一种发光器件，包括阳极；空穴注入层，形成于阳极上；空穴传输层，形成于空穴注入层上；发光层，形成于空穴传输层上；电子传输层，形成于发光层上；电子注入层，形成于电子传输层上；阴极，形成于电子注入层上；发光层包括N个叠设的发光单元，各发光单元包括热激活延迟荧光材料层和量子点材料层，热激活延迟荧光材料层发射的光与量子点材料层发射的光合成白光，N≥1。上述发光器件，通过设置激活延迟荧光材料层，可以大大提高器件的发光效率。本发明专利技术还涉及一种基于上述特征的另一种发光器件。

Light emitting device

The invention relates to a light-emitting device, which comprises an anode; a hole injection layer formed on the anode; a hole transmission layer formed on the hole injection layer; a light-emitting layer formed on the hole transmission layer; an electron transmission layer formed on the light-emitting layer; an electron injection layer formed on the electron transmission layer; a cathode formed on the electron injection layer; and a light-emitting layer comprising N overlapping light-emitting units. The luminescent units include thermal activated delayed fluorescent material layer and quantum dot material layer. The light emitted by thermal activated delayed fluorescent material layer and the light emitted by quantum dot material layer synthesize white light, N < 1. The light-emitting device can greatly improve the light-emitting efficiency of the device by setting an activation delayed fluorescent material layer. The invention also relates to another light-emitting device based on the above characteristics.

【技术实现步骤摘要】
发光器件
本专利技术涉及显示领域，尤其涉及一种发光器件。
技术介绍
量子点(QuantumDot)是准零维纳米材料，具有显著的量子尺寸效应，量子点的发光光谱可以通过改变量子点的尺寸来控制，因此量子点材料被广泛应用于显示领域。目前，发射白光的量子点发光器件主要是采用量子点发光层的堆叠，通过混色获取白光，如分别发射红光、绿光、蓝光的量子点发光层堆叠可产生白光。采用量子点发光材料堆叠虽可产生白光，但是量子点材料具有发光效率较低的问题。
技术实现思路
基于此，有必要针对合成白光的量子点发光器件发光效率低的问题，提出了一种新的发光器件。一种发光器件，包括：阳极；空穴注入层，形成于所述阳极上；空穴传输层，形成于所述空穴注入层上；发光层，形成于所述空穴传输层上；电子传输层，形成于所述发光层上；电子注入层，形成于所述电子传输层上；阴极，形成于所述电子注入层上；所述发光层包括N个叠设的发光单元，各所述发光单元包括热激活延迟荧光材料层和量子点材料层，所述热激活延迟荧光材料层发射的光与所述量子点材料层发射的光合成白光，N≥1。上述发光器件，发光层包含多个发光单元，各发光单元包含多层结构，分别包括热激活延迟荧光材料层和量子点材料层，热激活延迟荧光材料层发射的光与量子点材料层发射的光合成白光，从而使发光器件发射白光。由于热激活延迟荧光材料的发光效率较高，且热激活延迟荧光材料不仅自身能发射光，还能将能量传递至量子点材料层，激发量子点材料发光，从而提高发光器件的发光效率。在其中一个实施例中，所述热激活延迟荧光材料层包括发射蓝光的热激活延迟荧光材料，所述量子点材料层包括发射黄光的第一量子点材料层，所述第一量子点材料层形成于所属发光单元的热激活延迟荧光材料层上。在其中一个实施例中，所述热激活延迟荧光材料层的厚度范围为10nm～60nm，所述第一量子点材料层的厚度范围为50nm～250nm。在其中一个实施例中，所述第一量子点材料层形成于所属的发光单元的热激活延迟荧光材料层上背离所述空穴传输层的一侧。在其中一个实施例中，所述热激活延迟荧光材料的最高占据态分子轨道能级的绝对值大于所述量子点材料的价带顶能级绝对值，所述热激活延迟荧光材料的最低未占据态分子轨道能级的绝对值大于所述量子点材料的导带底能级绝对值。在其中一个实施例中，所述发光单元还包括发射绿光的第二量子点材料层，所述第二量子点材料层形成于所所属发光单元中的热激活延迟荧光材料层上背离第一量子点材料层的一侧，或形成于所属发光单元中的第一量子点材料层上背热激活延迟荧光材料层的一侧。在其中一个实施例中，所述空穴传输层包括第一二氧化硅介孔框架和容纳于所述第一二氧化硅介孔框架内的空穴传输材料。在其中一个实施例中，所述电子传输层包括第二二氧化硅介孔框架和容纳于所述第二二氧化硅介孔框架内的电子传输材料。一种发光器件，包括：阳极；空穴注入层，形成于所述阳极上；空穴传输层，形成于所述空穴注入层上；发光层，形成于所述空穴传输层上；电子传输层，形成于所述发光层上；电子注入层，形成于所述电子传输层上；阴极，形成于所述电子注入层上；所述发光层包括N个叠设的发光单元，N≥1，各所述发光单元包括：热激活延迟荧光材料层，包括发射蓝光的热激活延迟荧光材料；第一量子点材料层，包括发射黄光的量子点材料，形成于所属发光单元的热激活延迟荧光材料层上；第二量子点材料层，包括发射绿光的量子点材料，形成于所属发光单元中的热激活延迟荧光材料层上背离第一量子点材料层的一侧，或形成于所属发光单元中的第一量子点材料层上背离热激活延迟荧光材料层的一侧，所述热激活延迟荧光材料的最高占据态分子轨道能级的绝对值大于所述量子点材料的价带顶能级绝对值，所述热激活延迟荧光材料的最低未占据态分子轨道能级的绝对值大于所述量子点材料的导带底能级绝对值。上述发光器件，其发光层包含叠设的热激活延迟荧光材料层、第一量子点材料层和第二量子点材料层，其中热激活延迟荧光材料层发射蓝光，第一量子点材料层发色黄光，第二量子点材料层发射绿光。热激活延迟荧光材料层发射蓝光的同时还可将能量传递至第一量子点材料层和第二量子点发光层，激发第一量子点材料层发射黄光，激发第二量子点材料层发射绿光，三种光色混合可得到纯度较高的白色。同时，热激活延迟荧光材料的最高占据态分子轨道能级的绝对值大于量子点材料的价带顶能级绝对值，热激活延迟荧光材料的最低未占据态分子轨道能级的绝对值小于量子点材料的导带底能级绝对值，可使热激活延迟荧光材料层的能量有效的传递给量子点材料层，激发量子材料层发光，使发光器件发光更为稳定。附图说明图1为一实施例中发光器件结构示意图；图2为一实施例中发光层结构组成示意图；图3为另一实施例中发光器件结构示意图；图4为一实施例中TADF材料与量子点材料能级关系图；图5a为一实施例中发光单元结构示意图；图5b为另一实施例中发光单元结构示意图；图6为一实施例中二氧化硅介孔框架局部示意图。具体实施方式为了便于理解本专利技术，下面将参照相关附图对本专利技术进行更全面的描述。附图中给出了本专利技术的首选实施例。但是，本专利技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本专利技术的公开内容更加透彻全面。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方法或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。如图1和图2所示，在一实施例中，发光器件包括依次叠设的阳极100、空穴注入层200、空穴传输层300、发光层400、电子传输层500、电子注入层600和阴极700；发光层400包括N个叠设的发光单元A，各发光单元A包括热激活延迟荧光(ThermallyActivatedDelayedFluorescence，TADF)材料层和量子点材料层，TADF材料层发射的光与量子点材料层发射的光合成白光，N≥1。上述发光器件，通过阳极和阴极可连接外部电源，接通电源后，阴极电子通过电子注入层和电子传输层进入发光层，阳极空穴通过空穴注入层和空穴传输层进入发光层，电子和空穴在发光层复合形成激子，使发光层处于激发态，发光层从激发态恢复至平衡态的过程是从高能级跃迁至低能级的过程，从而辐射发光，辐射光的颜色由跃迁能级差决定。由于荧光材料的激发态形成的激子包含25％的单线态激子和75％的三线态激子，其中，只有单线态激子可辐射荧光。若仅通过量子点材料叠设产生白光，由于量子点材料发射的光为荧光，因此量子点材料的内量子效率不超过25％，造成量子点发光材料的发光效率低。在本实施例中，设置TADF材料层，电子和空穴在TADF材料层中复合后产生单线态激子和三线态激子，其中，单线态激子可直接跃迁发射荧光，三线态激子不能直接跃迁辐射荧光，但是可以通过反向系间窜越(reve本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光器件，包括：阳极；空穴注入层，形成于所述阳极上；空穴传输层，形成于所述空穴注入层上；发光层，形成于所述空穴传输层上；电子传输层，形成于所述发光层上；电子注入层，形成于所述电子传输层上；阴极，形成于所述电子注入层上；其特征在于，所述发光层包括N个叠设的发光单元，各所述发光单元包括热激活延迟荧光材料层和量子点材料层，所述热激活延迟荧光材料层发射的光与所述量子点材料层发射的光合成白光，N≥1。

