一种新型CuI配合物及其制备方法和应用技术

本发明专利技术提供一种新型CuI配合物及其制备方法和应用，属于材料技术领域，配合物[N‑Me‑MePy]Cu2I3，分子式为C7NH10Cu2I3，属于正交晶系，空间群为Pnma，晶胞参数为

A New CuI Complex and Its Preparation and Application

The invention provides a novel CuI complex and its preparation method and application, which belongs to the field of material technology. The complex [N_Me_MePy] Cu2I3 has the molecular formula C7NH10Cu2I3, belongs to orthorhombic crystal system, the space group is Pnma, and the cell parameter is C7NH10Cu2I3.

【技术实现步骤摘要】
一种新型CuI配合物及其制备方法和应用
本专利技术属于材料
，具体涉及一种新型CuI配合物及其制备方法和应用。
技术介绍
随着现代工业与科技的发展，科学研究、工业生产、国防科技、生命科学等领域对温度测试与控制都提出了越来越严格的要求。传统的温度计都是采用接触式的热交换原理制备的，例如基于材料热胀冷缩原理工作的热膨胀温度计、基于电阻随外界温度变化设计的热电阻温度计以及热电偶温度计等。然而对于强磁场、高温、高压、高移动速度、高腐蚀、细胞内部环境、微电子元器件等许多苛刻复杂的环境中，这些接触式的传统温度计由于其结构局限性，已经无法满足测温需求，因此开发新型非接触式温度计具有非常重要的研究意义。最近十几年来，半导体光电材料由于其可调的结构组成与荧光性能引起了科学与工业界的兴趣。半导体材料的荧光性能与外界温度有着直接的关系，例如荧光强度、发射波长、荧光寿命等物理参数。因此利用半导体材料的荧光性能与温度之间的变换关系可实现基于荧光技术的测温方法。目前已经实现的荧光温度探测方法包括：荧光发射峰峰位移动、发射峰光谱宽度、单发射荧光强度、荧光强度比、偏振各向异性和荧光寿命。荧光发射峰峰位移动和发本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型CuI配合物，其特征在于，配合物[N‑Me‑MePy]Cu2I3的分子式为C7NH10Cu2I3，属于正交晶系，空间群为Pnma，晶胞参数为

【技术特征摘要】
1.一种新型CuI配合物，其特征在于，配合物[N-Me-MePy]Cu2I3的分子式为C7NH10Cu2I3，属于正交晶系，空间群为Pnma，晶胞参数为c＝12.5868(8)，Z＝4，晶胞体积为2.一种如权利要求1所述的新型CuI配合物的制备方法，其特征在于，采用中低温溶剂热反应合成方法：按照摩尔比为(2～3):(2～3):(1～2)的比例称量CuI、KI、3-甲基吡啶作为反应原料，溶解到3～4mL乙腈、0.5～1m...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷晓武，岳呈阳，
申请(专利权)人：济宁学院，
类型：发明
国别省市：山东,37