The invention discloses a local active memory sensor simulator, which includes integrated operational amplifier U1 and multiplier U2 and U3. Voltage u is formed by integrated operational amplifier U1 to generate magnetic flux. Integrated operational amplifier U1 is used to realize integral operation and inverse proportional operation. The output signal is finally obtained by U1, U2 and U3, and integrated operational amplifier U1 is used to realize summation operation. The integrated operational amplifier U1 is connected with multipliers U2 and U3. The multiplier is used to multiply signals and return the multiplied signals to the operational amplifier U1. The invention provides a local active memory sensor simulator, which can simulate the flux current characteristics of the memory sensor and replace the actual memory sensor for experiment, application and research.
【技术实现步骤摘要】
一种局部有源忆感器仿真器
本专利技术属于电路设计
，涉及一种局部有源忆感器仿真器的实现，具体涉及一种实现符合局部有源忆感器磁通量、电流关系的等效电路。
技术介绍
忆阻器、忆容器和忆感器作为一类具有记忆特性的基本电路元器件，其在非线性电路中的应用引起了人们的广泛关注，因其独特的记忆特性，可应用于非遗失性存储器和人工神经网络中。研究局部有源记忆器件，一方面，由于之前大多研究无源记忆器件，在电路设计时需采用负阻或有源器件为其提供能量，而局部有源器件无需其它器件进行能量供用，解决了之前的局限性问题；另一方面，局部无源忆阻器可用于模拟突触，之前都是使用无源忆阻器和CMOS晶体管组合构建神经网络，而局部有源忆阻器可用于模拟神经元，二者相互结合，无需CMOS晶体管即可模拟人工神经网络；因而，局部有源记忆器件的研究对忆阻神经网络的设计也有至关重要的影响。忆感器作为一类具有记忆特性的新型电路元器件，是继忆阻器之后的非线性元器件。随着忆阻器的物理实现，对于记忆器件的优化设计便很有必要。目前对于无源记忆器件的仿真建模和电路实现有大量的文献报道，但对于有源记忆器件及局部有源器件的研...
【技术保护点】
1.一种局部有源忆感器仿真器，其特征在于：该仿真器基于下述数学模型构建：
【技术特征摘要】
1.一种局部有源忆感器仿真器，其特征在于：该仿真器基于下述数学模型构建：其中i(t)为电流，为磁通量，ρ(t)为磁通的积分，m和n为参数；该仿真器包括集成运算放大器U1和乘法器U2、U3，具体结构是：集成运算放大器U1内集成了四个运算放大器，其中第1、2、3引脚对应的运算放大器与外围电路的第一电阻R1、第一电容C1构成积分运算电路，用于实现电压到磁通的转换；电压通过第一电阻R1接入集成运算放大器U1的第2引脚，集成运算放大器U1的第1引脚通过电容C1接入第2引脚，从而构成积分电路，来获得局部有源忆感器的磁通量，设输入的电压为u(t)，则集成运算放大器U1的引脚1电压为：集成运算放大器U1的第5、6、7引脚对应的运算放大器，与外围电路的第2电阻R2、第二电容C2构成积分电路，用于实现电感磁通量的积...
【专利技术属性】
技术研发人员：董玉姣，王光义，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：浙江,33
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