电源电路、控制方法以及显示系统技术方案

本发明专利技术公开了一种电源电路、显示系统以及电源电路的控制方法，电源电路包括：电压转换模块，用于在基准电压的调节下将输入电压转换为输出电压；基准模块，用于根据工作电压向电压转换模块提供基准电压；以及噪声抑制模块，用于将输入电压转换为小于输入电压的内部电压，内部电压可作为基准模块的工作电压，噪声抑制模块作为内部电源，对输入电压的抖动变化多了一个中间级的衰减过程，可以减小输入电压的扰动对电源电路的影响，增大了电源电路对输入电压的电源抑制比，提高电路的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
电源电路、控制方法以及显示系统
本专利技术涉及集成电路
，更具体地涉及一种电源电路、电源电路的控制方法以及显示系统。
技术介绍
电源抑制比(PowerSupplyRejectionRatio，PSRR)是输入端电压变化与输出端电压变化的比值，电源抑制比越大，输出端电压受输入端电压变化的影响越小。图1示出根据现有技术的一种AMOLED电源电路的结构示意图，如图1所示，电源电路100包括基准模块110、第一转换单元120以及第二转换单元130。基准模块110例如为带隙基准电路(Bandgap)，用于提供基准电压Vbg。第一转换单元120例如是DC-DC变换器(DC-DCconverter)，用于将输入电压Vin转换成转换电压Vreg。例如当输入电压Vin为2V～4.5V，而系统的输出电压Vout为5V～8V时，就需要第一转换单元120对输入电压Vin进行升压转换。但是单纯的升压电路或者降压电路的输出纹波一般在几十毫伏左右，因此为了抑制输出纹波，通常会在升压电路或者降压电路之后连接一个低压差线性稳压器(Lowdropoutregulator，LDO)。第二转换单元130用于根据转换电压Vreg得到输出电压Vout。第二转换单元130包括运算放大器OP1、晶体管N1、晶体管P1和P2、电阻R1和R2以及输出电容Co。其中，晶体管N1是N型MOSFET(N-Metal-Oxide-Semiconductor，N型金属氧化物半导体场效应晶体管)晶体管P1和P2是P型MOSFET(P-Metal-Oxide-Semiconductor，P型的金属氧化物半导体场效应晶体管)。晶体管P1和晶体管P2构成电流镜，晶体管P1和晶体管P2的栅极和源极相互连接，晶体管P1和晶体管P2的源极均接收转换电压Vreg。晶体管N1连接在晶体管P1的漏极和地之间，电阻R1和电阻R2串联连接在晶体管P2的漏极和地之间，电阻R1和电阻R2的中间节点用于提供反馈电压VFB。输出电容Co连接在输出电压Vout和地之间。运算放大器OP1用于根据反馈电压VFB和基准电压Vbg调节晶体管N1的电压降，继而实现输出电压Vout的稳定。例如当输出电压Vout升高时，反馈电压VFB也会升高，运算放大器OP1输出的误差信号VN1降低，晶体管N1的漏极电压VP1降低，继而导致输出电压Vout降低。现有技术的电源电路具有以下的不足：电源电路对输入电压的抖动产生的抑制效果不理想，用于例如AMOLED驱动等应用场景时，输出电压会随着输入电压的抖动而产生较大的抖动，导致屏幕显示出现“水波纹”(即屏幕显示出现明暗变化的趋势)。因此，有必要对现有技术的电源电路进行改进，以提高电源电路对输入电压的电源抑制比。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种电源电路、电源电路的控制方法以及显示系统，可提高电源电路的电源抑制比。根据本专利技术实施例的第一方面提供的一种电源电路，包括：电压转换模块，用于在基准电压的调节下将输入电压转换为输出电压；基准模块，用于根据工作电压提供所述基准电压；以及噪声抑制模块，用于将所述输入电压转换为小于所述输入电压的内部电压，并将所述内部电压作为所述工作电压提供至所述基准模块。优选地，所述电源电路还包括切换模块，用于在上电后的初始化阶段将所述输入电压作为所述工作电压输出，并在所述初始化阶段结束后将所述内部电压作为所述工作电压。优选地，所述切换模块根据表征所述内部电压的采样信号将所述输入电压和所述内部电压之一输出为所述工作电压，其中，当所述采样信号表征所述内部电压小于预定电压时，所述切换模块将所述输入电压输出为所述工作电压，当所述采样信号表征所述内部电压大于/等于预定电压时，所述切换模块将所述内部电压输出为所述工作电压。优选地，所述切换模块包括：第一开关，连接在所述输入电压端和所述切换模块输出端之间，控制端用于接收所述采样信号；第二开关，连接在所述噪声抑制模块输出端和所述切换模块输出端之间，控制端用于接收所述采样信号的反相信号，其中，当所述采样信号表征所述内部电压小于所述预定电压时，所述采样信号导通所述第一开关，所述第二开关关断；当所述采样信号表征所述内部电压大于/等于所述预定电压时，所述采样信号的反相信号导通所述第二开关，所述第一开关关断。优选地，所述第一开关和所述第二开关分别由P沟道型MOSFET、N沟道型MOSFET或传输门实现。优选地，所述电源电路还包括：缓冲模块，用于根据所述基准电压提供第一至第三参考电压，其中，所述噪声抑制模块根据所述第二参考电压和所述内部电压的反馈电压调节所述内部电压，所述电压转换模块根据所述第一参考电压、所述第三参考电压和所述输出电压的反馈电压调节所述输出电压。优选地，所述电压转换模块包括：第一转换单元，用于根据所述第一参考电压和所述输入电压产生转换电压；以及第二转换单元，用于根据所述第三参考电压和所述转换电压产生所述输出电压。优选地，所述第一转换单元包括Boost升压电路，所述第二转换单元包括LDO稳压电路。优选地，所述第二转换单元包括电流镜、第一运算放大器、第一晶体管、第一反馈电路以及第一输出电容，所述电流镜的供电端接收所述转换电压，所述第三晶体管串联连接在所述电流镜的输入侧和地之间，所述第一反馈电路和所述第一输出电容并联连接在所述电流镜的输出侧与地之间，所述电流镜与所述第一反馈电路的连接点提供所述输出电压，所述第一运算放大器的正相输入端用于接收所述第三参考电压，反相输入端用于接收第一反馈电压，输出端连接至所述第三晶体管的控制极，所述第一反馈电路对所述输出电压采样得第一反馈电压，所述第一运算放大器的正相输入端接收所述第三参考电压，反相输入端接收所述第一反馈电压，输出端连接至所述第一晶体管的控制端以调节流经所述第一晶体管的电流。优选地，所述噪声抑制模块包括：第二反馈电路和第二输出电容，并联连接在所述噪声抑制模块的输出端和地之间，所述第二反馈电路对所述内部电压采样得到第二反馈电压；第二晶体管，其第一通路端接收所述输入电压，第二通路端与所述噪声抑制模块的输出端连接；以及第二运算放大器，正相输入端接收所述第二参考电压，反相输入端接收所述第二反馈电压，输出端连接至所述第二晶体管的控制端以调节流经所述第二晶体管的电流。优选地，所述缓冲模块包括第三至第四运算放大器，所述第三运算放大器的正相输入端用于接收所述基准电压，反相输入端与输出端相互连接，输出端用于提供所述第一参考电压，所述第四运算放大器的正相输入端用于接收所述基准电压，反相输入端与输出端相互连接，输出端用于提供所述第二参考电压，所述第五运算放大器的正相输入端用于接收所述基准电压，反相输入端与输出端相互连接，输出端用于提供所述第三参考电压。根据本专利技术实施例的第二方面提供的一种显示系统，包括：显示屏；以及上述的电源电路，所述电源电路用于向所述显示屏输出供电电压。优选地，所述显示屏包括液晶显示屏、LED显示屏、AMOLED显示屏、量子点显示屏、电子纸、MicroLED或MiniLED显示屏。根据本专利技术实施例的第三方面提供的一种电源电路的控制方法，电源电路包括上述的电源电路，其中，所述控制方法包括：开始上电时，利用所述切换模块将所述输入电压作为所述工作电压输出；以及在所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电源电路，包括：电压转换模块，用于在基准电压的调节下将输入电压转换为输出电压；基准模块，用于根据工作电压提供所述基准电压；以及噪声抑制模块，用于将所述输入电压转换为小于所述输入电压的内部电压，并将所述内部电压作为所述工作电压提供至所述基准模块。

【技术特征摘要】
1.一种电源电路，包括：电压转换模块，用于在基准电压的调节下将输入电压转换为输出电压；基准模块，用于根据工作电压提供所述基准电压；以及噪声抑制模块，用于将所述输入电压转换为小于所述输入电压的内部电压，并将所述内部电压作为所述工作电压提供至所述基准模块。2.根据权利要求1所述的电源电路，其特征在于，还包括切换模块，用于在上电后的初始化阶段将所述输入电压作为所述工作电压输出，并在所述初始化阶段结束后将所述内部电压作为所述工作电压。3.根据权利要求2所述的电源电路，其特征在于，所述切换模块根据表征所述内部电压的采样信号将所述输入电压和所述内部电压之一输出为所述工作电压，其中，当所述采样信号表征所述内部电压小于预定电压时，所述切换模块将所述输入电压输出为所述工作电压，当所述采样信号表征所述内部电压大于/等于预定电压时，所述切换模块将所述内部电压输出为所述工作电压。4.根据权利要求1所述的电源电路，其特征在于，所述切换模块包括：第一开关，连接在所述输入电压端和所述切换模块输出端之间，控制端用于接收所述采样信号；第二开关，连接在所述噪声抑制模块输出端和所述切换模块输出端之间，控制端用于接收所述采样信号的反相信号，其中，当所述采样信号表征所述内部电压小于所述预定电压时，所述采样信号导通所述第一开关，所述第二开关关断；当所述采样信号表征所述内部电压大于/等于所述预定电压时，所述采样信号的反相信号导通所述第二开关，所述第一开关关断。5.根据权利要求4所述的电源电路，其特征在于，所述第一开关和所述第二开关分别由P沟道型MOSFET、N沟道型MOSFET或传输门实现。6.根据权利要求1所述的电源电路，其特征在于，还包括：缓冲模块，用于根据所述基准电压提供第一至第三参考电压，其中，所述噪声抑制模块根据所述第二参考电压和所述内部电压的反馈电压调节所述内部电压，所述电压转换模块根据所述第一参考电压、所述第三参考电压和所述输出电压的反馈电压调节所述输出电压。7.根据权利要求6所述的电源电路，其中，所述电压转换模块包括：第一转换单元，用于根据所述第一参考电压和所述输入电压产生转换电压；以及第二转换单元，用于根据所述第三参考电压和所述转换电压产生所述输出电压。8.根据权利要求7所述的电源电路，其中，所述第一转换单元包括Boost升压电路，所述第二转换单元包括LDO稳压电路。9.根据权利要求7所述的电源电路，其中，所述第二转换单元包括电流镜、第一运算放大器、第一晶体管、第一反馈电路以及第一输出电容，所述电流镜的供电端接收所述转换电压，所述第三晶体管串联连接在所述电流镜的输入侧和地之间，所述第一反馈电路和...

【专利技术属性】
技术研发人员：金宁，
申请(专利权)人：北京集创北方科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11