【技术实现步骤摘要】
基于门替换技术的电路老化检测预防系统
本专利技术涉及现代电子
，具体地涉及一种基于门替换技术的电路老化检测预防系统。
技术介绍
NBTI效应指的是一系列电学参数退化过程，具有可逆性，该效应产生的原因主要是由于硅⁃氧化层出现塌陷，促使电荷被氧化。一般情况下，该效应发生在PMOS管中，如果器件栅极处是负电压，那么电流输出值将会持续减小，阈值电压绝对值将会不断增加，进而出现时延，缓解NBTI引起的电路老化问题，提高电路生命周期的可靠性是十分重要的。低耗能集成电路设计是重要指标之一，其待机技术是设计电路关键所在，在待机状态下，电路模块具有活动和待机两种模式，影响电路时延可能是由于PMOS长期处于NBTI效应下引起的，如果影响严重，将会加速电路老化。
技术实现思路
本专利技术旨在针对上述问题，提出一种基于门替换技术的电路老化检测预防系统。本专利技术的技术方案在于：基于门替换技术的电路老化检测预防系统，包括主控处理器、总线控制器、激励信号模块、响应模块及被测对象，其中，所述主控处理器与被测对象之间分别通过总线控制器、激励信号模块以及响应模块进行连接，所述激励信号模块与响应模块实现连接。所述的总线控制器为JTAG控制器，总线包括地址总线、数据总线及控制总线，所述的址总线、数据总线及控制总线均通过JTAG控制器实现主控处理器与被测对象连通。所述的激励信号模块包括交流激励部分及直流激励部分，还包括二路复用器，所述交流激励部分包括依次连接的AD9834及二路复用器，AD9834与主控处理器连接，二路复用器与被测对象连接；所述直流激励部分包括依次连接的DAC7512及二路复用...
【技术保护点】
1.基于门替换技术的电路老化检测预防系统，其特征在于：包括主控处理器、总线控制器、激励信号模块、响应模块及被测对象，其中，所述主控处理器与被测对象之间分别通过总线控制器、激励信号模块以及响应模块进行连接，所述激励信号模块与响应模块实现连接。
【技术特征摘要】
1.基于门替换技术的电路老化检测预防系统，其特征在于：包括主控处理器、总线控制器、激励信号模块、响应模块及被测对象，其中，所述主控处理器与被测对象之间分别通过总线控制器、激励信号模块以及响应模块进行连接，所述激励信号模块与响应模块实现连接。2.根据权利要求1所述的基于门替换技术的电路老化检测预防系统，其特征在于：所述的总线控制器为JTAG控制器，总线包括地址总线、数据总线及控制总线，所述的址总线、数据总线及控制总线均通过JTAG控制器实现主控处理器与被测对象连通。3.根据权利要求2所述的基于门替换技术的电路老化检测预防系统，其特征在于：所述的激励信号模块包括交流激励部分及直流激励部分，还包括二路复用...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。