一种基质辅助激光解析质谱大批量上样装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种基质辅助激光解析质谱大批量上样装置。该上样装置包括可伸缩支架、上样孔道板、样品刮板和样品压板组成。可伸缩支架可调节大小以适应各种不同规格的靶板，调节高度以控制上样孔道板及靶板的距离。上样孔道板上孔道阵列与靶点阵列一致。用样品刮板将倾倒在上样孔道板上的待测样品简单快速的平均分配到各个孔道中，再使用样品压板使孔道中的样品在外加压力的作用下，同时上样至靶点上。该装置可实现基质辅助激光解析质谱的大批量同时上样，缩短点靶及等待结晶的时间，提高质谱检测效率。

A Mass Sampling Device for Matrix-Assisted Laser Resolution Mass Spectrometry

The invention relates to a mass sampling device for matrix assisted laser desorption mass spectrometry. The sampling device consists of a retractable bracket, a sampling orifice plate, a sample scraper and a sample pressing plate. The retractable bracket can adjust the size to suit different specifications of the target plate, and adjust the height to control the distance between the upper sample channel plate and the target plate. The channel array on the upper sample channel plate is consistent with the target array. Sample scraper is used to distribute the sample dumped on the sample channel board to each channel in a simple and fast way. Sample pressing plate is used to make the sample in the channel under the action of external pressure and at the same time the sample is sent to the target. The device can realize mass simultaneous sampling of matrix assisted laser desorption mass spectrometry, shorten the time of point target and waiting for crystallization, and improve the detection efficiency of mass spectrometry.

【技术实现步骤摘要】
一种基质辅助激光解析质谱大批量上样装置
本专利技术涉及分析检测仪器领域，特别是涉及一种基质辅助激光解析质谱大批量上样装置。
技术介绍
基质辅助激光解吸离子化技术（Matrix-assistedlaserdesorptionionization，MALDI)是一种由激光解析（laserdesorption，LD）发展而来的新的质谱离子化技术。其基本原理是样品与基质混合，在靶点上形成共结晶，当用激光照射结晶晶体时，基质分子可吸收并蓄积能量，迅速产热，导致基质与待测样品共同形成气相。而样品的离子化由有机基质的质子转移完成，最终待测样品离子经过去溶聚焦等装置，到达质量分析器中进行分析。基质辅助激光解析质谱凭借其独特的离子化原理，在短时间内快速发展。MALDI的优点包括质量检测范围宽、质量准确度高、灵敏度高、可耐受较高浓度的盐、缓冲剂和非挥发性杂质、分析速度快等。