The invention discloses a one-step preparation method of a multiphase uniform load, which relates to the technical field of multiphase load preparation. The one-step preparation method of the multi-phase uniform load includes placing multiple volatiles in different temperature zones of the quartz tube, feeding auxiliary gas into the quartz tube, and calcining the flow direction of the auxiliary gas in the quartz tube to form a multi-phase uniform load. Specifically, CdS nanoparticles were co-volatilized and reacted in high temperature region to obtain uniformly loaded CdS nanoparticles on ultra-thin hexagonal MoO 2 nanosheets by using the similar volatilization temperature of CdS and MoO 3, which could be blown out with the gas flow, and had good photocatalytic hydrogen production performance. This method has the advantages of simple preparation method, low preparation cost, no adverse by-products to the environment, uniform load and excellent performance. It has good application prospects for the preparation of some two-phase materials in the energy environment.
【技术实现步骤摘要】
一种多相均匀负载物的一步制备方法
本专利技术涉及多相负载物的制备
,且特别涉及一种多相均匀负载物的一步制备方法。
技术介绍
如今,能源危机仍然是世界进步和发展的一大难题,发展清洁可再生的氢能源成为现今发展的一大热点,由于传统制氢技术消耗很多不可再生能源而且会产生污染,所以光催化分解水制氢技术就成为如今能源技术的热点。光催化半导体的基本要求是,首先导带位置要比零负,价带位置要大于1.23ev,即禁带宽度要横跨并大于1.23ev,才可能用于光催化分解水,其次常用的半导体二氧化钛只能吸收紫外光,而紫外只占太阳光的4%,为拓展太阳光的利用,需要合适禁带宽度的半导体,其中最典型的是CdS。但是CdS也有它的缺点,首先就是光腐蚀问题,再者是它的光生电子空穴容易再复合,使光催化速率降低。常用的改善的方法是在半导体上负载助催化剂,提高电子空穴的分离,或者制备出两个半导体的异质结构,通过二者的能级匹配改善以上问题。两相复合方法一般存在制备比较复杂或者负载不均匀等问题,而且会生成很多不利于环境友好的副产物,使很多复合结构难以构造。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种多相均匀 ...
【技术保护点】
1.一种多相均匀负载物的一步制备方法,其特征在于,其包括:将多个挥发物分别放置在石英管的不同温区;向所述石英管通入辅助气体,并在所述石英管内的所述辅助气体的流向的下游煅烧形成多相均匀负载物。
【技术特征摘要】
1.一种多相均匀负载物的一步制备方法,其特征在于,其包括:将多个挥发物分别放置在石英管的不同温区;向所述石英管通入辅助气体,并在所述石英管内的所述辅助气体的流向的下游煅烧形成多相均匀负载物。2.根据权利要求1所述的多相均匀负载物的一步制备方法,其特征在于,将多个所述挥发物分别放置在石英管的不同温区,具体包括:将两个所述挥发物分别放置在石英管的不同温区。3.根据权利要求2所述的多相均匀负载物的一步制备方法,其特征在于:两个所述挥发物中其中一个所述挥发物为CdS,另一个所述挥发物为MoO3;其中,向所述石英管通入辅助气体,使得所述CdS和MoO3在所述石英管内煅烧形成多相均匀负载物,所述多相均匀负载物为CdS/MoO2负载物。4.根据权利要求3所述的多相均匀负载物的一步制备方法,其特征在于:所述CdS的所处位置的温度780~...
【专利技术属性】
技术研发人员:周伟家,刘慧,赵莉莉,余加源,贾进,刘宏,
申请(专利权)人:济南大学,
类型:发明
国别省市:山东,37
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