The invention discloses an improved on-chip second-order bandpass filter and radio frequency wireless communication equipment. The filter comprises a first metal layer, a second metal layer, a polar plate capacitor layer and a third metal layer arranged in turn from top to bottom. The second metal layer and the polar plate capacitor layer are connected through a metal through-hole, and the first metal layer is provided with a first resonator, a second resonator and a first feed. The first feed port and the second feed port are symmetrically arranged. The first feed port and the second feed port are symmetrically arranged. The first feed port, the first resonator, the second resonator and the second feed port are connected in turn. The third metal layer is provided with a floor, and there are several connected grooves on the floor. The floor resonates with the first one through the metal hole, respectively. The device is connected with a second resonator. The filter of the invention has the advantages of small size, easy processing, easy processing and integration with other devices, and can well meet the requirements of modern communication systems.
【技术实现步骤摘要】
改进型片上二阶带通滤波器及射频无线通信设备
本专利技术涉及一种滤波器,尤其是一种改进型片上二阶带通滤波器及射频无线通信设备,属于无线通信领域。
技术介绍
微波滤波器是现代通信系统中发射端和接收端必不可少的器件,它对信号起分离作用,让有用的信号尽可能无衰减的通过,对无用的信号尽可能大的衰减抑制其通过。随着无线通信技术的发展,信号间的频带越来越窄,各种通讯设备的尺寸越来越小,这就对滤波器的规格,可靠性和尺寸大小提出了更高的要求。微带滤波器具有高的频率选择性、低插损、功率容量大、性能稳定,小尺寸,易于集成等优点而具有很高的应用价值。目前,用于毫米波应用的第五代(5G)通信的单片微波集成电路(MMIC)的设计正在步入一个新时代。传统上,包括无源器件和有源器件在内的高性能MMIC主要在III/V技术中实施,例如砷化镓(GaAs)。近年来,一些突破已经被用于更多地实现这些设备基于成本效益的硅基技术。不同的无源器件,带通滤波器也许是其中之一最不可缺少的设备。因此广泛相关工作已在文献中发表。设计的高性能片上BPF(BerkeleyPacketFilter,带通滤波器)是一个非常复杂的问题任务,这涉及几个设计权衡。其中一个基本设计挑战是如何权衡插入损耗,阻带衰减和尺寸这三者。作为硅衬底本质上是“有损的”,从设计的角度来看,最大限度地减少插入损耗的最有效方法是保持最佳状态设计尽可能紧凑。1980年代IBM为改进Si材料而加入Ge,以便增加电子流的速度,减少耗能及改进功能,却意外成功的结合了Si与Ge。而自98年IBM宣布SiGe迈入量产化阶段后,近两、三年来,SiGe已成了最 ...
【技术保护点】
1.改进型片上二阶带通滤波器,其特征在于:包括从上到下依次设置的第一金属层、第二金属层、极板电容层以及第三金属层,所述第二金属层与极板电容层之间通过金属过孔连接,所述第一金属层上设有第一谐振器、第二谐振器、第一馈电端口和第二馈电端口,所述第一谐振器与第二谐振器对称设置,所述第一馈电端口与第二馈电端口对称设置,第一馈电端口、第一谐振器、第二谐振器和第二馈电端口依次连接,所述第三金属层上设有地板,所述地板上开有多条相连接的槽线,地板通过金属过孔分别与第一馈电端口、第二馈电端口连接。
【技术特征摘要】
1.改进型片上二阶带通滤波器,其特征在于:包括从上到下依次设置的第一金属层、第二金属层、极板电容层以及第三金属层,所述第二金属层与极板电容层之间通过金属过孔连接,所述第一金属层上设有第一谐振器、第二谐振器、第一馈电端口和第二馈电端口,所述第一谐振器与第二谐振器对称设置,所述第一馈电端口与第二馈电端口对称设置,第一馈电端口、第一谐振器、第二谐振器和第二馈电端口依次连接,所述第三金属层上设有地板,所述地板上开有多条相连接的槽线,地板通过金属过孔分别与第一馈电端口、第二馈电端口连接。2.根据权利要求1所述的改进型片上二阶带通滤波器,其特征在于:所述第一谐振器和第二谐振器均包括弯折接地微带线以及其中一侧开口的矩形环状微带线,所述弯折接地微带线从开口处延伸至矩形环状微带线的内部,并与矩形环状微带线的另一侧连接。3.根据权利要求1所述的改进型片上二阶带通滤波器,其特征在于:所述第一金属层上还设有两侧开口的第一开口接地屏蔽环,所述第一谐振器和第二谐振器对称设置在第一开口接地屏蔽环内,所述第一馈电端口和第二馈电端口对称设置在第一开口接地屏蔽环的两侧开口处。4.根据权利要求1所述的改进型片上二阶带通滤波器,其特征在于:所述第二金属层上设有第一金属片、第二金属片、第三金属片、第四金属片和两侧开口的第二开口接地屏蔽环,所述第一金属片和第二金属片对称设置在第二开口接地屏蔽环的两侧开口处,第一金属片和第二金属片分别通过金属过孔与极板电容层连接,所述第三金属片和第四金属片对称设置在第二开口接地屏蔽环内,第三金属片的上端通过金属过孔与第一馈电端口连接,第四金属片的上端通过金属过孔与第二馈电端口连接,第三金属片和第四金属片的下端分别通过金属过孔与地板连接。5.根据权利要求1所述的改进型片上二阶带通滤波器,其特征在于:所述极板电容层上设有第一极板电容、第二极板电容和两侧开口的第三开口接地屏蔽环,所述第一极板电容和第二极板电容对称设置在第三开口接地屏蔽环的两侧开口处,第一极板电容和第二极板电容分别通过金属过孔与第二金属层连接。6.根据权利要求1所述的改进型片上二阶带通滤波器,其特征在于:所述地板上的槽线有十三条,十三条槽线分别为第一槽线、第二槽线、第三槽线、第四槽线、第五槽线、第六槽线、第七槽线、第八槽线、第九槽线、第十槽线、第十一槽线、第十二槽线和第十三槽线;所述第二槽线的第一端和第三槽线的第一端分别与...
【专利技术属性】
技术研发人员:罗聪,王世伟,涂治红,
申请(专利权)人:华南理工大学,
类型:发明
国别省市:广东,44
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