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，包括：阳极；空穴注入层，形成于所述阳极上；空穴传输层，形成于所述空穴注入层上；发光层，形成于所述空穴传输层上；电子传输层，形成于所述发光层上；电子注入层，形成于所述电子传输层上；阴极，形成于所述电子注入层上；其特征在于，所述发光层包括N个叠设的发光单元，各所述发光单元包括热激活延迟荧光材料层和量子点材料层，所述热激活延迟荧光材料层发射的光与所述量子点材料层发射的光合成白光，N≥1。2.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述热激活延迟荧光材料层包括发射蓝光的热激活延迟荧光材料，所述量子点材料层包括发射黄光的第一量子点材料层，所述第一量子点材料层形成于所属发光单元的热激活延迟荧光材料层上。3.如权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述热激活延迟荧光材料层的厚度范围为10nm～60nm，所述第一量子点材料层的厚度范围为50nm～250nm。4.如权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述第一量子点材料层形成于所属的发光单元的热激活延迟荧光材料层上背离所述空穴传输层的一侧。5.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述热激活延迟荧光材料的最高占据态分子轨道能级的绝对值大于所述量子点材料的价带顶能级绝对值，所述热激活延迟荧光材料的最低未占据态分子轨道能级的绝对值大于所述量子点材料的导带底能级绝对值。6.如权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述发光单元还包括发射绿光的第二量子点材料层，所述第二量子点材料层形成于所属发光单元中的热激活延迟荧光材料层上背离第一量子点材...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘振，卓恩宗，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44