一种波导高功率防护器件制造技术

本发明专利技术属于电磁防护领域，涉及一种波导高功率防护器件，所述防护器件包括上介质基板、下介质基板、上金属层、下金属层、金属柱和半导体器件；所述上金属层附着在上介质基板的上表面，所述下金属层附着在下介质基板的下表面；所述上金属层由若干个周期性排列的金属贴片组成，所述金属贴片的中间蚀刻出一个等宽缝隙，将金属贴片分割为内贴片和外贴片；所述等宽缝隙的中心与所述金属贴片的中心重合；所述半导体器件等间距设置在等宽缝隙上，半导体器件的正负两极分别连接金属贴片的内贴片和外贴片。本发明专利技术解决了天线系统的强电磁场防护问题，相对于传统的能量选择表面，效果更好，成本更低。

【技术实现步骤摘要】
一种波导高功率防护器件
本专利技术属于电磁防护领域，具体涉及一种波导高功率防护器件，主要用于雷达系统在强电磁脉冲辐照时功率传输过程的屏蔽防护。
技术介绍
电磁脉冲武器与高功率微波武器攻击速度快，范围广，兼具软硬杀伤能力，目前，高功率脉冲功率驱动源技术、高功率微波产生、发射、传输与控制技术以及高功率微波效应机理等基础研究与关键技术取得重大突破，强电磁武器走向实战应用。强电磁辐射对电子设备危害极大，电磁波通过天线将能量耦合进入到系统前端，通过击穿效应与热效应破坏电子设备。能量选择表面通过半导体阵列结合金属周期单元构建的压控导电结构，其表面阻抗随入射电磁场强度不同而发生转变，从而具备能量选择特性，能有效兼顾设备正常使用以及强场防护。文献[1]分析了针对强电磁脉冲武器的能量选择防护罩，当电磁波的能量低于安全阈值的时候能够无损或低损地进入射频系统前端，超过安全阈值的时候能量则会被反射。现有的能量选择表面相关研究集中于贴片加载有源器件平面周期结构，一般应用于天线前端或者集成至天线罩夹层内，会对天线原始方向图造成一定影响。在对于电大尺寸防护需求时，需要成千上万个二极管，成本较高，因此不适合与较大规本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种波导高功率防护器件，其特征在于：包括上介质基板、下介质基板、上金属层、下金属层、金属柱和半导体器件；所述上金属层附着在上介质基板的上表面，所述下金属层附着在下介质基板的下表面；所述上金属层由若干个周期性排列的金属贴片组成，所述金属贴片的中间蚀刻出一圈等宽缝隙，将金属贴片分割为内贴片和外贴片；所述等宽缝隙的中心与所述金属贴片的中心重合；所述半导体器件等间距设置在等宽缝隙上，半导体器件的正负两极分别连接金属贴片的内贴片和外贴片；所述上介质基板、下介质基板分别开设与金属柱数量相同个数的圆孔，所述金属柱穿过圆孔分别连接上金属层的内贴片和下金属层。

【技术特征摘要】
1.一种波导高功率防护器件，其特征在于：包括上介质基板、下介质基板、上金属层、下金属层、金属柱和半导体器件；所述上金属层附着在上介质基板的上表面，所述下金属层附着在下介质基板的下表面；所述上金属层由若干个周期性排列的金属贴片组成，所述金属贴片的中间蚀刻出一圈等宽缝隙，将金属贴片分割为内贴片和外贴片；所述等宽缝隙的中心与所述金属贴片的中心重合；所述半导体器件等间距设置在等宽缝隙上，半导体器件的正负两极分别连接金属贴片的内贴片和外贴片；所述上介质基板、下介质基板分别开设与金属柱数量相同个数的圆孔，所述金属柱穿过圆孔分别连接上金属层的内贴片和下金属层。2.如权利要求1所述的一种波导高功率防护器件，其特征在于：所述金属贴片的形状为正方形。3.如权利要求1所述的一种波导高功率防护器件，其特征在于：所述等宽缝隙为正方形缝隙或环形缝隙。4.如权利要求1所述的一种波导高功率防护器件，其特征在于：所述半导体器件的数量为N个，N取值为大于等于2的偶数。5.如权利要求1所述的一种波导高功率防护器件，其特征在于：所述半导体器件总个数的一半按照正极连接外贴片、负极连接内贴片的方式设置；另一半数量的半导体器件按照负极连接外贴片、正极连接内贴片的方式设置；两种设置方式的半导体器件对称设置在...

【专利技术属性】
技术研发人员：张继宏，毋召峰，虎宁，周奇辉，林铭团，刘培国，戴上凯，
申请(专利权)人：中国人民解放军国防科技大学，
类型：发明
国别省市：湖南,43