测试互连电路的装置和方法以及制造半导体器件的方法制造方法及图纸

一种互连电路测试装置包括：电信号生成电路，用于产生电信号；第一电极，布置在基板的第一区域处，其中基板包括互连电路、上表面和下表面；第二电极，布置在基板的第二区域处；以及传感器，用于当电信号通过第一电极和第二电极施加到基板时检测从第一区域或第二区域发射的电场。

Devices and methods for testing interconnection circuits and methods for manufacturing semiconductor devices

An interconnection circuit test device includes: an electrical signal generating circuit for generating electrical signals; a first electrode arranged at the first area of the substrate, where the substrate comprises an interconnection circuit, an upper surface and a lower surface; a second electrode arranged at the second area of the substrate; and a sensor for detecting the first electrode when the electrical signal is applied to the substrate through the first electrode and the second electrode. Electric field emitted in a region or a second region.

【技术实现步骤摘要】
测试互连电路的装置和方法以及制造半导体器件的方法
本专利技术构思涉及一种测试装置和方法，更具体地，涉及用于检测互连电路是否正常的装置和方法。
技术介绍
在许多单独的半导体部件中，各种电路形成在硅互连电路板中以改变或传输电信号。硅互连电路板可以比印刷电路板(PCB)互连电路板更高度地集成。然而，硅互连电路板具有精细的线宽度和更复杂的互连电路。最近的封装技术通过在一个半导体管芯上连接不同种类的芯片而将系统集成在封装中。在这种技术中，互连电路板可以包括从一万到十万个的互连电路。单个互连电路中的缺陷可以通过测量互连电路的两端的电阻来检测。然而，互连电路板的大量的互连和新增加的工艺使探测效率低且成本高。
技术实现思路
根据本专利技术构思的示范性实施方式，提供了一种互连电路测试装置，其包括：电信号生成电路，用于产生电信号；第一电极，布置在基板的第一区域处，其中基板包括互连电路、上表面和下表面；第二电极，布置在基板的第二区域处；以及传感器，用于在电信号通过第一电极和第二电极施加到基板时检测从第一区域或第二区域发射的电场。根据本专利技术构思的示范性实施方式，提供了一种互连电路测试装置，其包括：用于产生电信号的装置主体；第一电极，电连接到装置主体并布置在互连电路板的其中形成互连电路的第一区域处；第二电极，电连接到装置主体并布置在互连电路板的第二区域处，以响应于电信号在第一电极和第二电极之间产生电势差，使得第二区域的互连电路的一部分的电场具有可检测的形状；以及传感器，布置在第二电极和互连电路板之间以检测该电场。根据本专利技术构思的示范性实施方式，提供了一种测试互连电路的方法，该方法包括：通过使用布置在互连电路板的第一区域和第二区域处的两个电极将电信号施加到互连电路板，互连电路形成在互连电路板中；在第二区域中产生电场；通过使用布置在第二区域处的传感器来检测该电场；由来自传感器的检测电场数据计算焊盘处的电场的强度和对应互连的电阻值；以及基于该电场的强度和电阻值确定互连电路板是否正常。根据本专利技术构思的示范性实施方式，提供了一种制造半导体器件的方法，该方法包括：通过使用布置在互连电路板的第一区域和第二区域处的两个电极向互连电路板施加电信号，互连电路形成在互连电路板中；在第二区域中产生电场；通过使用布置在第二区域处的传感器来检测该电场；由来自传感器的检测电场数据计算焊盘处的电场的强度和对应互连的电阻值；基于电场的强度和电阻值确定互连电路板是否正常；以及当互连电路板正常时执行后续工艺。根据本专利技术构思的示范性实施方式，提供了一种互连电路测试装置，其包括：第一电极，设置在互连电路板的第一区域处；第二电极，设置在互连电路板的第二区域处；电信号生成电路，用于产生电信号并将该电信号施加到第一电极和第二电极，其中响应于第一电极和第二电极之间的电势差，电场从互连电路板发射；以及传感器，设置在互连电路板的第二区域处，其中传感器检测该电场的强度。