激光辐照ZnO微米管制备微纳结构的方法及所得材料技术

技术编号:20878825 阅读:29 留言:0更新日期:2019-04-17 12:18
本发明专利技术提供一种激光辐照ZnO微米管制备微纳结构的方法及所得材料。所述激光辐照ZnO微米管制备微纳结构的方法,是用紫外纳秒激光为辐照光源,照射富受主型ZnO微米管,获得微纳结构。本发明专利技术提出的一种纳秒紫外激光辐照富受主型ZnO微米管制备微纳结构的方法,以富含Zn空位的富受主型ZnO微米管为基底材料,利用Zn空位点缺陷在激光辐照下独特的光学和电学特性,在较低的功率密度下制备出多种微纳结构,提高了ZnO光电器件性能,拓宽了富受主型ZnO单晶微米管器件的应用领域。

【技术实现步骤摘要】
激光辐照ZnO微米管制备微纳结构的方法及所得材料
本专利技术属于材料领域,具体涉及一种具有微纳结构的ZnO材料的制备方法和所得产物。
技术介绍
ZnO作为第三代宽禁带半导体代表材料之一,因其优异的光电性能而倍受关注。ZnO的禁带宽度为3.37eV,能够实现蓝紫光与紫外发光,且具有高达60meV的激子束缚能,易于实现室温或更高温度下基于激子碰撞散射的受激辐射,实现低阈值发光;其次,ZnO具有光敏性强、氧化能力强等优点,在UV光电探测及光催化降解方面也有广泛应用;此外,ZnO除了体单晶和薄膜结构之外还存在微米管、纳米线、纳米颗粒等多种微纳结构,其突出的光电性能以及微纳结构大表体比的优势,拓宽了ZnO材料的应用范围。其中,具有天然六棱形貌的ZnO微米管/棒可作为光学微腔支持多重光学谐振模式,包括Fabry-Perot腔和回音壁(WGMs)腔,基于全反射提高了ZnO微腔的品质因子,降低紫外激光激射阈值。通过光学气化过饱和析出法(OVSP)制备的富受主型ZnO微米管富含VZn相关的受主态(Q.Wang,etal.Free-standingundopedZnOmicrotubeswithrich本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种激光辐照ZnO微米管制备微纳结构的方法,其特征在于,是用紫外纳秒激光为辐照光源,照射富受主型ZnO微米管,获得微纳结构。

【技术特征摘要】
1.一种激光辐照ZnO微米管制备微纳结构的方法,其特征在于,是用紫外纳秒激光为辐照光源,照射富受主型ZnO微米管,获得微纳结构。2.根据权利要求1所述激光辐照ZnO微米管制备微纳结构的方法,其特征在于,所述紫外纳秒激光为脉冲激光器产生,激光的能量密度为30-300mJ/cm2。3.根据权利要求1所述激光辐照ZnO微米管制备微纳结构的方法,其特征在于,脉冲数为100-800个,重复频率为3Hz。4.根据权利要求1所述激光辐照ZnO微米管制备微纳结构的方法,其特征在于,所述紫外纳秒激光的脉冲宽度为25ns。5.根据权利要求1所述激光辐照ZnO微米管制备微纳结构的方法,其特征在于,所述富受主型ZnO微米管的长度为4.0-5.5mm、直径为90-180μm、壁厚为0.5-1.5μm。6.根据权利要求1所述激光辐照ZnO微米管制备微纳结构的方法,其特征在于,包括操作:将248nmKrF准分子激光器产生的激光作为辐照光源,通过...

【专利技术属性】
技术研发人员:蒋毅坚黄梓含闫胤洲邢承王强
申请(专利权)人:北京工业大学
类型:发明
国别省市:北京,11

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