此外MALDI离子源最显著的特点可以进行蛋白、核酸等生物大分子的痕量检测。现有的商品化仪器常用96孔或者384孔板，若每个靶点依次点靶，上样和等待结晶的时间会拉长实验周期，弱化MALDI分析速度快的优点。故研发一种MALDI大批量上样装置，保证样品同时上样到靶点上，缩短上样时间以及结晶等待时间，就显得十分必要。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种基质辅助激光解析质谱大批量上样装置，该装置便于将样品简单快速的同时上样到MALDI靶板上，缩短上样及等待结晶的时间，提高分析效率。为解决上述技术问题，本专利技术所述基质辅助激光解析质谱大批量上样装置由可伸缩支架1、上样孔道板2、样品刮板3以及样品压板4组成，其中：可伸缩支架1的四个边可以通过手动拉伸的方式调整长度，保证其与所用靶板尺寸一致；可伸缩支架1的四个角分别设有一个高度可以调节的四角支柱5，四角支柱5上设有平面凸台6，平面凸台6可以随四角支柱5的高度调节在竖直方向上移动；上样孔道板2由平面凹槽8和在平面凹槽8上阵列分布的孔道7组成，其中，孔道7从上样孔道板2表面贯穿至底部，孔道7的阵列分布与所用靶板上的靶点阵列分布一致；样品压板4上均匀分布着与孔道7阵列相对应的柱形凸出9，柱形凸出9与孔道7的阵列分布及孔道7的形状完全一致，且柱形凸出9高度比孔道7深度长0.01-50mm；样品刮板3截面为三角形。本专利技术中，上样孔道板2、支架5、样品刮板3和样品压板4的材料可选用铝材、不锈钢或者塑料中的一种。本专利技术中，上样之前，调节四角支柱5的高度使上样孔道板2与所用靶板紧密贴合。本专利技术中，孔道7为圆锥台形或圆柱形。本专利技术中，孔道7所能容纳样品体积为0.1uL-5uL。本专利技术中，孔道7底面直径为0.1-10mm。本专利技术中，上样孔道板2厚度在0.1-50mm。本专利技术中，样品进入孔道后，在竖直方向上上孔道板2与所用靶板可分离0.1-50mm。本专利技术中，孔道7轴心应与靶板上靶点轴心相差0.1-5mm。与现有技术相比，本专利技术具有的有益效果为：1）简单高效的实现MALDI靶板样品同时上样；2）适用于用户使用的任何规格的靶板，普适性较高；3）设计简单，整合技术，在无需优化其他条件如基质、激光能量等的情况下，缩短样品分析时间，提高实验效率。附图说明图1是本专利技术实施例的上样装置整体装配示意图，其中，1为可伸缩支架，2为上样孔道板，5为四角支柱。图2是本专利技术实施例的可伸缩支架中四角支柱示意图，其中，6为平面凸台。图3是本专利技术实施例的上样孔道板2示意图，其中，7为孔道，8为平面凹槽。图4是本专利技术实施例的上样孔道板2的剖面示意图图5是本专利技术实施例的样品刮板3的示意图。图6是本专利技术实施例的样品压板4的示意图。图7是本专利技术实施例的样品压板4的剖面示意图，其中，9为柱形凸出。具体实施方式以下说明详细描述了本专利技术的可实施方式以及指导本领域技术人员如何实现本专利技术的再现。为了指导本专利技术的技术方案，已简化或省略的一些常规方面。本领域技术人员应该理解源自这些实施方式的变形或将在本专利技术的范围内。本领域技术人员应该理解下述特征能够以各种方式组合以形成本专利技术的多个变形。由此，本专利技术并不局限于下属可选实施方式，而仅有权利要求和他们的等同物限定。实施例1：结合图1、图2、图3、图4、图5、图6，基质辅助激光解析质谱大批量上样装置由可伸缩支架1、上样孔道板2、样品刮板3以及样品压板4组成。可伸缩支架1的四个边可以通过手动拉伸的方式调整长度，保证其与所使用靶板尺寸一致，可伸缩支架1的四个角分别有一个四角支柱5，四角支柱5上有平面凸台6，可以随四角支柱5的高度调节在竖直方向上位置可调。上样孔道板2由平面凹槽8和在平面凹槽8上阵列分布的孔道7组成，其中，孔道7阵列与靶板上的靶点阵列一致，并由上样孔道板2表面贯穿至靶板表面。样品压板4上均匀分布与上样孔道板上孔道7阵列相对应的柱形凸出9，柱形凸出9高度比孔道7深度长10mm。