The invention discloses a solid Z-type photocatalyst of g_C3N4/ppy/Bi2WO6 and a preparation method. The PS I end of the solid Z-type photocatalyst is g_C3N4, the PS II end of the solid Z-type photocatalyst is Bi2WO6, and the conductive polymer polypyrrole is an electronic mediator. The solid Z-type photocatalyst of G C3N4/ppy/Bi2WO6 was synthesized by hydrothermal method with G C3N4 wrapped polypyrrole and added into Bi2WO6 solution. The photocatalyst is stable and reusable, and has good degradation effect on dyes and phenolic compounds.
【技术实现步骤摘要】
一种g-C3N4/ppy/Bi2WO6的固态Z型光催化剂及制备方法
本专利技术涉及光催化剂
，特别是涉及一种g-C3N4/ppy/Bi2WO6的固态Z型光催化剂及制备方法。
技术介绍
大量的改性研究使得g-C3N4光催化剂的性能有了较大的提升，但其可见光利用范围依然有很大的拓展空间，仅通过掺杂改性也无法解决g-C3N4自身电子-空穴容易复合的问题。克服半导体的自身因素限制问题，必从两方面着手：一方面，减小半导体的禁带宽度，可以扩宽光谱响应范围。另一方面，使导带电势更负，价带电势更正。Z型光催化材料，由多组分构成，能同时满足以上两点要求。g-C3N4与另一光催化剂复合构成Z型结构后，克服了g-C3N4原本存在的电子-空穴复合率高、循环稳定性能差等问题，表现出了更加优异的光催化性能。Bi2W06具有钙钛矿型的W06的片层和八面体结构,禁带宽度较窄，光生电子和空穴复合率高。为提高其催化性能，很多研究将g-C3N4、石墨烯等与Bi2W06复合制备光催化材料，但是全固态Z型光催化剂较少。并且，未见以聚吡咯(ppy)等导电高聚物作为电子介体的全固态Z型光催化剂。专利技术...
【技术保护点】
1.一种g‑C3N4/ppy/Bi2WO6的固态Z型光催化剂，其特征在于，以g‑C3N4为固态Z型光催化剂的PSⅠ端，以Bi2WO6为固态Z型光催化剂的PSⅡ端，导电聚合物聚吡咯为电子介体。
【技术特征摘要】
1.一种g-C3N4/ppy/Bi2WO6的固态Z型光催化剂，其特征在于，以g-C3N4为固态Z型光催化剂的PSⅠ端，以Bi2WO6为固态Z型光催化剂的PSⅡ端，导电聚合物聚吡咯为电子介体。2.如权利要求1所述的g-C3N4/ppy/Bi2WO6的固态Z型光催化剂的制备方法，其特征在于，以g-C3N4包裹聚吡咯后加入Bi2WO6溶液中水热法合成g-C3N4/ppy/Bi2WO6的固态Z型光催化剂。3.根据权利要求2所述的g-C3N4/ppy/Bi2WO6的固态Z型光催化剂的制备方法，其特征在于，包括下列步骤：（1）g-C3N4的制备：将g-C3N4的前驱体研磨30-40min后，升温至500-550℃煅烧5-6h，得到黄色固体粉末；（2）g-C3N4/ppy的制备：将g-C3N4加入氨水中，磁力搅拌加入吡咯后，冰水浴的条件下搅拌0.4-0.8h得到吡咯氨水溶液；将过硫酸钠加入氨水中形成APS氨水溶液，冰水浴搅拌0.4-0.8h；将APS氨水溶液加入吡咯氨水溶液中冰水浴搅拌20-28h；过滤洗涤后于50-60℃低温烘干得到黑色g-C3N4/ppy粉末；（3）g-C3N4/ppy/Bi2WO6的制备：分别配置Bi(NO3)3和Na2WO4溶液，取g-C3N4/ppy加入Na2WO4溶液充分搅拌后，再缓慢加入Bi(NO3)3溶液，将混合物转移至水热反应釜中，170-190℃反应23-25h...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙红玉，王力民，邓慧，闫英山，李春光，李佳奇，贾荣霞，贾洪斌，盛春英，刘晓敏，孙沙沙，石鲁美，
申请(专利权)人：华纺股份有限公司，滨州华纺工程技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。