一种CZT半导体活度计以及活度测量装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种CZT半导体活度计以及活度测量装置，涉及医疗器械领域，CZT半导体活度计包括壳体、CZT探测头、封装基板和处理模块，CZT探测头设置在壳体的一端，封装基板设置在壳体的中部并与壳体的内壁相抵接，CZT探测头与封装基板的一侧连接，封装基板的另一侧与壳体的内壁共同形成一封装内腔，处理模块容置在封装内腔中并与封装基板连接。相较于现有技术，本发明专利技术提供的一种CZT半导体活度计，体积小，操作方便，检测时无需人为控制，并且能够在室温下使用。

A CZT Semiconductor Activity Meter and Activity Measuring Device

The invention provides a CZT semiconductor activity meter and a activity measuring device, which relates to the field of medical devices. The CZT semiconductor activity meter includes a shell, a CZT probe, a package substrate and a processing module. The CZT probe is located at one end of the shell, the package substrate is located in the middle of the shell and is connected with the inner wall of the shell, the CZT probe is connected with one side of the package substrate, and the package substrate is encapsulated. The other side forms an encapsulation cavity with the inner wall of the shell. The processing module is housed in the encapsulation cavity and connected with the encapsulation substrate. Compared with the existing technology, the CZT semiconductor activity meter provided by the invention has the advantages of small size, convenient operation, no need for artificial control in detection, and can be used at room temperature.

【技术实现步骤摘要】
一种CZT半导体活度计以及活度测量装置
本专利技术涉及医疗器械领域，具体而言，涉及一种CZT半导体活度计以及活度测量装置。
技术介绍
随着核技术的发展以及国内医疗水平的不断提高，核医学作为采用核技术来诊断、治疗和研究疾病的一门新兴学科，应用已非常广泛，并且几乎所有组织器官或系统的功能检查，都可应用。伴随放射性同位素的发展与核技术在生物领域的应用而发展起来的核医学，当前已经成为现代医学的重要组成部分。其中放射性核素活度计是医院核医学科对受检者或患者用的放射性药物进行活度实测时不可缺少的一种重要仪器。然而当前医院中绝大部分的活度计全是进口产品，并且该类测量装置几乎采用的全是电离室，因此该类活度计测量装置体积普遍很大，非常的笨重，不利于便携式设备地开发，此外由于其处于电流工作模式，因此无法得到入射射线的能量信息，因此该类活度计无法进行核素识别，在测量不同种类的放射性药物时，需要人为控制，进行档位切换。而新兴的CZT半导体探测器由于具有可以在室温下工作、原子序数以及密度较大使得较小的体积即可实现高的探测效率、能量线性较高、能量分辨率高等特点，因此基于CZT的活度计是一种较为理想的探测材料。虽本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种CZT半导体活度计，其特征在于，包括壳体、CZT探测头、封装基板和处理模块，所述CZT探测头设置在所述壳体的一端，所述封装基板设置在所述壳体的中部并与所述壳体的内壁相抵接，所述CZT探测头与所述封装基板的一侧连接，所述封装基板的另一侧与所述壳体的内壁共同形成一封装内腔，所述处理模块容置在所述封装内腔中并与所述封装基板连接；所述CZT探测头包括第一平板晶体、第二平板晶体以及导流连接晶体，所述第一平板晶体与所述封装基板的一端连接并向着远离所述封装基板的方向伸出，所述第二平板晶体与所述封装基板的另一端连接并向着远离所述封装基板的方向伸出，所述第一平板晶体和第二平板晶体相对平行设置并形成光子采...

【技术特征摘要】
1.一种CZT半导体活度计，其特征在于，包括壳体、CZT探测头、封装基板和处理模块，所述CZT探测头设置在所述壳体的一端，所述封装基板设置在所述壳体的中部并与所述壳体的内壁相抵接，所述CZT探测头与所述封装基板的一侧连接，所述封装基板的另一侧与所述壳体的内壁共同形成一封装内腔，所述处理模块容置在所述封装内腔中并与所述封装基板连接；所述CZT探测头包括第一平板晶体、第二平板晶体以及导流连接晶体，所述第一平板晶体与所述封装基板的一端连接并向着远离所述封装基板的方向伸出，所述第二平板晶体与所述封装基板的另一端连接并向着远离所述封装基板的方向伸出，所述第一平板晶体和第二平板晶体相对平行设置并形成光子采集腔，所述导流连接晶体设置在所述光子采集腔的内侧并与所述封装基板的表面相贴合，且所述第一平板晶体、所述导流连接晶体以及所述第二平板晶体依次连接并形成一U型结构；所述导流连接晶体包括CZT晶体层、金属层和保护层，所述CZT晶体层沉积在所述封装基板的表面，所述保护层沉积在所述CZT晶体远离所述封装基板的一侧表面，所述金属层设置在所述CZT晶体层与所述保护层之间，所述CZT晶体层的侧壁上开设有多个散热通孔，多个所述散热通孔靠近所述金属层设置，且多个所述散热通孔平行设置，每个所述散热通孔贯穿所述CZT晶体层。2.根据权利要求1所述的CZT半导体活度计，其特征在于，所述金属层与所述CZT晶体层之间设置有绝缘薄膜层，以使所述金属层与所述CZT晶体层之间相互绝缘。3.根据权利要求2所述的CZT半导体活度计，其特征在于，所述金属层为金，并采用金属离子源注入方法注入到所述保护层与所述CZT晶体层之间。4....

【专利技术属性】
技术研发人员：李思进，刘海燕，查钢强，
申请(专利权)人：山西医科大学，
类型：发明
国别省市：山西,14