本专利技术所述的基质辅助激光解析质谱大批量上样装置使用方法如下：1）调节可伸缩支架1至与所用靶板相适应的尺寸；2）将靶板小心地置放于可伸缩支架1底部；3）放置上样孔道板2于四角支柱5的平面凸台6上，并调整四角支柱5高度，保证上样孔道板与靶板紧密贴合；4）将待测样品倾倒于上样孔道板2的平面凹槽8中，用样品刮板3将凹槽表面样品均匀分散到各个孔道7中；5）调整四角支柱5的高度，使上样孔道板2与靶板略微分离，将样品压板4与上样孔道板2对齐，平行缓慢地将孔道7中的样品压至靶点上；6）取走上样孔道板2及样品压板4；7）待样品与基质结晶完成后，从可伸缩支架1上取下靶板，移至MALDI质谱中进行样品分析。实施例２在本实施方式中，采用实施例１所述装置，在上样之前，上样孔道板2与靶板紧密贴合，使得孔道壁与靶点表面共同形成微容器，稳定保存样品，保证在后续操作中孔道中的样品能够同时等量的上样到MALDI靶板上。在本实施方式中，样品压板上柱形凸出9高度比孔道7深度长0.1mm，便于将孔道7中的样品全部上样到靶点上。在本实施方式中，上样孔道板2的孔道7选用圆锥台形；在本实施方式中，上样孔道板2孔道7阵列与靶板上靶点阵列一致；进一步地，孔道7轴心与靶点中心相差0-5mm。实施例３在本实施方式中，采用实施例１所述装置，在上样之前，上样孔道板2也可与靶板略微分离，只要保证样品压板4使用之前，样品不会不均匀的通过孔道滴落至靶点上即可。其他实施方式中，样品压板4上柱形凸出9高度比孔道7深度长0.01mm。在本实施方式中，上样孔道板2的孔道7为柱形。上述实施例仅例示性说明本专利技术的原理及其功效，而非用于限制本专利技术。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本专利技术的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属
中具有通常知识者在未脱离本专利技术所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本专利技术的权利要求所涵盖。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基质辅助激光解析质谱大批量上样装置，由可伸缩支架（1）、上样孔道板（2）、样品刮板（3）以及样品压板（4）组成，其特征在于：可伸缩支架（1）的四个边通过手动拉伸的方式调整长度，保证其与所用靶板尺寸一致；可伸缩支架（1）的四个角分别设有一个高度可以调节的四角支柱（5），四角支柱（5）上设有平面凸台（6），平面凸台（6）可以随四角支柱（5）的高度调节在竖直方向上移动；上样孔道板（2）由平面凹槽（8）和在平面凹槽（8）上阵列分布的孔道（7）组成，其中，孔道（7） 从上样孔道板（2）表面贯穿至底部，孔道（7）的阵列分布与所用靶板上的靶点阵列分布一致；样品压板（4）上均匀分布着与孔道（7）阵列相对应的柱形凸出（9），柱形凸出（9）与孔道（7）的阵列分布及与孔道（7）的形状一致，且柱形凸出（9）高度比孔道（7）深度长0.01‑ 50 mm；样品刮板（3）的截面为三角形。

【技术特征摘要】
1.一种基质辅助激光解析质谱大批量上样装置，由可伸缩支架（1）、上样孔道板（2）、样品刮板（3）以及样品压板（4）组成，其特征在于：可伸缩支架（1）的四个边通过手动拉伸的方式调整长度，保证其与所用靶板尺寸一致；可伸缩支架（1）的四个角分别设有一个高度可以调节的四角支柱（5），四角支柱（5）上设有平面凸台（6），平面凸台（6）可以随四角支柱（5）的高度调节在竖直方向上移动；上样孔道板（2）由平面凹槽（8）和在平面凹槽（8）上阵列分布的孔道（7）组成，其中，孔道（7）从上样孔道板（2）表面贯穿至底部，孔道（7）的阵列分布与所用靶板上的靶点阵列分布一致；样品压板（4）上均匀分布着与孔道（7）阵列相对应的柱形凸出（9），柱形凸出（9）与孔道（7）的阵列分布及与孔道（7）的形状一致，且柱形凸出（9）高度比孔道（7）深度长0.01-50mm；样品刮板（3）的截面为三角形。2.根据权利要求1所述的基质辅助激光解析质谱大批量上样装置，其特征在于：上样孔道板（2）、可调节支架（1）、样品刮板（3）和样品压板（...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘颖超，张权青，李顺祥，杨芃原，黄元宇，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：上海,31