附图说明通过参照附图详细描述本专利技术构思的示范性实施方式，本专利技术构思的以上和其它的特征将被更清楚地理解，附图中：图1A和图1B是示出根据本专利技术构思的示范性实施方式的互连电路测试装置的方框图；图2A和图2B是示出根据本专利技术构思的示范性实施方式的互连电路测试装置的方框图；图3是根据本专利技术构思的示范性实施方式的互连电路测试装置的方框图；图4A和图4B是示出根据本专利技术构思的示范性实施方式的图1A的互连电路测试装置中的传感器单元的透视图；图5A、图5B和图5C是示出根据本专利技术构思的示范性实施方式的图1A的互连电路测试装置中的电极、传感器和互连电路板之间的位置关系的截面图；图6A、图6B、图6C和图6D是示出根据本专利技术构思的示范性实施方式的图2A的互连电路测试装置中的电极、传感器和互连电路板之间的位置关系的截面图；图7是根据本专利技术构思的示范性实施方式的互连电路测试装置的方框图；图8A和图8B示出用于描述通过使用根据本专利技术构思的示范性实施方式的图1A的互连电路测试装置测试互连电路的图；图9A和图9B是描述通过使用根据本专利技术构思的示范性实施方式的图1A的互连电路测试装置中的平板形上电极形成电场的截面图；图10、图11和图12是根据本专利技术构思的示范性实施方式的互连电路测试装置的方框图；图13A至图13D是示出根据本专利技术构思的示范性实施方式的图11的互连电路测试装置中的电光晶体的截面图；图14是示出根据本专利技术构思的示范性实施方式的互连电路测试方法的流程图；图15是示出根据本专利技术构思的示范性实施方式的包括互连电路测试方法的制造半导体器件的方法的流程图；以及图16是示出通过根据本专利技术构思的示范性实施方式的图15的半导体器件制造方法完成的半导体器件的截面图。具体实施方式图1A是根据本专利技术构思的示范性实施方式的互连电路测试装置100的方框图，图1B是示出根据本专利技术构思的示范性实施方式的图1A的互连电路测试装置100中的互连电路板200的方框图。参照图1A和图1B，根据当前实施方式的互连电路测试装置100可以通过使用电场来测试互连电路板200的互连电路是否存在问题。互连电路测试装置100可以包括电信号生成电路110、第一电极120、第二电极130、传感器140、信号处理单元150和确定单元160。电信号生成电路110可以产生电场用于产生电信号。例如，电信号生成电路110产生电信号，并且该电信号通过第一电极120和第二电极130被施加到互连电路板200。这样，电场可以从互连电路板200发射。例如，电场由第一电极120和第二电极130之间的电势差产生，该电场的形状通过布置在第一电极120和第二电极130之间的互连电路板200改变，并且其形状改变的电场被发射。电信号生成电路110可以包括振荡器、锁相环(PLL)电路和数模转换器(DAC)，并可以生成射频(RF)信号作为电信号。例如，电信号生成电路110可以生成几十MHz至几十GHz的RF信号作为电信号。由电信号生成电路110生成的电信号的频率范围不限于几十MHz至几十GHz。第一电极120和第二电极130电连接到电信号生成电路110，并可以将电信号施加到互连电路板200。第一电极120和第二电极130可以由具有高的电导率的金属形成。例如，第一电极120和第二电极130可以包括铜(Cu)、铝(Al)、镍(Ni)、银(Ag)、金(Au)和铂(Pt)。根据本专利技术构思的示范性实施方式，在电场在第一电极120和第二电极130之间被检测的一侧处的电极可以由透明电极诸如铟锡氧化物(ITO)电极形成。在根据当前实施方式的互连电路测试装置100中，第一电极120布置在互连电路板200下面，第二电极130可以布置在互连电路板200上或上方。第一电极120和第二电极130的位置不限于此。例如，如图2A所示，第一电极120和第二电极130两者可以布置在互连电路板200上或上方。此外，第一电极120和第二电极130两者可以布置在互连电路板200下面。作为参考，如图1A所示，第一电极120连接到电信号生成电路110的正电极端子(+)，第二电极130连接到电信号生成电路110的负电极端子(-)。因此，该电场的方向可以是从第一电极120到第二电极130。换言之，该电场的方向可以形成为从连接到正电极端子(+)的电极到连接到负电极端子(-本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种互连电路测试装置，包括：电信号生成电路，用于产生电信号；第一电极，布置在基板的第一区域处，其中所述基板包括互连电路、上表面和下表面；第二电极，布置在所述基板的第二区域处；以及传感器，用于当所述电信号通过所述第一电极和所述第二电极施加到所述基板时检测从所述第一区域或所述第二区域发射的电场。

