The invention relates to an AlGaAs Photocathode with adjustable wavelength, which comprises a glass window, a Si3N4 antireflective layer, a buffer layer and a number of emission layers arranged concentrically from bottom to top. The diameters of the emission layers are reduced from bottom to top, the upper surface of each emission layer is covered with an activation layer, and the surface of each activation layer is covered with a detachable light shielding cap, in which the buffer layer is made of Al.
【技术实现步骤摘要】
一种波长可调的AlGaAs光电阴极
本专利技术是涉及光电阴极
，具体的说是一种波长可调的AlGaAs光电阴极。
技术介绍
目前国内外对负电子亲和势（negativeelectronaffinity，简称NEA）光电阴极的研究都是致力于标准GaAs光电阴极、窄带响应GaAlAs光电阴极、紫外日盲响应GaN光电阴极、近红外InGaAs光电阴极等。项目组以近十几年来对NEA光电阴极的研究成果为基础，开展了AlGaAs光电阴极的研究，已经申请了专利技术专利《一种蓝延伸变带隙AlGaAs/GaAs光电阴极及其制备方法》（申请号：CN201110202343.2）、《对532nm敏感的透射式GaAlAs光电阴极及其制备方法》（申请号：201110013841.2）和《532nm截止的反射式GaAlAs光电阴极及其制备方法》（申请号：201210094925.8）、《一种指数掺杂反射式GaAs光电阴极及其制备方法》（申请号：CN201310211048.2）、《基于对数掺杂变In组分反射式结构GaAs光电阴极》（申请号：CN201410010132.2）、《一种蓝延伸指数...
【技术保护点】
1.一种波长可调的AlGaAs光电阴极，其特征是：包括由下至上依次同心设置的玻璃窗口（1）、Si3N4增透层（2）、缓冲层（3）和若干片发射层（4），所述的若干片发射层（4）由下至上直径依次减小，每层发射层（4）的上表面露出区域均覆盖有激活层（5），所述的激活层（5）的端面的形状和尺寸与其对应的发射层（4）的上表面露出区域的形状尺寸相同，每层激活层（5）表面均覆盖有可拆卸的遮光帽（6）；所述的缓冲层（3）采用Al
【技术特征摘要】
1.一种波长可调的AlGaAs光电阴极，其特征是：包括由下至上依次同心设置的玻璃窗口（1）、Si3N4增透层（2）、缓冲层（3）和若干片发射层（4），所述的若干片发射层（4）由下至上直径依次减小，每层发射层（4）的上表面露出区域均覆盖有激活层（5），所述的激活层（5）的端面的形状和尺寸与其对应的发射层（4）的上表面露出区域的形状尺寸相同，每层激活层（5）表面均覆盖有可拆卸的遮光帽（6）；所述的缓冲层（3）采用AlxGa1-xAs均匀掺杂缓冲层；所述的若干片发射层（4）采用不同Al组分的Alx’Ga1-x’As发射层，若干片发射层（4）中Al组分x’值由下至上依次减小，x’值介于1~0之间，若干片发射层（4）均采用均匀掺杂方式，各片发射层（4）中的掺杂浓度由下至上依次减小；所述的激活层（5）采用Cs/O激活层；所述的遮光帽（6）采用不透光材料制成。2.根据权利要求1所述的一种波长可调的AlGaAs光电阴极，其特征在于：所述的玻璃窗口（1）厚2~8mm，所述的玻璃窗口（1）的直径为22~42mm。3.根据权利要求1所述的一种波长可调的AlGaAs光电阴极，其特征在于：所述的Si3N4增透层（2）厚100~200nm，S...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵静，郭婧，冯琤，张健，
申请(专利权)人：南京工程学院，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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