The present invention discloses a thin film metal structure for widening infrared enhanced transmission spectrum, which includes: background, forming a slit or two-dimensional hole array on the background; when the background is slit, the distance between adjacent slits gradually changes and periodically changes; when the background is two-dimensional hole array, the distance between adjacent row holes gradually changes and periodically changes, and the distance between adjacent row holes gradually changes and periodically changes. \u3002 The thin-film metal grating of the invention adopts a distance gradient arrangement for adjacent slits in each period in advance of the overall periodic structure, so that the incident light of different wavelengths can be enhanced through different slits, thus achieving the goal of widening and enhancing the transmission spectrum as a whole; the same is true for two-dimensional metal hole array.
【技术实现步骤摘要】
一种用于加宽红外增强透射谱的薄膜金属结构
本专利技术属于光学器件
,涉及一种用于加宽红外增强透射谱的薄膜金属结构。
技术介绍
表面等离激元是入射光和金属表面的自由电子相互作用所引起的一种电磁波模式。在这种相互作用下,金属表面的自由电子在与其频率相同的光波照射下发生集体振荡。自由电子的振荡局限于金属与介质界面附近,沿表面传播,并能在特定亚波长结构条件下在金属表面形成光场增强。表面等离激元在光催化、纳米集成光子学、光学传感、生物标记、医学成像、太阳能电池、红外探测器以及表面增强拉曼光谱等领域有广泛的应用前景。特别地,在表面等离激元的辅助作用下,狭缝宽度(或金属孔尺寸)为亚波长的薄膜金属光栅(或薄膜金属孔阵列)对特定波长和偏振方向的入射光有透射增强作用,其归一化的透射率可大于1,远大于经典光学的结果[Xie,Y.,Zakharian,A.R.,Moloney,J.V.,andMansuripur,M.,OpticsExpress,13(12),4485-91(2005);Fang,X.,Li,Z.,Long,Y.,Wei,H.,Liu,R.,Ma,J.,Kamra ...
【技术保护点】
1.一种用于加宽红外增强透射谱的薄膜金属结构,其特征在于,包括:本底,本底上形成有狭缝或者二维孔阵列;本底上为狭缝时,相邻狭缝距离渐变且成周期性变化;本底上为二维孔阵列时,相邻列孔间距渐变且成周期性变化,相邻行孔间距渐变且成周期性变化。
【技术特征摘要】
1.一种用于加宽红外增强透射谱的薄膜金属结构,其特征在于,包括:本底,本底上形成有狭缝或者二维孔阵列;本底上为狭缝时,相邻狭缝距离渐变且成周期性变化;本底上为二维孔阵列时,相邻列孔间距渐变且成周期性变化,相邻行孔间距渐变且成周期性变化。2.如权利要求1所述的用于加宽红外增强透射谱的薄膜金属结构,其特征在于,所述本底上为狭缝时,薄膜金属结构为一维薄膜金属光栅;本底上为二维孔阵列时,薄膜金属结构为二维金属孔阵列。3.如权利要求2所述的用于加宽红外增强透射谱的薄膜金属结构,其特征在于,所述本底采用金或银。4.如权利要求3所述的用于加宽红外增强透射谱的薄膜金属结构,其特征在于,所述一维薄膜金属光栅中的相邻狭缝距离按照线性或非线性变化方式渐变。5.如权利要求4所述的用于加宽红外增强透射谱的薄膜金属结构,其特征在于,所述一维薄膜金属光栅中的相邻狭缝距离按照等差或等比变化方式渐变。6.如权利要求5所述的用于加宽红外增强透...
【专利技术属性】
技术研发人员:谢修敏,宋海智,徐强,代千,陈剑,袁鎏,张伟,余丽波,
申请(专利权)人:西南技术物理研究所,
类型:发明
国别省市:四川,51
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