【技术特征摘要】
2017.10.12 KR 10-2017-01327501.一种互连电路测试装置，包括：电信号生成电路，用于产生电信号；第一电极，布置在基板的第一区域处，其中所述基板包括互连电路、上表面和下表面；第二电极，布置在所述基板的第二区域处；以及传感器，用于当所述电信号通过所述第一电极和所述第二电极施加到所述基板时检测从所述第一区域或所述第二区域发射的电场。2.根据权利要求1所述的互连电路测试装置，其中所述第一电极或所述第二电极是平板形状的，并且其中所述第一电极和所述第二电极一起布置在所述基板的所述上表面或所述下表面上，或者所述基板布置在所述第一电极和所述第二电极之间。3.根据权利要求1所述的互连电路测试装置，其中所述传感器包括电流计，并且其中所述传感器通过使用天线检测所述电场并用所述电流计测量与所述电场对应的电流。4.根据权利要求1所述的互连电路测试装置，其中所述传感器包括电光晶体；并且其中所述电光晶体布置在所述基板和所述第一电极之间或者在所述基板和所述第二电极之间，并且反射板形成在所述电光晶体的面对所述基板的表面上，并且其中根据所述电场的强度，所述电光晶体的折射率改变或者所述电光晶体中的晶体的方向改变。5.根据权利要求4所述的互连电路测试装置，其中邻近所述电光晶体的所述第一电极或所述第二电极是透明的，其中所述传感器包括：所述电光晶体；照射单元，用于产生光；光学器件，用于使来自所述照射单元的光入射在所述电光晶体上并使从所述电光晶体反射的光入射在电光转换器上；以及所述电光转换器，用于将从所述光学器件入射的光转换成电信号，其中所述第一电极或所述第二电极布置在所述电光晶体与所述光学器件之间。6.根据权利要求1所述的互连电路测试装置，其中所述传感器覆盖整个所述第一区域、整个所述第二区域、所述第一区域的一部分或所述第二区域的一部分；其中，当所述传感器覆盖所述第一区域的一部分或所述第二区域的一部分时，所述传感器通过扫描所述第一区域或所述第二区域来检测所述电场。7.根据权利要求1所述的互连电路测试装置，其中所述第一电极、所述第二电极或所述传感器与所述基板分离。8.根据权利要求1所述的互连电路测试装置，还包括：信号处理单元，用于从由所述传感器检测到的电场数据计算焊盘处的所述电场的强度和对应互连的电阻值；和确定单元，用于基于所述电场的强度和所述电阻值来确定所述互连电路是否正常。9.一种互连电路测试装置，包括：用于产生电信号的装置主体；第一电极，电连接到所述装置主体并布置在互连电路板的第一区域，互连电路形成在所述互连电路板中；第二电极，电连接到所述装置主体并布置在所述互连电路板的第二区域处，以响应于所述电信号在所述第一电极和所述第二电极之间产生电势差，使得所述第二区域的所述互连电路的一部分的电场具有可检测的形状；以及传感器，布置在所述第二电极和所述互连电路板之间以检测所述电场。10.根据权利要求9所述的互连电路测试装置，其中所述互连电路板布置在所述第一电极与所述第二电极之间，或者所述第一电极和所述第二电极设置在所述互连电路板的同一侧上，并且其中所述第二电极是平板形状的。11.根据权利要求9所述的互连电路测试装置，其中所述传感器包括电流计或电光晶体。12.根据权利要求9所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：金成烈，金宰弘，李庆旼，林美贤，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR