一种制备镉(II)离子印迹复合膜的方法技术

本发明专利技术公开一种制备镉(II)离子印迹复合膜的方法，属于膜材料科学技术领域。本发明专利技术采用含N杂环类物质N,N'‑吡啶‑2,6‑二(2‑甲基丙烯酰胺)为功能单体，镉(II)离子为模板离子，市售膜为支撑膜，以金属离子印迹技术为手段，制备镉(II)离子印迹复合膜Cd(II)‑MICM。本发明专利技术制备得到的镉(II)离子印迹复合膜对镉(II)离子具有较好的特异性吸附能力和良好的印迹效果。

【技术实现步骤摘要】
一种制备镉(II)离子印迹复合膜的方法
本专利技术涉及一种制备镉(II)离子印迹复合膜的方法，属于膜材料科学

技术介绍
镉（Cd）是毒性非常大的重金属元素，极微的含量即可表现出较大毒性，当水体中Cd含量在0.01~0.1mg/L时，就会对人体机能产生伤害。目前去除金属镉的方法有化学沉淀法、离子交换法、膜分离法等。付忠田利用氢氧化钙作为沉淀剂去除葫芦岛锌厂含镉废水，可以实现镉的达标排放。但该方法投加大量的化学试剂，会产生二次污染等问题。程亮利用纳米腐殖酸基离子交换复合树脂处理废水中的镍离子和镉离子，对两种离子的交换容量分别为139mg/g和148mg/g，这种树脂的重复稳定性好。但树脂容易受到污染或氧化失去交换能力，使用成本较高，后续存在洗脱剂处理问题。金属离子印迹技术是一种提高专一性识别能力的方法，其以特定金属离子为模板，能与金属离子反生螯合作用化合物为功能单体，在交联剂和引发剂的作用下形成一种印迹材料，洗脱除去模板之后留下与模板分子空间大小相同的空穴，从而对特定金属离子进行专一性识别。文件CN105884985制备了一种磁性离子印迹聚合物，对模板离子具有较高的选择性，但此本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制备镉(II)离子印迹复合膜的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：（1）预聚合溶液的配制：将镉(II)离子完全溶解在致孔剂中，加入N,N'‑吡啶‑2,6‑二(2‑甲基丙烯酰胺)振荡2～3h，加入交联剂乙二醇二甲基丙烯酸酯和引发剂偶氮二异丁腈，摇匀，超声处理5～10min，形成预聚合溶液；所述镉（II）离子、N,N'‑吡啶‑2,6‑二(2‑甲基丙烯酰胺)、乙二醇二甲基丙烯酸酯的摩尔比为1:(2～8):(10～50)；（2）Cd(II)‑MICM的制备：将基膜置于步骤（1）得到的预聚合溶液中，常温浸泡3~30min，最后50~80℃反应12~24 h，形成镉(II)离子印迹复合膜Cd(II...

【技术特征摘要】
1.一种制备镉(II)离子印迹复合膜的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：（1）预聚合溶液的配制：将镉(II)离子完全溶解在致孔剂中，加入N,N'-吡啶-2,6-二(2-甲基丙烯酰胺)振荡2～3h，加入交联剂乙二醇二甲基丙烯酸酯和引发剂偶氮二异丁腈，摇匀，超声处理5～10min，形成预聚合溶液；所述镉（II）离子、N,N'-吡啶-2,6-二(2-甲基丙烯酰胺)、乙二醇二甲基丙烯酸酯的摩尔比为1:(2～8):(10～50)；（2）Cd(II)-MICM的制备：将基膜置于步骤（1）得到的预聚合溶液中，常温浸泡3~30min，最后50~80℃反应12~24h，形成镉(II)离子印迹复合膜Cd(II)-MICM；（3）Cd(II)-MICM的洗脱：将步骤（2）得到的镉(II)离子印迹复合膜Cd(II)-MICM用甲醇和醋酸的混合溶液洗脱模板离子，再...

【专利技术属性】
技术研发人员：字富庭，赵莉，胡德琼，刘迎梅，成会玲，胡显智，
申请(专利权)人：昆明理工大学，
类型：发明
国别省市：云南,53